一种测量真空开关灭弧室真空度的新方法

提出了一种无需施加磁场、利用发射电流衰减速度测量真空开关灭弧室真空度的新方法。首先利用500μA发射电流对触头表面轰击,除去触头表面上多余的分子吸附层。然后利用35μA发射电流与触头间残余气体分子的碰撞电离,形成离子流。离子流又撞击触头表面,被表面捕获,形成新增吸附层。这些新增吸附层的存在会增大触头材料逸出功,导致发射电流的衰减。真空度不同,发射电流的衰减速度就不同,故在发射电流衰减量一定的条件下,通过检测发射电流衰减时间就可以测量灭弧室内的真空度。文中通过理论分析,给出了发射电流衰减时间与真空度的关系并进行了实验验证。     

Energy transfer mechanism of GdPO4: RE3+ (RE = Tb, Tm) under VUV-UV excitation

Polycrystal of GdPO₄:RE³⁺ (RE=Tb, Tm) phosphors were prepared by solid-state method. Vacuum ultraviolet excitation and emission spectrum and the energy transfer mechanism between the host and dopants of Tb³⁺ and Tm³⁺ were investigated respectively. The emission of Gd³⁺ at 313 nm was enhanced by the strong absorption of CTS of Tm³⁺ at 180 nm in GdPO₄: Tm. It has also been concluded that the excitation of Gd³⁺ is transferred to Tb³⁺ and then emission peaks of ⁵D_J→⁷F_J of Tb³⁺ were observed.     

用于252kV高电压真空灭弧室的触头材料

真空灭弧室一般采用CuCr材料.介绍目前真空灭弧室的触头材料采用添加第三种元素的技术,经特殊冶炼,从而很大程度地提高了触头的耐压性能,并具有大的开断能力和高熔点低截流的优点.     

浅谈配真空接触器-熔断器的开关设备

介绍配真空接触器-熔断器的KYN8B-12铠装移开式交流金属封闭开关设备的技术性能，并简述了主要的型式试验参数。     

日本真空断路器的发展与现状

由于真空断路器具有开断大电流、体积小、成本低等许多优点，势必取得越来越广泛的应用。介绍了真空断路器在日本的发展，叙述了其发展的成果以及21世纪工程发展的主题，包括：物资的回收。人类的安全及真空断路器的无火灾等特点。展现了日本真空断路器的发展趋势及目前的应用。     

10kV真空断路器真空度的判定与分析

简单介绍了真空的绝缘特性、真空中电弧的形成与熄灭及真空断路器的工作原理,并对真空度的测试方法进行了较为详细的介绍。     

钨铁合金真空脱硫脱砷工艺的开发

介绍钨铁合金真空脱硫脱砷的生产工艺以及有关的影响因素。采用这种工艺，钨铁中砷的平均含量可以达到0．0352％，硫的平均含量可以达到0．0152％；合金中砷的平均脱除率可达27％，硫的平均脱除率可达76％。     

封接工艺对玻璃与可伐合金结合性能的影响

采用正交试验方法研究了封接工艺对玻璃与可伐合金结合性能的影响。利用电子万能实验机和金相法分别测试了封接件的剪切强度和显微组织。结果表明：在封接工艺过程中，封接气氛(N2流量)是最主要的影响因素。封接温度次之，封接时间的影响最小。     

贺力氏Multi-Lab Hvdris定氢系统使用探讨及影响因素

本文主要介绍贺力氏Multi-Lab Hvdris定氢系统使用探讨及影响因素。     

贵冶VPSA制氧机作业率攻关与改造

阐述了江铜贵溪冶炼厂二期工程引进的一套3800m3/h真空变压吸附制氧机(简称VPSA)的基本原理、工艺特点,分析了实际运行过程中周期短、作业率低的主要原因,采取了相应的技术改造和维护措施。