中间段光折变晶体材料参数的测量原理

提出了中间段光折变晶体材料参数的测量原理。利用公开报道的关于Ce:KNSBN双光束耦合的实验数据计算了该晶体的材料参数。实验与理论结果相吻合。     

单光束激光散斑干涉法测量金属材料焊接部的热应变

本文对钛合金钢板的焊接部位进行了单光束激光散斑照相,得到了一系列由某一高温降至室温时的双曝光位移散斑图。然后用逐点分析法测出焊接部位在各温度区间的热位移,由此得到的实验结果与现有数据相匹配,即焊接部位热应变随温度升高越来越大。     

一种用于液晶分子取向排列的紫外光聚合物PV4研究

研究了紫外光聚合物材料ＰＶ４的化学性质;采用偏光显微照相技术,研究厂这种材料膜对液晶ＬＣ－６７１０Ａ的取向能力;用原子力显微镜（ＡＦＭ）,研究了光聚合前后聚合物取向膜微观形貌的变化;测最了这种材料引起的液晶预倾角、单面光控取向层扭曲向列液晶显示器件（ＴＮ－ＬＣＤ）的电光特性和时间响应特性;分析了液晶分子取向排列的机理。     

立足基础面向学科构建电路理论课程的立体化教学体系

本文详细介绍了教育部2002年启动教学质量工程以来,我校电路理论课程的教学改革建设的成效,包括电路理论课程的立体化教学体系的建立、相关课程的立体化教材的建设、实验实践教学的强化、教学方法的改进和具体的实践效果。     

基于压电力显微镜的铌酸锂电畴稳定性研究

研究了Z切700 nm厚的单晶铌酸锂(LiNbO₃)薄膜电畴的调控方法。利用X射线衍射仪(XRD)和原子力显微镜(AFM)对单晶LiNbO₃薄膜的晶向和形貌进行了表征,并通过外加电场对单晶LiNbO₃薄膜电畴进行调控。研究结果表明,该LiNbO₃薄膜具有单一的(006)衍射峰,表面光滑、粗糙度低(均方根粗糙度小于1 nm)。通过外加电场和预设电畴图案对LiNbO₃电畴进行精准调控,并测试了电畴稳定性。测试结果显示,调控后的电畴在温度为25~150℃内处于稳定状态,且在30 d内保持稳定,未发生弛豫现象。该研究为LiNbO₃电畴工程器件的研发和应用提供了重要的技术支撑。     

激光加工碳纤维增强复合材料研究进展

碳纤维增强复合材料(CFRP)因其优异的性能,在航空航天、国防等领域有着广阔的应用前景。为了掌握激光加工CFRP的去除机理,研发出高效率、低损伤加工该材料的方法,归纳整理了激光加工CFRP去除机理的研究成果,并从激光特性、工艺参量、气液辅助、材料特性4个方面出发,介绍了国内外激光加工CFRP的研究进展,总结了影响激光加工CFRP质量的因素,并给出了提高加工质量方法的建议,最后对激光加工CFRP的发展趋势进行了展望。     

基于深度学习的区块链蜜罐陷阱合约检测

针对当前检测方法准确率不高以及模型泛化性较差的问题,提出了基于KOLSTM深度学习模型的蜜罐陷阱合约检测方法.首先,通过分析蜜罐陷阱合约的特点,提出了关键操作码的概念,并设计了可用于选取智能合约中关键操作码的关键词提取方法;其次,在传统的LSTM模型中加入关键操作码权重机制,构建了可以同时捕获蜜罐陷阱合约中隐藏的序列特...     

低插损窄带型10.7MHz压电陶瓷滤波器的研制

介绍了低插损窄带型10.7 MHz压电陶瓷滤波器的一种设计制作方法。结合压电陶瓷能陷模理论,通过对滤波器分割电极设计和制造工艺控制技术的研究,强调了工艺控制的重要性。产品达到日本村田同类产品水平,对国产化窄带型10.7 MHz压电陶瓷滤波器的研发和生产具有十分重要的意义。认为选用高Qm值压电陶瓷材料、分割电极和耦合电容的设计、焊接和点蜡工艺的控制等是研制低插损窄带型10.7 MHz压电陶瓷滤波器的重点。     

CeO_2掺杂引起SnO_2压敏电阻的晶粒尺寸效应

研究了掺CeO2对SnO2Co2O3Ta2O5压敏电阻器性能的影响。研究发现:随着x(CeO2)从0增加到1%,压敏电压从190 V/mm增加到205 V/mm,相对介电常数从3 317减小到2 243,晶粒平均尺寸从12.16 mm减小到6.23 mm,在晶界上的Ce4+阻碍了SnO2晶粒的生长。为了解释样品电学非线性性质的起源,笔者提出了SnO2Co2O3Ta2O5CeO2晶界缺陷势垒模型。同时,对该压敏电阻器进行了等效电路分析,试验测量与等效电路分析结果相符。     

电子塑封材料南海环境贮存试验研究

对4种模塑封装材料，两种芯片涂层材料封装的微电路样品在西沙天然暴露站进行了22个月的贮存试验，并设计制作了一种简便有效的测试系统，贮存试验的结果表明，在芯片上加氮化硅钝化层比不加钝化层具有更好的防护效果；与聚酰亚胺胶内涂层相比，硅酮胶内涂层更能有效地阻止水分到达芯片的表面，由于材料本身的差异，不同厂家生产的模塑封装材料对微电路的影响也不同。