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为了保持阴极铜化学成分和质量长期稳定,某铜冶炼企业对阴极铜化学成分进行监控,对铜冶炼生产系统中电解工序物料、产出后又重回本系统物料、贵金属系统中产出物料、外购原料中物料的杂质总量进行分析,提出了减少杂质对阴极铜质量影响的措施,为阴极铜质量的稳定创造了良好的生产条件,并提升了企业适应复杂原料市场的能力。 相似文献
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1 INTRODUCTIONThankstoitslowresistivityandhighelectromi grationresistance ,copperappearstobeaverypromisingsubstituteforaluminumininterconnec tions[1] .However ,copperisverydifficulttopattern ,andonlychemical mechanicalpolishing (CMP)tech nologycanresolvethisproblem[2 ] .CMPwasinitiallyinvestigatedandopenedoutfrom 1980soverseas[3] ,anditisthebestandonlyglobalplanarizationtech nologyatpresent ,butkeepsholdofbusinesssecretsallthetime .Fayolleetal[2 ] researchedCMPprocessofcopperwhereFe(… 相似文献
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采用Sol—Gel工艺在普通玻璃表面制备出均匀、透明的添加0.3%~0.5%贵金属Pd^2 的TiO2-SiO2复合薄膜。通过对薄膜的XRD,SEM表征及薄膜耐酸、碱化学稳定性的检测,结果表明,在TiO2—SiO2薄膜中添加Pd^2 ,增强了TiO2薄膜的光催化活性,由于Pd^2 所起到阻滞剂的作用,使晶粒尺寸减小,表面呈多孔合理结构,改善了TiO2薄膜的显微结构,使薄膜的化学稳定性得到明显的提高。 相似文献
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CVD金刚石膜{100}取向在改进化学反应模型下生长的原子尺度模拟 总被引:2,自引:0,他引:2
建立了CVD金刚石膜{100}取向生长过程中的化学反应模型,表面吸附生长机制以沟槽处碳氢组元加入的机制为主,并用改进的KMC方法在原子尺度上模拟了该模型下(100)表面的生长过程,给出了衬底温度和甲基浓度等操作参数对膜质量的影响,结果表明,该化学反应模型能够较实际地揭示{100}取向CVD金刚石膜的生长。 相似文献
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The chemical vapor(CVD) deposition-diffusion method was applied to prepare FeSi alloys with high silicon content up to 6.5%. In spite of various deposition and post-annealing, the sample remains α-Fe bcc structure. The cross section of the composition was analyzed to evaluate the Si content and distribution before and after annealing. The results show that the soft magnetic properties are improved by increasing the silicon content. For the samples containing about 6.5% Si, the coercivity decreases to 60 from 237.3 A/m of the original. It is also obtained that, in addition to the Si content, Si distribution has a large influence on the core loss due to the effect of resistivity. The micro-hardnesses were also evaluated along the cross-section after various annealings. 相似文献
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试验研究了白口铸铁锻造的组织及成分条件,分析并实际验证了冲天炉熔炼的白口铸铁锻造的可行性。 相似文献