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21.
乔飞  杨华中  罗嵘  汪蕙 《微电子学》2004,34(1):85-87,90
采用0.8μm标准数字CMOS工艺(VTN0=0.836V,VTP0=0.930V),设计并流片验证了具有宽工作电压范围(3~6V),可作SOC系统动态电源管理芯片内部误差放大器应用的单电源CMOS运算放大器。该误差放大器芯核同时具有适合低电压工作,并对工艺参数变化不敏感的优点。对于相同的负载情况,在3V的工作电压下,开环电压增益AD=83.1dB,单位增益带宽GB=2.4MHz,相位裕量Φ=85.2°,电源抑制比PSRR=154.0dB,转换速率Sr=2.2V/μs;在6V工作电压下,AD=85.1dB,GB=2.4MHz,Φ=85.4°,PSRR=145.3dB,Sr=3.4V/μs。  相似文献   
22.
Chemical Composition and Microstructure of Polymer‐Derived Glasses and Ceramics in the Si–C–O System. Part 2: Characterization of microstructure formation by means of high‐resolution transmission electron microscopy and selected area diffraction Liquid or solid silicone resins represent the economically most interesting class of organic precursors for the pyrolytic production of glass and ceramics materials on silicon basis. As dense, dimensionally stable components can be cost‐effectively achieved by admixing reactive filler powders, chemical composition and microstructure development of the polymer‐derived residues must be exactly known during thermal decomposition. Thus, in the present work, glasses and ceramics produced by pyrolysis of the model precursor polymethylsiloxane at temperatures from 525 to 1550 °C are investigated. In part 1, by means of analytical electron microscopy, the bonding state of silicon was determined on a nanometre scale and the phase separation of the metastable Si–C–O matrix into SiO2, C and SiC was proved. The in‐situ crystallization could be considerably accelerated by adding fine‐grained powder of inert fillers, such as Al2O3 or SiC, which permits effective process control. In part 2, the microstructure is characterized by high‐resolution transmission electron microscopy and selected area diffraction. Turbostratic carbon and cubic β‐SiC precipitate as crystallization products. Theses phases are embedded in an amorphous matrix. Inert fillers reduce the crystallization temperature by several hundred °C. In this case, the polymer‐derived Si–C–O material acts as a binding agent between the powder particles. Reaction layer formation does not occur. On the investigated pyrolysis conditions, no crystallization of SiO2 was observed.  相似文献   
23.
本文介绍了欧洲轿车新战略决策,也即:将要提高轿车的电池电压,,阻燃材料的比率和工作温度;Synolite5001-T-1牌聚酯树脂的阻燃防炎性能优于酚醛树脂。  相似文献   
24.
NMOS器件两次沟道注入杂质分布和阈电压计算   总被引:1,自引:1,他引:0  
王纪民  蒋志 《微电子学》1997,27(2):121-124
分别考虑了深浅两次沟道区注入杂质在氧化扩散过程中对表面浓度的贡献。对两次注入杂质的扩散分别提取了扩散系数的氧化增强系数、氧化衰减系数和有效杂地系数,给出了表面浓度与工艺参数之间的模拟关系式,以峰值浓度为强反型条件计算了开启电压,文章还给出了开启电压、氧化条件、不同注入组合之间的关系式。  相似文献   
25.
液晶显示驱动电路中Fibonacci型电荷泵单元   总被引:3,自引:1,他引:2       下载免费PDF全文
郁海蓉  陈志良 《电子学报》2002,30(5):753-756
本文中所设计的电荷泵将用于手机液晶显示驱动模块中.通过对Fibonacci型电荷泵上升时间的估算,对减小上升时间和动态功耗进行折中考虑,本文提出优化开关频率的方法.用1.2μm CMOS双阱工艺参数对所设计的电荷泵进行模拟,结果表明这个电荷泵具有较快的上升速度和较高的效率.通过提高VGS电平和保证开关管的衬底始终接在最高电位上,文中提出了一种新型Fibonacci电荷泵,它可以正常工作在从1.2V到5V变化的多种电源电压下.  相似文献   
26.
This paper describes the dielectric breakdown characteristics of oil and oil‐impregnated paper for very fast transient (VFT) voltages. Blumlein circuits generate VFT voltages of 60 and 300 ns in a pulse width that simulates disconnecting switching surges in gas‐insulated switch gears. We measured the breakdown voltages of needle‐to‐plane, plane‐to‐plane oil gaps and several pieces of paper between plane electrodes for VFT and lightning impulse voltages. The measured data were formulated in V‐t characteristics and Weibull probability distributions. The inclination n of V‐t characteristics of insulating paper is 150, which is less than n = 13.7 of the plane‐to‐plane oil gap in the VFT time range. The shape parameters of Weibull distribution obtained in this study show that the scattering of breakdown voltages of paper is much less than that of oil. © 2002 Wiley Periodicals, Inc. Electr Eng Jpn, 141(4): 16–24, 2002; Published online in Wiley InterScience ( www.interscience.wiley.com ). DOI 10.1002/eej.10043  相似文献   
27.
This paper presents a method to compensate voltage sags with minimum energy injection for a series‐connected voltage restorer using a micro‐SMES. A circuit for extracting the fundamental symmetrical components from sag voltages and a minimum energy injection algorithm is described. Simulations of voltage sag compensation have been carried out using PSCAD/EMTDC for various faults. The simulation results confirm the validity of the proposed method and show the possibility of reducing the size of energy storage devices. © 2002 Wiley Periodicals, Inc. Electr Eng Jpn, 141(3): 70–80, 2002; Published online in Wiley InterScience ( www.interscience.wiley.com ). DOI 10.1002/eej.10047  相似文献   
28.
BAMHL1 1 /3- 72 0 0 - 1× 3W是在总结以往充气集合式高电压并联电容器产品优点的基础上 ,为优化大容量产品结构 ,提高绝缘可靠性和设备技术经济性能而开发的项目。本文着重介绍该产品的内部结构、外壳筋板结构和混合气体绝缘等几点改进。  相似文献   
29.
氯碱电解槽槽电压构成现状与进展   总被引:1,自引:0,他引:1  
林冠发 《中国氯碱》2002,(4):6-10,25
依据槽电压构成的诸多因素,介绍了目前槽电压构成的现状和进展。  相似文献   
30.
王涌  刘丽华 《电子器件》2002,25(2):133-135
介绍了长距离管线监测系统的一种智能化过流防护方法,详细说明其电路设计原理及相关元件的选择,并与串联自复过流保护元件方式相比较,分析其整体性能,说明其具有响应速度快,安全可靠等特点。  相似文献   
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