基于扩张状态观测器的水轮发电机组非线性控制

提出了一种基于扩张状态观测器的水轮发电机组非线性控制。将被控对象看成是内环为非线性系统、外环为伪线性系统的多输入多输出对象，利用低阶扩张状态观测器对内环非线性系统进行动态反馈线性化，利用线性控制方法对已线性化的外环伪线性系统进行预期动态性能设计，最终可实现观测器和线性化的有机结合。计算机仿真表明：这种控制方法不仅能较好地解决开度控制和励磁控制的协调性，而且对模型的内外扰表现出了很好的适应性和鲁棒性；同时，这种控制方法严谨简单，原理直观清晰。     

新型中压固态切换开关的研究

固态切换开关(SSTS)利用大功率电力电子技术和基于微处理器、光纤通信和数字信号处理的测控技术,是解决敏感和关键负荷电力供应最经济有效的手段之一。该文在了解和对比国外SSTS技术和产品的基础上,提出了基于晶闸管和高速机械开关技术的设计方案。这种混合式开关结合了机械开关和电力电子开关各自的优点。正常情况下线路电流通过机械开关,晶闸管只是在切换期间才投入运行。这种混合式开关几乎具有和机械开关一样的效率,具有很好的工业应用前景。该文建立了机械开关和晶闸管换流过程的数学模型,分析了影响换流时间的因素。采用PSCAD／EMTDC软件建立了SSTS仿真模型,对整个切换过程进行了理论分析和仿真研究。最后介绍了SSTS工程样机的研制。仿真和试验结果验证了主电路和控制系统方案的可行性。     

水口水电厂设备状态监测与诊断分析系统

结合工程实践,全面地描述了水口水电厂机组、主变的状态监测与诊断分析系统,包括总体目标和设计原则,系统总体结构,监测范围和测点布置,软件系统组成,系统的主要功能及应用。     

基于B/S模式的综合状态评估系统的设计与实现

状态评估工作是状态检修的基础,然而这是一项全新的工作,许多理论还不健全.开发了一套基于B/S模式的综合状态评估系统,目的就是使得评估工作简单化,将复杂的诊断工作智能化,只有这样,才能有效推动状态评估工作的大面积推广.     

稳态条件下PN结器件一维模型的数值分析

在半导体器件理论的基础上,对一维PN结器件模型的方程组进行线性化,并求出其数值解,为分析稳态条件下PN结器件一维模型提供了一种新的数值解法.     

S=2的单轴各向异性横向Ising模型的基态磁性质

对处于外界横向磁场中,单自旋S=2的具有单轴各向异性场的Ising铁磁体模型,采用平均场理论(MFA),基于Bogoliubov不等式,以Gibbs自由能为判据,推导出系统基态磁矩及自由能的理论公式,重点考察了单轴各向异性场D和横场Ω对自旋系统基态磁化曲线及自由能的影响,并且从磁化曲线可观察系统一阶、二阶相变的特征。研究发现随着单轴各向异性场和横场的变化,磁化曲线可分成3种:系统的磁矩由2跃变到1,发生一阶有序-有序相变;系统的磁矩由2或1跃变到0,发生一阶有序-无序相变;系统的磁矩由2或1平滑地变化到0,发生二阶有序-无序相变。在m-D/(zJ)基态磁化曲线中随着Ω的增加,系统的磁矩由2到1,1到0的一阶相变现象相继消失;同样在m-Ω/(zJ)基态磁化曲线中随着D的增加,也相继消失。通过对基态自由能曲线的分析还发现当Ω增加或D增加时,自由能总是呈下降的趋势。     

带变异算子的PSO算法在配电网状态估计中的应用

根据配电网中的一些设备如分布式发电机的非线性特性和配电网的量测配置特点,并结合粒子群优化(PSO)算法的特点,提出了采用带变异算子的PSO算法进行配电网状态估计。该算法解决了配电网状态估计中的非线性特性,算法中引入变异算子,增强了全局搜索能力,克服了基本PSO算法容易陷入局部最优点的缺点,而且收敛速度和精度都很理想。算例证实了算法的有效性,通过和基本粒子群算法比较显示其优越性。     

偏振模色散前馈方案中偏振主态研究

前馈偏振模色散（PMD）补偿系统中重要的一项是要精确得到链路中的偏振主态（PSP）方向。通过在实验中加入扰偏器，分别用矢量法和粒子群优化（PSO）算法来拟合实验结果得到椭球，从而用椭球法得出了主态方向。结果表明：矢量法在获得椭球要比PSO算法更精确、速度更快以及所得到PSP方向更准确，其更适合用于前馈补偿方案中。     

Low-temperature conductance measurements of surface states in HfO2–Si structures with different gate materials

Metal-oxide-semiconductor capacitors based on HfO₂ gate stack with different metal and metal compound gates (Al, TiN, NiSi and NiAlN) are compared to study the effect of the gate electrode material on the trap density at the insulator–semiconductor interface.C–V and G–ω measurements were made in the frequency range from 1 kHz to 1 MHz in the temperature range 180–300 K. From the maximum of the plot G/ω vs. ln(ω) the density of interface states was calculated, and from its position on the frequency axis the trap cross-section was found. Reducing temperature makes it possible to decrease leakage current through the dielectric and to investigate the states located closer to the band edge.The structures under study were shown to contain significant interface trap densities located near the valence band edge (around 2×10¹¹ cm⁻²eV⁻¹ for Al and up to (3.5–5.5)×10¹² cm⁻² eV⁻¹ for other gate materials). The peak in the surface state distribution is situated at 0.18 eV above the valence band edge for Al electrode. The capture cross-section is 5.8×10⁻¹⁷ cm² at 200 K for Al–HfO₂–Si structure.     

人工神经网络在棒束临界热流密度预测中的应用

基于已有的棒束临界热流密度数据库，采用COBRA-Ⅳ程序计算得到子通道局部临界热流密度数据库。用人工神经网络（ANN）理论对数据库进行训练，得到基于ANN理论的棒束临界热流密度预测模型。预测模型的预测精度显著高于常用经验关系式的预测精度，其预测值的均方差为5.63%。