大规模MIMO系统中基于图着色的半动态导频分配

针对大规模MIMO系统中存在的导频污染问题,提出了一种基于图着色的半动态导频分配方案。首先,推导出各个小区可以复用导频的用户与其服务基站的最大距离门限。然后,根据该门限值将系统内各小区的用户分为小区中心用户和小区边缘用户;允许各个小区门限值之内的用户（小区中心用户）复用相同的导频;最后,基于图着色理论协同分配各个小区的小区边缘用户的导频,达到降低导频干扰的目的。仿真结果显示,该方案减少了用户间的导频干扰,有效地提升了整个系统的上行可达和速率。     

大规模MIMO系统中动态迁移导频分配

大规模多输入多输出(MIMO)技术是5G的关键技术之一,由导频资源有限引起的导频污染是制约其发展的主要瓶颈之一,为此必须对宝贵的导频资源进行合理地分配以减小导频污染。已有的导频分配方案大多考虑静态导频分配,无法很好地适应用户位置不断变化的移动通信环境。文章针对大规模MIMO系统中用户移动时的导频分配问题,提出了一种动态迁移导频分配方法。该方法在两个相邻时隙间仅针对移动幅度较大的用户进行额外的导频优化,根据分配方案选择一个用户与之进行导频交换,对于其他的用户不改变原分配导频。复杂度分析及仿真结果表明,该算法相较于传统的导频分配方法可以显著地降低计算复杂度,并且与传统的导频分配方法具有相近的频谱效率,具有较高的实用价值。     

改进缺陷,套刻和聚焦性能的第五世代浸没式曝光系统

论述了第五世代双扫描平台浸液式扫描曝光机的性能和进展。表明了在高速扫描状态下有生产价值的套刻和聚焦性能的实现。浸液式设备更多的关键部分与缺陷有关,而且该机的改进是通过有生产价值的缺陷水平方面来体现的。为了保持这种缺陷水平的改进效果,需要在圆片应用中进行专门稳定的测量。特加是边缘空泡除去(EBR)设计和圆片斜面良流线性是很重要的。     

恶意导频干扰对采用人工噪声方案系统的安全性能影响分析

针对窃听方发送恶意导频干扰破坏系统安全性能的问题,本文将研究场景扩展到三节点MIMO(Multple-Input Multiple-Output)网络,首先分析存在恶意导频干扰时最小二乘和最小均方误差准则下的信道估计结果,并推导基于人工噪声的系统安全速率公式,得出当窃听方到达发送方的导频干扰功率大于合法接收方达到的功率时,安全速率值只能为零.然后,进一步分别研究半双工窃听方和全双工窃听方场景下的最优功率分配方案.最后,通过数值仿真分析窃听者位置、窃听者类型和干扰功率等因素对安全性能的影响.     

技术标准的前瞻性与实践的互动性讨论

从我国技术标准国际化、产业调整升级和创新发展的推手角度,浅谈技术标准的前瞻性以及实践过程中的互动性,同时说明建立我国洁净室及相关受控环境标准体系的紧迫性。     

微型机械制冷机污染机理及控制技术

有效的污染控制是影响微型机械制冷机长寿命运行的关键因素．本文首先分类阐述了机械制冷机内各污染源的产生,然后用直接模拟蒙特卡罗方法与传质扩散方程对制冷机内部管道污染气体的传输扩散进行仿真建模,最后分析了污染气体在蓄冷器的凝结吸附以及其它因素对制冷机性能的影响,并介绍了机械制冷机的污染控制技术以及寿命预测。     

GaN材料的高速生长对其C污染以及光致发光光谱的影响

利用金属有机化学气相沉积对GaN的高速生长进行了研究.结果表明,随着GaN生长速率的提高,其非故意掺杂的C含量也在提高,并且呈现出良好的线性关系.当生长速率由2μm/h增加至7.2μm/h时,利用SIMS测量发现其GaN中的C含量由2.9×1017增加至5.7×1018 cm-3 .研究表明,N空位的存在与C浓度之间存在紧密的联系。在高氨气分压生长条件下,N空位的浓度也在急剧下降。此时,与具有相近生长速率的常规样品相比,其C含量几乎下降了一个数量级。.光致发光光谱表明,黄带以及蓝带的强度与C污染存在线性关系.这个结果也证实了与C相关的缺陷是导致黄带以及蓝带发光的主要来源。     

大规模MIMO系统中基于用户分类的动态导频分配

针对大规模MIMO系统导频污染问题,提出一种基于用户分类的动态导频分配策略.根据目标小区用户信号强度的方差设置合理的用户信号强度临界值,将目标小区用户分为中心用户和边缘用户.中心用户采用最大载干比算法分配导频,以最大化中心用户总信道容量.边缘用户采用贪婪算法分配导频,以提高每个边缘用户的信干噪比.仿真结果表明,所提策略在提高边缘用户信干噪比的同时能够有效提高系统的信道容量.     

污染物致光学元件损伤特性研究进展

总结了致损伤污染物的分类和污染物致光学元件表面损伤的原理,介绍了污染物诱导光学元件表面损伤的物理过程,阐述了近几年污染物致损伤研究所取得的进展,并提出了污染物致损伤研究过程中仍然存在的相关问题及发展方向。     

体硅热膜传感器单片集成工艺的研究

针对MEMS热膜式传感器的发展趋势和在实用化过程中存在的问题,提出了一种新型的单片电路和体硅MEMS热膜式传感器实现集成制造的嵌入式CMOS工艺技术,解决了MEMS制造工艺和CMOS集成电路工艺之间存在的兼容性问题。通过这种嵌入式CMOS工艺技术,可以实现具备最小体积、最低成本的MEMS器件。通过这种嵌入式热膜式传感器和CMOS处理电路的单片集成制造工艺,实现了一款热膜式传感器和IC放大电路的集成部件,并完成了相关基本电性能测试和传感器功能的演示验证,证明了设计的工艺路线的可行性。