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21.
超高压大容量铝电解电容器的研制   总被引:2,自引:0,他引:2  
分析了大功率设备用超高压大容量铝电解电容器的特点,通过研制工作电解液、制订制作工艺及零部件设计方案,研制出的超高压大容量铝电解电容器具有损耗角正切小(tgδ为0.25)、承受纹波电流能力强(100 Hz,2.12~27.8 A)及寿命长的特点,耐久性达到85℃,5 000 h。  相似文献   
22.
文章提出了精确描述自对准双扩散MOS器件阀值电压的解析模型,给出了其沟道中杂质的二维分布和源结耗尽层宽度的计算方法;分析了边缘效应对氧化层电容的影响,借助电荷共事模型,建立了反映非均匀沟道中耗尽层电荷变化及其对开启电压影响的阀值电压模型;同时,借助二维仿真器,计算出自对准双扩散MOS器件的阈值电压,其值与解析值相吻合。  相似文献   
23.
Five studies examined whether spontaneous trait inferences uniquely reference the person who performed a trait-implying behavior. On each study trial in 5 studies, participants saw 2 faces and a behavioral sentence referring to one of them. Later, participants saw face-trait pairs and indicated whether they had seen the trait word in the sentence presented with the face. Participants falsely recognized implied traits more when these traits were paired with actors' faces than with control faces. This effect was replicated for a large set effaces (120), after a week delay between study and recognition test, when equal attention was paid to each face, and when the orientation of the face at recognition was different from the orientation at encoding. (PsycINFO Database Record (c) 2010 APA, all rights reserved)  相似文献   
24.
乔飞  杨华中  罗嵘  汪蕙 《微电子学》2004,34(1):85-87,90
采用0.8μm标准数字CMOS工艺(VTN0=0.836V,VTP0=0.930V),设计并流片验证了具有宽工作电压范围(3~6V),可作SOC系统动态电源管理芯片内部误差放大器应用的单电源CMOS运算放大器。该误差放大器芯核同时具有适合低电压工作,并对工艺参数变化不敏感的优点。对于相同的负载情况,在3V的工作电压下,开环电压增益AD=83.1dB,单位增益带宽GB=2.4MHz,相位裕量Φ=85.2°,电源抑制比PSRR=154.0dB,转换速率Sr=2.2V/μs;在6V工作电压下,AD=85.1dB,GB=2.4MHz,Φ=85.4°,PSRR=145.3dB,Sr=3.4V/μs。  相似文献   
25.
现役水工钢闸门结构可靠性鉴定时荷载取值分析   总被引:2,自引:0,他引:2       下载免费PDF全文
采用类比法确定现役水工钢闸门结构的荷载评估基准期。以静水压力为例,得了其在荷载评估基准期内的统计参数,讨论了闸门主梁受弯碱坏时可靠指标随继续使用期的变化。  相似文献   
26.
基于光子带隙(PBG)结构的小型K波段谐振式带通滤波器   总被引:1,自引:0,他引:1  
提出了一种新的基于光子带隙结构的K波段谐振式带通滤波器,给出了近似设计公式,并在半导体衬底上,采用微电子的工艺实现了这种结构。这种滤波器设计方法简单,体积小,整个长度接近谐振频率上的导波波长,加工方便,便于与其他电路集成,带内损耗小,阻带范围宽,带外抑制高。另外,本文的理论分析和实验结果均基于半导体衬底,可以直接应用于微波集成电路中。理论模拟与实际测量值基本吻合。  相似文献   
27.
全球移动通信系统(GSM)广泛的应用于现代通信系统就在于其良好的兼容性,不同的移动设备之间在遵守一定协议规范的条件下可以相互通信;本设计测试的是GSM第11系列GSM11.10,他包括诸多测试项,只对接收机参考灵敏度电平在GSM900与DCS1800两个频段进行测量。给出了传统形式下的手动测试和自动测试平台的比较,并建立了收信机参考灵敏度指标的自动测试平台。  相似文献   
28.
Chemical Composition and Microstructure of Polymer‐Derived Glasses and Ceramics in the Si–C–O System. Part 2: Characterization of microstructure formation by means of high‐resolution transmission electron microscopy and selected area diffraction Liquid or solid silicone resins represent the economically most interesting class of organic precursors for the pyrolytic production of glass and ceramics materials on silicon basis. As dense, dimensionally stable components can be cost‐effectively achieved by admixing reactive filler powders, chemical composition and microstructure development of the polymer‐derived residues must be exactly known during thermal decomposition. Thus, in the present work, glasses and ceramics produced by pyrolysis of the model precursor polymethylsiloxane at temperatures from 525 to 1550 °C are investigated. In part 1, by means of analytical electron microscopy, the bonding state of silicon was determined on a nanometre scale and the phase separation of the metastable Si–C–O matrix into SiO2, C and SiC was proved. The in‐situ crystallization could be considerably accelerated by adding fine‐grained powder of inert fillers, such as Al2O3 or SiC, which permits effective process control. In part 2, the microstructure is characterized by high‐resolution transmission electron microscopy and selected area diffraction. Turbostratic carbon and cubic β‐SiC precipitate as crystallization products. Theses phases are embedded in an amorphous matrix. Inert fillers reduce the crystallization temperature by several hundred °C. In this case, the polymer‐derived Si–C–O material acts as a binding agent between the powder particles. Reaction layer formation does not occur. On the investigated pyrolysis conditions, no crystallization of SiO2 was observed.  相似文献   
29.
本文介绍了欧洲轿车新战略决策,也即:将要提高轿车的电池电压,,阻燃材料的比率和工作温度;Synolite5001-T-1牌聚酯树脂的阻燃防炎性能优于酚醛树脂。  相似文献   
30.
NMOS器件两次沟道注入杂质分布和阈电压计算   总被引:1,自引:1,他引:0  
王纪民  蒋志 《微电子学》1997,27(2):121-124
分别考虑了深浅两次沟道区注入杂质在氧化扩散过程中对表面浓度的贡献。对两次注入杂质的扩散分别提取了扩散系数的氧化增强系数、氧化衰减系数和有效杂地系数,给出了表面浓度与工艺参数之间的模拟关系式,以峰值浓度为强反型条件计算了开启电压,文章还给出了开启电压、氧化条件、不同注入组合之间的关系式。  相似文献   
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