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941.
研究了倒装芯片中UBM制备和焊球回流工艺流程。通过改变阻挡层Ni和浸润层Cu的厚度,结合推拉力测试实验,探究了SnAgCu焊点剪切强度的变化规律。研究结果表明,UBM中阻挡层Ni对SnAgCu焊点的力学性能影响最大,而浸润层Cu厚度的增加也能提高SnAgCu焊点的力学性能。进一步对推拉力实验后的焊点形貌进行了SEM观察和EDS分析,得到了焊盘剥离、脆性断裂、焊球剥离、韧性断裂四种不同的焊点失效形式,代表着不同的回流质量,而回流质量主要由UBM的成分和厚度决定。研究结果为倒装焊工艺的优化提供了理论指导。 相似文献
942.
《Advanced Powder Technology》2014,25(4):1254-1261
Mechanical alloying and ball milling are low cost, up-scalable techniques for the preparation of high purity chalcogenide nanopowders to be used as precursor material for printing thin film solar cells. In this study, high purity copper indium selenium (Cu–In–Se) alloy nanopowders with 20–200 nm particle size were synthesized from macroscopic elemental Cu, In and Se powders via mechanical alloying and planetary ball milling. The particle size distribution, morphology, composition, and purity level of the synthesized Cu–In–Se alloy nanopowders were investigated. Thin Cu–In–Se alloy nanopowder ink coatings, deposited on Mo-coated glass substrates by doctor blading, were converted into a CuInSe2 semiconductor film by selenization heat treatment in Se vapor. The CuInSe2 film showed semiconducting band gap around 1 eV measured by photoluminescence spectroscopy. CuInSe2 absorber layer based thin film solar cell devices were fabricated to assess their performance. The solar cell device showed a total efficiency of 4.8%, as measured on 0.25 cm2 area cell. 相似文献
943.
Edge‐Selectively Halogenated Graphene Nanoplatelets (XGnPs,X = Cl,Br, or I) Prepared by Ball‐Milling and Used as Anode Materials for Lithium‐Ion Batteries
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944.
采用化学还原法和球磨共混添加法制备了纳米坡缕石/铜(P/Cu)复合材料,采用粒度分析仪和透射电子显微镜(TEM)对复合纳米粒子的粒度和形貌进行表征。利用四球摩擦磨损试验机考察了不同纳米P/Cu添加量和不同P与Cu配比的复合粉体作为润滑油添加剂对高副钢球摩擦副的摩擦学性能,利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线能谱仪(EDS)对摩擦表面进行形貌、元素性能分析。结果表明,所制备的纳米P/Cu粒径基本小于100 nm,分散稳定性良好,在纳米P/Cu为1wt%且P:Cu=3:1(质量比)添加量下表现出最优的摩擦学性能,其钢球磨斑直径比基础油的减小了20.7%。纳米P/Cu可在摩擦表面生成含Mg、Al、Si和Cu等元素的自修复膜,补偿摩擦磨损且使摩擦表面变光滑。 相似文献
945.
通过"IKV"螺杆挤出机、双层储料式成型机头、伺服电机泵等技术在企业的应用,生产效率提高,产品质量稳定,是大型塑料中空行业节能生产技术的发展趋势。 相似文献
946.
工艺参数对淀粉/EVA复合发泡材料挤出发泡的影响 总被引:1,自引:1,他引:0
以淀粉和乙烯-醋酸乙烯酯(EVA)为原料制备生物质发泡材料的过程中,工艺参数对复合发泡材料的生产制备有着很大的影响.研究了在制备淀粉/EVA复合发泡材料过程中螺杆转速对塑化形态的影响,喂料速度对制备过程的影响,模口温度对泡孔大小的影响和原料含水率对材料膨胀率的影响.研究发现:螺杆转速设置为120 r/min时,淀粉/EVA复合材料挤出物塑化效果最优;适当的喂料速度,可避免“架桥”“堵塞”现象;模口温度设置为160 ℃时,可配合发泡剂达到充分分解,使泡孔最大化;当原料含水率为14%时,复合发泡材料的膨胀率达最大值,为14.4%. 相似文献
947.
采用氢驱动的化学反应法制备Li7Al3Si4三元合金,研究了高能球磨对其结构、颗粒形貌及电化学性能的影响。结果发现,放氢后的产物主要包含Li7Al3Si4和LiAlSi及微量Si。在550~650℃的范围内,随着反应温度的提高,样品的放氢量有所增加,但颗粒尺寸也有所增大。电化学研究表明,600℃放氢样品的最大放电和充电容量分别为996和845mAh/g,相应的库伦效率为~85%,30个循环后的容量保持率约为50%。高能球磨改变了样品的颗粒形貌和相组成,从而改善了其循环稳定性能。12h球磨的样品的最大放电容量约为968mAh/g,30个循环后的容量保持率约为58%。 相似文献
948.
对福建省三明南站深厚填土地段进行螺杆桩设计施工,通过现场桩基检测,工程实践证明:加强施工管控,螺杆桩在深厚填土地基条件下具有很好的适用性,加固处理效果良好。 相似文献
949.
950.
Large‐Scale Growth of Two‐Dimensional SnS2 Crystals Driven by Screw Dislocations and Application to Photodetectors
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Jing Xia Dandan Zhu Lei Wang Ben Huang Xing Huang Xiang‐Min Meng 《Advanced functional materials》2015,25(27):4255-4261
2D SnS2 crystals are attracting increasing attention owning to the huge potential for electronic and optoelectronic applications. However, batch production of 2D SnS2 crystals via a simple vapor process remains challenging by far. Moreover, the growth mechanism for vapor growth of 2D SnS2 is not well documented as well. Herein, a simple approach is presented for preparation of large‐scale 2D SnS2 crystals on mica sheets and it is demonstrated that these 2D crystals follow a screw‐dislocation‐driven (SDD) spiral growth process. The synthesized 2D crystals show hexagonal and truncated triangular shapes with the lateral size ranging from a few micrometers to dozens of micrometers. Observations of key features for screw dislocations, such as helical fringes, dislocation hillocks, and herringbone contours, solidly confirm the SDD spiral growth behavior of the SnS2. Possible mechanism is proposed in this work to show the generation and propagation of screw dislocations. Furthermore, in order to explore the optoelectronic property of the SnS2, photodetectors based on 2D SnS2 crystals are fabricated. The resulting device shows excellent operating characteristics, including good photo‐stability and reproducibility as well as a fast photoresponse time (≈42 ms), which enable the SnS2 a promising candidate for photodetectors. 相似文献