TiB2和SiCW对Al2O3陶瓷材料高温摩擦磨损特性的影响

研究了Ａｌ２Ｏ３、Ａｌ２ｏ３／ＴｉＢ２和Ａｌ２Ｏ３／ＴｉＢ２／ＳｉＣＷ三处陶瓷材料在不同条件下的擦靡损特性。结果表明：三种陶瓷材料与硬质合金摩擦副的摩擦系数随温度温度的增加有不同的变化规律，摩擦表面的Ｘ射线衍射分析表明，摩擦系数的变化与陶瓷物膜的和结构有关，在高温下Ａｌ２Ｏ３／ＴｉＢ２陶瓷材料摩擦表面形成了具有优良的高温润性的ＴｉＯ２氧化膜，因而ＴｉＢ２的加入明显改善了Ａｌ２Ｏ３陶瓷材料 摩擦磨损     

稀土Si_3N_4陶瓷材料中铝的络合滴定法测定

提出了强碱介质沉淀钇及有关杂质元素而与铝进行分离的方法。试液酸化后采用ＮａＦ析出法络合滴定测定铝。     

片式多层电容电阻复合元件的研制

采用低温共烧陶瓷(LTCC)技术将电容、电阻元件集成在多层陶瓷基板里,构成了一种新型的片式多层复合元件,并研究了其制造工艺性能和频率特性。结果表明,片式多层电容电阻复合元件制造工艺适合批量化生产,并为片式多层LC滤波器、LTCC基板及器件的研发提供了极好的参考价值。     

Al2O3基耐磨陶瓷涂层的燃烧合成与应用

介绍了燃烧合成表面涂层技术的基本原理 ,开发了相应的制备工艺 ,并在此基础上研制了内覆陶瓷涂层的复合钢管、弯管及弯头。陶瓷涂层主要由α Al2 O3相、部分FeO·Al2 O3相和 3Al2 O3·2SiO2 相组成 ,采用添加剂可以有效提高熔体的流动性 ,使陶瓷的凝固和结晶过程得到进一步控制 ,有助于减少孔隙 ,提高陶瓷涂层的致密度。现场应用试验表明 ,涂层具有较好的耐磨性能 ,可使设备的使用寿命大为延长     

金属PTC陶瓷复合材料结构及其导电机理

研究了金属ＰＴＣ陶瓷复合材料的电学性能和其材料组分。结果表明，掺入金属的ＰＴＣ陶瓷材料经氮气中烧结，然后在空气中进行热处理，材料表面形成高势垒层，金属ＰＴＣ陶瓷复合材料的室温电阻较ＰＴＣ的陶瓷高。样品之中存在大量不同类型的极化，在低温时样品电阻较高，温度增加后，大量各种类型离子极化出现，在变价金属铁的变价导电作用下，削弱表面势垒，使金属ＰＴＣ陶瓷复合材料电阻降低，表现出ＮＴＣ现象。在电场作用下，正负电荷、晶粒畸变和空位缺陷等产生空间电荷极化使金属ＰＴＣ陶瓷复合材料有较高介电常数。介电损耗（ｔｇδ）频谱和介电δ温度谱上都出现一个介电峰，其主要原因是跃迁极化，金属阳离子由一个位置跃迁到另一个位置，在介电损耗所对应的频率和温度时出现跃迁极化率最大     

热释电系数的测量方法

描述热释电系数的两种测量方法。其一为电荷积分法，测试系统简单，测量数据准确，且能满足零电场条件下的测量。其二为动态电流法，采用调制热源技术，研究在特定温度条件下热释电材料的动态热释电响应。     

电致伸缩陶瓷微位移器非线性的数值方法补偿

本文通过对电致伸缩陶瓷材料的非线性进行分析。找到了补偿电致伸缩陶瓷非线性的数值方法，并对不同回程大小的电滞回线进行了分段处理，使补偿结果更为精确。     

Application of SiC-Si functionally gradient material to thermoelectric energy conversion device

Because of its high–temperature chemical stability, SiC ceramic is a promising material for high-temperature device applications such as thermoelectric energy converters. However, the electrical conductivity of SiC ceramic is too low for it to be used as a thermoelectric energy converter at the cold junction. Therefore, we propose a SiC-Si functionally gradient material (FGM) in order to improve the electrical conductivity of the SiC ceramic at the cold junction. An SiC rod was fired in a temperature gradient furnace. One end of the SiC rod was maintained at 2473 K and the other end was maintained at 1973 K for 30 min. After firing, the porous SiC edge fired at 1973 K was dipped into molten Si in order to infiltrate molten Si into the porous SiC. The microstructure of the FGM is classified into three regions: the SiC-Si composite material; the porous SiC ceramic; and the densified SiC ceramic. The electrical conductivity, the Seebeck coefficient and the thermal conductivity for each region of SiC-Si FGM was measured at 300 K; a figure of merit was calculated. The figure of merit of the SiC-Si FGM at the cold junction, at room temperature, was 10⁸ times higher than that of a nongradient SiC ceramic.     

关于传统与现代设计理念的思考

中国传统的思维方式深深地影响了中国传统陶瓷艺术设计，中国传统陶瓷艺术设计的历史脉络清晰，深入到设计思维系统的深层，才有助于我们对当前的陶瓷设计作出有效的转化。现代陶瓷设计的观念是对传统陶瓷文化的延续和发展，深入挖掘传统思维方式的源头活水，才是发展中国现代陶瓷设计的关键。     

建筑陶瓷企业实施精益生产研究

分析了建筑陶瓷企业实施精益生产的条件和当前推行精益生产的主要障碍，对应用中存在的问题进行了分析并提出了相关建议。