一种单片机控制的指令转换器的设计

采用89C51单片机，串口扩展芯片8251、中断扩展芯片8259等器件设计了一种指令格式转换器。     

覆盖层厚度对巷道周围应力分布的影响及巷道间相互作用的仿真

给出了覆盖层厚度对巷道周围应力分布的影响及巷道间相互作用的计算机仿真，用三维有限元法分析了在不同覆盖层厚度下巷道周围的应力分布和两个巷道之间不同距离下的相互作用。数值模拟表明了巷道周围应力分布和应力集中系数随覆盖层厚度增加的变化规律，找到了两巷道之间的距离的临界值，当两巷道间距离大于该临界值时，它们之间的相互作用消失。     

古陶片年龄与烧结温度测定中的计算机模拟

介绍用已知年龄和烧结温度的古陶片穆斯堡尔超精细参数与年龄和烧结温度的实验关系曲线作基础，应用计算机模拟程序，自动求出未知陶片的年龄和最高烧结温度的方法。     

NUMERICAL INVESTIGATION ON MUD BED-GENERATION AND IMPACTING A WALL ALONG A SLOPE

In this paper mud was treated as the Bingham fluid. In staggered grids, two-dimensional incompressible Navier-Stokes equations for non-Newtonian fluid was solved by the MAC method. Numerical simulations were conducted on mud bed-generating phenomenon and mud impacting a wall along a slope. The distributions of free surface, pressure and velocity of mud and water were obtained. The results indicate that the computed layer thickness of mud bed almost equals the theoretically predicted value. Because of the differences in constitutive relationship, the distributions of free surface are different for water and mud. The distortion of water free surface is much more complicated.     

声诱饵仿真试验系统

介绍了声诱饵仿真试验系统的组成、工作原理、对接装置结构等,建立了对接装置声耦合状态下的数学模型,对近场声压分布进行了仿真计算,得出了匹配材料厚度、发射和接收换能器的选取原则。     

超音速燃气射流非定常波系的数值研究

根据ＭＵＳＣＬ格式的基本思想，对格式进行了部分修改，数值模拟了超音速燃气射流流场的结构和发展过程。给出了流场谐波系的变化趋势，得到了流场达到稳定状态的时间和稳定后的流动图形。     

三相分离器的油水界面和压力的计算机解耦控制

本文应用解耦理论对原油脱水用的三相分离器进行的计算机控制的设计、仿真和实时控制进行了探讨。经现场调试运行,取得了较好的控制质量。     

Mixed Analog Digital Simulation of Integrated Circuits with BRASIL

In this paper the approach of BRASIL in modelling digitalintegrated circuits is presented. BRASIL consists of a timingsimulator for digital MOS circuits coupled with an algorithmfor circuit simulation. The timing simulation is based upon afast macromodelling approach and the calculation of time-variantRC networks. The circuit simulator takes advantage of structuringthe system of nodal equations. With BRASIL a fast and accuratesimulation of digital circuits, with special regard to the analogbehaviour of highly integrated systems is possible.     

深亚微米MOSFET衬底电流的模拟与分析

利用器件模拟手段对深亚微米ＭＯＳＦＥＴ的衬底电流进行了研究和分析，给出了有效的道长度，栅氧厚度，源漏结深，衬底掺杂浓度以及电源电压对深亚微米ＭＯＳＦＥＴ衬底电流的影响，发现电源电压对深亚微米ＭＯＳＦＥＴ的衬底电流有着强烈的影响，热载流子效应随电源电压的降低而迅速减小，当电源电压降低到一定程度时，热载流子效应不再成为影响深亚微米ＭＯＳ电路可靠性的主要问题。     

L－B膜修饰电极循环伏安行为模拟──（Ⅰ）电荷转移速度常数对循环伏安性能的影响

本文用计算机数字模拟方法研究了电活性分子多层Ｚ型Ｌ－Ｂ膜修饰电极的循环伏安行为。计算了电极与修饰Ｌ－Ｂ膜分子第一层之间的电荷转移速度常数Ｋ_ｏ，Ｌ－Ｂ膜分子层间的电荷转移速度常数ｋ_ｉ；对峰电位差△Ｅ_ｐ及阳极峰面积Ｑ的影响，以及在不同条件下各层分子的氧化态分数随扫描时间的变化。为研究和设计电活性分子修饰电极的实际体系提供了大量数据和信息。