电子产品实施无铅化是一个系统工程

从六个方面内容进行了评述,并强调了电子产品实施无铅化是一个系统工程。企图从电子产品实施无铅化的提出、无铅化焊料的基本特性、无铅化焊料焊接时的特点与要求等出发,从而论述电子产品实施无铅化对电子元器(组)件、CCL基板材料、PCB基板的主要要求以及相关的测试与标准的制定等,其目的是使读者有一个较全面的了解,以利于电子产品(包含原材料、元器件、PCB、组装等)制造者、特别是相关的工程技术人员,从整体的关联或系统工程上来理解、研究和解决电子产品无铅化问题,使电子产品能顺利而迅速地从有铅化(锡-铅体系)时代过渡到无铅化(目前,最佳体系为锡-银-铜系列)时代。     

水面舰艇的红外辐射及红外隐身技术分析

概述了红外隐身技术的基本原理,通过分析水面舰艇对红外隐身的要求,研究了水面舰艇红外隐身技术所采取的措施,介绍了红外隐身技术在水面舰艇上的应用和发展趋势。     

纳米金刚石薄膜的光学性能研究

用热丝化学气相(HFCVD)法在硅衬底上制备了表面光滑、晶粒致密均匀的纳米金刚石薄膜,用扫描电镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)观测薄膜的表面形貌和粗糙度,拉曼光谱表征膜层结构,紫外-可见光分光光度计测量其光透过率,并用椭圆偏振仪测试、建模、拟合获得了表征薄膜光学性质的n,k值.结果表明薄膜的晶粒尺寸在100nm以下,表面粗糙度仅为21nm;厚度为3.26(m薄膜在632.8nm波长处的透过率为25%,1100nm波长处达到50%.采用直接光跃迁机制估算得到纳米金刚石薄膜的光学能隙(Eg)为4.3 eV.     

单面法红外检测钢板内壁缺陷温度场研究

利用导热微分方程和钢板的初始条件及边界条件,用数值计算分析了二维钢板模型随 缺陷长度大小、深度变化时单面法加热钢板的表面温度场分布,在红外热像仪的分辨率允许的前提下讨论单面法红外检测钢板内表面缺陷的可行性。     

基于P—M谱的二维各向异性分层海面电磁散射研究

为了得到基于P-M谱的二维各向异性分层海面电磁散射特性,以便为海洋遥感、海上目标检测与识别等领域的应用提供理论依据,采用微扰法研究了平面波入射分层介质粗糙面的电磁散射特性,结合海面P-M谱推导出了平面波入射时的散射系数计算公式,通过数值计算获得了HH极化下中间介质的介电常数和厚度、摩擦风速、风区范围、观察方向与逆风方向之间夹角和入射波频率对双站散射系数的影响,得到了分层海面电磁散射系数的基本特征、分区特征和随频率变化的特征。     

表面横波谐振器的仿真与设计

针对现有表面横波谐振器设计软件仿真精度不够的问题,通过引入中间栅P矩阵模拟其对声波的反射和声速的调制作用,计算不同占空比栅阵的耦合模参数,在仿真中加入了中间栅周期、分布和换能器占空比等变量,实现了对中间栅、占空比的优化设计.利用寄生电路计算模块,分析了封装寄生参数的影响,进一步提高了仿真精度.利用该法设计了中心频率315 MHz、插入损耗12 dB、品质因数7 000的谐振器.经实验证实,仿真误差小于0.5%,仿真精度满足设计需要.     

微纳结构非线性光学及其全光调控研究进展

随着微纳光子学的提出与发展,在纳米尺度上操纵和控制光子,发展体积更小、速度更快的光子器件,实现全光集成,已成为国际研究前沿和新技术领域竞争的热点。其中以光子晶体、表面等离激元微纳结构为代表的微纳光子学研究及应用在国际上得到了广泛的重视和蓬勃发展,特别是其微纳结构的非线性光学、全光调控与器件的应用研究。本文主要综述了微纳结构增强的光学非线性及其非线性全光调控研究进展。     

基于响应面分析的RFID应用部署测试优化设计

RFID技术近年来取得快速发展,成为物联网的关键技术之一.利用试验设计方法对RFID应用部署测试进行了优化,借助正交试验设计方法在多因子多水平的条件下迅速制定测试计划,了解组合测试中多因子对测试结果影响的主次因素和规律,有效地解决组合爆炸问题.还通过多元线性回归分析和最小二乘估计建立响应面方程拟合多个自变量与因变量之间的关系,分别通过正交试验、零水平点拟合试验和最速上升试验快速获得优化方案,从而为在复杂环境条件下提高RFID系统性能,预测部署效果,优化部署条件提供可靠的保证.     

色散金属的时域有限差分方法

表面等离子体激元具有使光场局域化和局域电磁场增强等特性,在纳米光子学和微观检测等诸多领域显示出广泛的应用潜力.时域有限差分（FDTD）数值计算方法能仿真激光与亚波长金属微结构相互作用的表面等离子体效应.金属具有色散性质,其相对介电常数模型有Drude模型和Lorentzs模型及它们相结合的Drude-Lorentzs模型,能拟合金属在可见光和近红外部分或全部波段的色散特性.FDTD数值计算要采用增加辅助变量和相应的辅助差分方程的方法使FDTD迭代计算稳定.     

Epitaxial growth of ZnO on GaN/sapphire substrate by radio-frequency magnetron sputtering

Zinc oxide (ZnO) thin films were grown on n-GaN/sapphire substrates by radio-frequency (RF) magnetron sputtering. The films were grown at substrate temperatures ranging from 400 to 700 ℃ for 1 h at a RF power of 80 W in pure Ar gas ambient. The effect of the substrate temperature on the structural and optical properties of these films was investigated by X-ray diffraction (XRD), atomic force microscopy (AFM) and photoluminescence (PL) spectra. XRD results indicated that ZnO films exhibited wurtzite symmetry and c-axis orientation when grown epitaxially on n-GaN/sapphire. The best crystalline quality of the ZnO film is obtained at a growth temperature of 600 ℃. AFM results indicate that the growth mode and degree of epitaxy strongly depend on the substrate temperature. In PL measurement, the intensity of ultraviolet emission increased initially with the rise of the substrate temperature, and then decreased with the temperature. The highest UV intensity is obtained for the film grown at 600 ℃ with best crystallization.