推进波作用下的底泥起动

在介绍推进波作用下底泥起动特点的基础上，将上层水体作为粘性流体，底泥作为粘弹性体，推导了推进波作用下泥床面剪应力的表达式，并根据试验结果，给出了推进波作用下底泥起动时的床面剪应力与底泥流变参数的关系。     

10t双电葫芦吊车的改造

介绍了 10t双电葫芦吊车在使用过程中出现的问题 ,提出改造方案     

全新冷却方式双椭圆泵浦腔的实验研究

报导一种全新冷却方式的双椭圆泵浦腔，具有较高的泵浦效率和光学均匀性。１．０６μｍ调Ｑ脉冲输出能量总转换效率η＞０．７５％     

全双极WTA模型的改进及其实现

提出了一种相似度的新定义，使双极ＷＡＴ模型的实现更加简洁明了。增加一个阈值使系统能判别非存储模式或因其信息量过低而无法鉴定的输入模式，阈值的大小与要求的容错能力有关。双极相似度及阈值通过光学方法实现。阈值的光学实现使系统仍具有照明不变性。通过电路实现取及ＷＴＡ网络的迭代运算。     

The Research of ST-OFDM in Physical Layer of IEEE 802.16a

This paper briefly introduces one of the three physical layer implementations of IEEE 802.16a~[1],WirelessMAN-OFDM PHY.Based on the implementation,the combination of Orthogonal Frequency Division Multiplexing(OFDM)and Space-Time Coding(STC)which is briefly called ST-OFDM in IEEE 802.16a,is investigated under thechannel provided in Ref.[2].Especially,this paper is focused on the influence of the optimal decision threshold on the sys-tern Bit-Error-Rate(BER)performance based on unequal probabilities of sources.The simulations show that when Signal-Noise-Ratio(SNR)is low the optimal decision threshold is obviously superior to the usual one;when SNR is high to someextent,such as 10 dB for 4QAM and 16 dB for 16QAM,we can use the usual decision threshold instead of the optimal     

一个新的具有指定接收者(t,n)门限签名加密方案

提出了一个具有指定接收考验证的签名加密方案。该方案是数字签名与公钥密码体制的有机集成。与普通数字签名方案相比，除了具有认证性、数据完整性外还具有保密性和接收方的隐私性。然后又利用门限方案首次构造了一个（t,n)门限签名加密方案。该(t,n)门限签名方案具有数据传输安全、顽健性、通信代价更小、执行效率更高等特点。     

纯铜双层辉光离子渗钛组织形成机理及性能分析

采用双层辉光离子渗金属技术对纯铜进行了渗钛处理。用配有能谱仪(EDS)的扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪和透射电子显微镜对合金层的显微组织形貌、钛含量分布、相组成及相结构类型进行了观察与测定，对合金层的形成机理进行了探讨，并对其性能进行了对比测定。结果表明：渗钛层由合金层和扩散层组成，合金层主要由TiCu (Cu)固溶体 TiCu4构成，TiCu4为Dla型有序相，TiCu为B2型有序相，扩散层为(Cu)固溶体。渗钛处理后纯铜的表面得到显著强化。     

有机电沉积涂料的新动向

阴极电沉积涂料是 2 0世纪 70年代以来发展起来的一种新的涂装方法 ,具有挥发性有机物 (VOCs)和有害空气污染物(HAPs)含量低、防蚀能力强、漆膜质量好、涂料利用率高、适合涂装结构复杂的构件和设备等特点。介绍了近年来阴极电沉积涂料研发的新动向。它们主要集中在有机双层电涂和高分子 聚电解质 /低聚物电解质复合物多层电涂体系 ,这些新的电涂体系在涂料的稳定性以及涂层的物理化学性质和力学性能方面具有明显的改进。     

基于模糊度测度和改进遗传算法的图像分割

为了利用模糊集理论进行图像分割,本文提出了一种模糊度测度函数,它衡量了背景模糊集和某一个二值图像的相似性:模糊度越小,这种相似程度越大;并且对模糊度的计算只需要进行简单的比较运算和加法运算,便于硬件实现。本文利用遗传算法求取最佳阈值,针对遗传算法的某些不足之处.我们利用精英策略和模拟退火的思想,对其做了一些修正。实验结果表明:相对于Shannon熵方法和模糊熵方法,本文方法取得了较好的分割结果,并且具有较强的抗噪声能力。     

Low-resistance polysilicon process in contact application for high density devices

For the lowest resistance, it is required to have the epitaxial silicon contact between the silicon plug and the substrate and good step coverage at the high aspect-ratio contact holes, simultaneously. In this work, a double polysilicon (DPS) deposition technique was proposed for the requirements. The first, thin silicon layer is deposited in a single-wafer process chamber with an in-situ H₂-RTP (rapid thermal process) treatment for the epitaxial contact, and the second silicon layer is formed in a batch-type furnace for good step coverage. From chain resistance, Kelvin R_c, and current-voltage (I–V) measurement, the DPS process meets both low resistance and good uniformity, so that it suggests a breakthrough in the small-sized, semiconductor device application.