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51.
给出了光表面控制负阻晶体管 PNEGIT( Photo- Controlled Surface Negative ImpedanceTransistor)的电路模型 ,从栅控晶体管数学模型出发并结合光电池的电路模型 ,用电路模型描写带有表面复合和体复合的器件 ,模型为研究 PNEGIT和表面控制负阻晶体管 NEGIT( Surface- Controlled Negative Impedance Transistor)以及探讨该类器件的新用途提供了一种手段 ,把模拟结果与实验进行了对比 相似文献
52.
Youpin Gong Xuemin Zhang Guangtong Liu Liqiong Wu Xiumei Geng Mingsheng Long Xiaohui Cao Yufen Guo Weiwei Li Jianbao Xu Mengtao Sun Li Lu Liwei Liu 《Advanced functional materials》2012,22(15):3153-3159
Chemical vapor deposition (CVD) provides a synthesis route for large‐area and high‐quality graphene films. However, layer‐controlled synthesis remains a great challenge on polycrystalline metallic films. Here, a facile and viable synthesis of layer‐controlled and high‐quality graphene films on wafer‐scale Ni surface by the sequentially separated steps of gas carburization, hydrogen exposure, and segregation is developed. The layer numbers of graphene films with large domain sizes are controlled precisely at ambient pressure by modulating the simplified CVD process conditions and hydrogen exposure. The hydrogen exposure assisted with a Ni catalyst plays a critical role in promoting the preferential segregation through removing the carbon layers on the Ni surface and reducing carbon content in the Ni. Excellent electrical and transparent conductive performance, with a room‐temperature mobility of ≈3000 cm2 V?1 s?1 and a sheet resistance as low as ≈100 Ω per square at ≈90% transmittance, of the twisted few‐layer grapheme films grown on the Ni catalyst is demonstrated. 相似文献
53.
In this work, a structurable gel‐polymer electrolyte (SGPE) with a controllable pore structure that is not destroyed after immersion in an electrolyte is produced via a simple nonsolvent induced phase separation (NIPS) method. This study investigates how the regulation of the nonsolvent content affects the evolving nanomorphology of the composite separators and overcomes the drawbacks of conventional separators, such as glass fiber (GF), which has been widely used in sodium ion batteries (SIBs), through the regulation of pore size and gel‐polymer position. The interfacial resistance is reduced through selective positioning of a poly(vinylidene fluoride‐co‐hexa fluoropropylene) (PVdF‐HFP) gel‐polymer with the aid of NIPS, which in turn enhances the compatibility between the electrolyte and electrode. In addition, the highly porous morphology of the GF/SGPE obtained via NIPS allows for the absorption of more liquid electrolyte. Thus, a greatly improved cell performance of the SIBs is observed when a tailored SGPE is incorporated into the GF separator through charge/discharge testing compared with the performance observed with pristine GF and conventional GF coated with PVdF‐HFP gel‐polymer. 相似文献
54.
55.
基于DDS技术,改造BT 4型扫频仪中的扫频信号发生器,使其具有高稳定度、高分辨率、高精度的特点。同时为了使扫频仪能够对被测电路的动态范围进行检测,使扫频仪得到更广泛的应用,运用了AGC控制技术,首先使电压稳定在10 V;然后通过控制D/A使输出电压按测试需要输出。硬件给出了具体电路参数,软件给出了相应软件流程,总结了其他波型产生的方法。 相似文献
56.
57.
58.
盆地模拟是建立在油气地质的物理、化学原理上,用计算机软件来实现时空框架下的盆地结构、沉积充填和油气生排运聚的演化,从而给出油气资源潜力评价。TSM盆地模拟是在"3T-4S-4M"盆地研究工作程式指导下研发的在原型约束下的确定性数值模拟软件系统。系统强调以盆地原型并列与迭加分析为先导,采用确定性的油气响应模拟模块,合理计算埋藏史、热史、生烃史、运聚史等结果,通过结果分析得到合理的油气资源量和分布。通过四川盆地川西坳陷的模拟应用,揭示了晚三叠世以来陆缘拗陷盆地原型到前渊盆地原型的环境变化,以及上三叠统须家河组烃源岩发育、分布、演化特征和动态生排烃过程。模拟结果表明,侏罗纪拗陷原型沉降演化是导致不同段生排烃差异形成的重要原因;中-晚侏罗世最终定型的结构控制了天然气的运聚,形成了孝泉-丰谷、安县-鸭子河-大邑2个有利的资源聚集区。模拟结果表达了盆地原型迭加的控烃、控藏过程;表明TSM盆地模拟可动态揭示"原型控源、迭加控藏"的油气演化过程,通过与已知的拟合,最终实现预测未知油气的功能,是油气勘探领域重要的技术手段和工具。 相似文献
59.
基于台阶地形模型爆破振动测试实验,研究爆破振动在台阶地形的传播规律及测点位置对爆破振动速度预测的影响规律。结果表明,爆破振动速度随着水平距离的增加总体呈衰减趋势,恒有垂直方向爆破振动速度远大于水平径向和水平切向,台阶边缘爆破振动速度存在局部放大现象;将台阶不同位置测点分成三类:Ⅰ类(包括全部测点)、Ⅱ类(包括水平地面测点、台阶中部、根部测点)、Ⅲ类(包括水平地面测点、台阶根部测点),分别应用萨道夫斯基公式和高程修正公式进行预测,发现高程修正公式的预测精度明显优于萨道夫斯基公式;Ⅲ类测点预测进度最优,Ⅱ类次之,Ⅰ类最差。建议进行边坡地形爆破振动速度预测时,只选取边坡台阶根部测点的振动速度进行预测分析。 相似文献
60.
A new design of a BIC sensor for current testing static CMOS circuits is proposed. It is based on a lateral BJT device which is easy to incorporate in any standard CMOS process. The design diverts a fraction of the I
DDQ
current from the cell under test and a resistive component generates a voltage proportional to I
DDQ
. Additional features are the possibility of continuous measure of i
dd
and increased speed of this sensor compared with sensors based on the current integration principle. The design does not have substrate currents due to the parasitic vertical BJTs. Experimental work on the sensor is reported. 相似文献