Impurity effects on photoluminescence in lateral epitaxially overgrown GaN

Using a two-photon laser-scanning microscope (LSM), the spectral and intensity variations of photoluminescence (PL) in a lateral epitaxially overgrown GaN film were mapped with submicron resolution. The PL results are correlated with the carrier-density variation obtained by confocal-Raman microscopy and the surface Fermi-level positions measured by scanning Kelvin-force microscopy. Near-bandgap emission spectra taken in the wing regions provide support for the previously proposed, compensated-impurity band, which arises from the incorporation of a high concentration of impurities, resulting in a carrier density of ∼10²⁰ cm⁻³.     

飞秒光脉冲破坏阈值的解析分析

通过对速率方程求解,得到了双曲正割光脉冲在介质表面引起的电子密度的解析表达式,导出了脉冲通量密度与破坏脉宽阈值的解析关系式.利用解析式就波长为1053nm的光脉冲对熔石英表面的破坏过程进行了计算,得到的介质损伤阈值与脉宽的变化关系与前人研究的结果一致.     

CO2激光器在光学元件表面处理中的应用

介绍了CO2激光修复光学元件表面损伤用其对基片表面缺陷进行抛光的原理、内容以及最新进展,分析了CO2激光修复光学元件表面损伤对元件抗损伤阈值的提高所起的重要作用,并指出技术巾存在的问题。     

ZnO单晶薄膜光电响应特性

对采用MOCVD方法沉积的ZnO单晶薄膜的欧姆接触特性、光电特性进行了研究,并对比研究了射频溅射沉积SiO2抗反射膜对ZnO薄膜I-V、光电特性的影响.实验结果表明,非合金Al/ZnO金属体系与n型ZnO形成了良好的欧姆接触,溅射沉积SiO2在ZnO表面引入了载流子陷阱,影响I-V特性,延长了光响应下降时间.ZnO单晶薄膜光电导也具有时间退化现象.     

AlGaN/GaN HEMT二维静态模型与模拟

考虑AlGaN/GaN材料的自发、压电极化效应和量子效应,通过泊松方程、薛定谔方程和流体力学方程组的数值自洽求解方法,对AlGaN/GaN HEMT的二维静态模型与模拟问题进行了研究,得到了器件区域的导带图、二维电子气分布、电子温度特性、直流输出和转移特性,并对模拟结果进行了分析与讨论.     

532nm激光对兔视网膜损伤阈值研究

目的:确定532nm激光对兔视网膜的损伤阈值.方法:以家兔14只28眼为实验对象,倍频Nd:YAG激光(532nm)通过裂隙灯照射兔视网膜后极部,光斑直径为2mm,照光时间100s,功率密度为900mW/cm2 -1500 mW/cm2,于照后24h观察视网膜损伤发生率,并用加权概率单位法计算损伤发生率为50%时所对应的激光剂量,即损伤阈值ED＜50.结果:532nm激光照射兔视网膜的ED＜50为119.7J/cm2,95%置信区间为:(112.6J/cm2,127.0J/cm2),斜率S为1.18.结论:当光斑直径为2mm,照光时间100s时,532nm激光敛兔视网膜损伤的阈值为119.7J/cm2.     

压电石英亚表面损伤层分析

压电石英基片在加工过程中会带来表面/亚表面损伤,这种损伤会直接影响电子器件的性能、稳定性及寿命。该文采用扫描电镜(SEM)观测与X-射线双晶回摆曲线检测化学腐蚀逐层剥离深度相结合的方法,定量分析了36°AT切压电石英基片亚表面损伤层厚度,并探讨了亚表面损伤层的形成原因及对器件性能的影响。     

PIN 限幅器微波脉冲效应数值模拟

分析微波脉冲作用下PIN 器件效应机理,基于半导体物理方程,热传导模型研究PIN 器件物理模型。基于大功 率微波脉冲作用下的器件高温强场特性的,选择Sentaurus-TCAD 软件中的相关物理模型,建立器件多物理模型-电路的 联合仿真模型;开展验证性实验结果与仿真结果在大于30dBm 的功率注入时比较吻合,证明仿真中使用的物理模型适用 于PIN 限幅器大功率微波脉冲效应机理分析。     

高功率脉冲对PIN 限幅器的毁伤效应研究

本文针对PIN限幅器在高功率脉冲下的毁伤效应,对PIN限幅器归一化吸收、负载和反射功率与阻抗关系进行了理论分析,并对高功率脉冲注入下PIN 限幅器的瞬态响应进行了仿真分析,结果表明当输入脉冲上升沿小于5ns,输入功率大于200mW时,限幅器出现明显的尖峰泄漏现象,并且限幅能力趋于饱和,试验结果也验证了仿真分析结果的有效性。     

He-Ne激光照射海洋微藻的生物学效应的研究

本文探讨了用不同时间(0、0.5、1.0、1.5、2.0、2.5、3.0min)的He-Ne激光照射海洋微藻--小球藻(Chlorella vulgarisBeij.)产生的生物学效应.经连续照射4轮(每轮均照射,然后培养10天后,发现在2.0min内,随照射时间的延长,藻细胞的生长繁殖能力明显增强,细胞内叶绿素、蛋白质含量均呈上升趋势;当照射时间超过2.5min后,上述生理现象不升反降;至于细胞内可溶性糖的含量及细胞体积的变化均不明显.另外,当连续处理和培养多代后,藻细胞可逐渐适应环境的变化.