微量铅和铬酸盐对高压铝箔腐蚀行为的影响

研究了含微量铅和无铅高压阳极铝箔在铬酸系和非铬酸系溶液中的电化学腐蚀行为和对比电容的影响.用扫描电子显微镜观察了铝箔的腐蚀形貌.结果表明,重铬酸盐腐蚀和微量铅均可单独使高压阳极铝箔在腐蚀过程中发孔均匀,并提高比电容.相关的环保型高压铝箔生产技术还有待深入开展.     

异形吉赫横电磁波室场强装置

根据非对称矩形同轴线原理研制了宽带吉赫横电磁波室。采用独特的异形结构，扩展了小室内的有效使用空间。应用有限元法、有限积分技术和时域有限差分法对小室的特性阻抗、电压驻波比、场分布进行了仿真计算，解决了结构设计、输入转接头阻抗匹配、吸波材料的选型等关键技术。文中给出小室在10kHz～18GHz频率范围内的性能指标测试结果。该装置具有宽频带、大功率等特点，可用于高场强辐射抗扰度试验和场强校准。     

云南硅矿藏及开发前景

着重介绍了硅及多晶硅的市场需求,国内外产业概况,云南丰富的硅矿藏资源及开发前景。     

质子交换膜燃料电池双极板的研究

双极板是质子交换膜燃料电池(PEMFC)的关键部件之一,直接影响到电池组的性能和成本。如何选用新材料及其工艺制备技术,大幅降低材料加工成本,是目前急需解决的关键问题之一,为此介绍了一种新型的低成本制备高性能双极板的方法。     

多台高压同步电动机液态软起动控制方案

利用液态软起动的原理起动多台高压同步电动机,可以节省投资.介绍了使用Quantum系列PLC实现对多台高压大功率同步电动机起动过程的控制方案.     

PDP单元寻址期放电特性的研究

本文基于帕邢定律,采用数值模拟的方法,计算了放电单元内,沿不同放电路径着火电压的分布情况.结合流体模型,研究了寻址期ACCPDP中X电极偏压,对寻址放电以及壁电荷积累的影响.模拟结果表明,寻址期间,在ACCPDP的X电极加一定的正偏压(VX),能达到较好的壁电荷积累,从而降低维持期工作电压.在理论计算的基础上,本文基于气体放电相似性定律,设计和制作了ACCPDP放大单元.拍摄了ACCPDP寻址放电过程,并研究了不同VX偏压对于寻址放电影响.实验得到的放电过程中光发射分布,也间接证明了模拟结果的正确性.     

铝电解槽三维电热场耦合分析

利用有限元软件ANSYS,建立了包含摇篮架在内的铝电解槽完整的有限元模型。针对沈阳铝镁设计研究院设计的300kA铝电解槽,进行了三维电热场耦合分析。模拟结果说明所建模型是正确的,为电解槽的优化设计和改造提供参考。     

可调极距式稀土电解槽内磁场分布的研究

对可调极距式稀土电解槽内的磁场进行了三维模拟计算,通过分析结果得出,电解槽内的磁场主要由阴极电流产生。     

医用钛表面生物活性化研究

钛及钛合金具有优良的生物相容性和机械性能，已应用于临床．尤其是用作骨替换与修复材料。但是．钛属于生物惰性材料．不能与骨组织形成化学键合或称骨键合。通过表面改性可使其在生理环境具有诱导羟基磷灰石在表面自发生长的能力．即生物活性化。这是当今生物医用材料研究的热点领域之一。本文评述了钛表面生物活化的研究现状．简要总结了本课题组在这方面的研究工作。     

Optical and electrical properties of ZrSe3 single crystals grown by chemical vapour transport technique

Single crystals of the lamellar compound, ZrSe₃, were grown by chemical vapour transport technique using iodine as a transporting agent. The grown crystals were characterized with the help of energy dispersive analysis by X-ray (EDAX), which gave confirmation about the stoichiometry. The optical band gap measurement of as grown crystals was carried out with the help of optical absorption spectra in the range 700–1450 nm. The indirect as well as direct band gap of ZrSe₃ were found to be 1.1 eV and 1.47 eV, respectively. The resistivity of the as grown crystals was measured using van der Pauw method. The Hall parameters of the grown crystals were determined at room temperature from Hall effect measurements. Electrical resistivity measurements were performed on this crystal in the temperature range 303–423 K. The crystals were found to exhibit semiconducting nature in this range. The activation energy and anisotropy measurements were carried out for this crystal. Pressure dependence of electrical resistance was studied using Bridgman opposed anvils set up up to 8 GPa. The semiconducting nature of ZrSe₃ single crystal was inferred from the graph of resistance vs pressure. The results obtained are discussed in detail.