基于双处理器和双口SRAM的高速图形LED屏

介绍了一种基于双处理器和双口SRAM的高速图形LED屏的硬件和软件。该系统采用两片单片机分别负责显示扫描和图形变换 ,两者通过双口SRAM连接 ,实现高速图形显示     

关于《求解LP问题的部分基变量算法》的勘误及补正

文章针对周康等人的《求解LP问题的部分基变量算法》一文进行了分析,指出其文中算法原理及算法步骤存在的一些错误,补正了算法的不完善之处,并通过数值试验验证算法的计算性能。     

龙滩水电站励磁系统国产化改造及新技术应用

从巨型机组励磁系统设备维护的经济性、技术服务的快捷性、设备升级改造的方便性以及对核心控制技术的可控性等方面考虑,龙滩水电站机组励磁系统的国产化改造显得尤为迫切。对龙滩水电站700MW机组励磁系统进行了国产化改造,介绍了改造实现方法和相关新技术的应用。     

基于双频激电法的海洋发送机系统

在海底金属硫化物的探测过程中,发送机探测方法的选择对探测效果有着重要的影响.基于海洋激发极化方法设计了一套海洋双频激电发送系统.该系统能够根据甲板机发送的指令自动调整高低两种频率的大小,同时对发送系统中实时检测的电流、电压、水深等信号通过隔离差分传输方式进行有效的传送.最后,给出了相应的实验数据和结果分析,实验结果表明,该发送系统设计合理,为利用海洋激发极化方法进行海洋探矿提供了一个有益的尝试.     

直觉模糊二元合成补IFMT三I方法

针对构造直觉模糊蕴涵算子(IFIO)沿用Fuzzy集一元补导致出现的问题,对直觉模糊集(IFS)隶属函数和非隶属函数进行合成求补运算,提出了二元合成补的概念。给出了二元合成补的一些性质,证明了IFS的标准补和对合补是二元合成补的两个特例。构造了基于二元合成补的R0型IFIO,并应用于直觉模糊拒取式(IFMT)问题的三I方法。结果表明,基于二元合成补的IFIO构造方法简单,构造出的IFIO容易满足IFS定义的要求,具有的性质适合IFMT三I方法,并能保证该方法在一定条件下是还原算法。     

正数和与积的对偶不等式

给出了在个数相同的两组正数之积相等的情形下,判定这两组正数之和大小的一个充分条件,由此得出了正数和最大值存在的链式条件．应用这一链式条件解决了将,nl个正数分成等个数的n个数组后,每组之积的和与每组之和的积的最值问题．对于正数积的最小值问题,证明了与正数和最大值类似的结果,且相应的定理之间互为对偶定理．     

Measurement of piezoelectric modulus by pulsed excitation of piezoelectric ceramic elements

The possibility of measuring the piezoelectric modulus by exciting piezoelectric ceramic components with a radio pulse is considered. It is shown that there is a relation between the piezoelectric modulus and the rate of change of the current envelope at the beginning of the transient. Theoretical relations are derived. __________ Translated from Izmeritel’naya Tekhnika, No. 10, pp. 71–72, October, 2006.     

Coulomb explosion following electronic excitation in ion-solid interaction

In atomic collisions in solids by the ions with very strong electronic interaction, it is confirmed that the atomic displacement process is enhanced by electronic excitation. Two experimental results are introduced as examples. The first is the columnar defect formation in a cuprate superconductor Bi₂Sr₂CaCu₂O_x which is irradiated with 3.5 GeV Xe ions, the second is sputtering induced by highly charged ion (HCI) bombardment (Xe^q+; q=15-44). Since there are some indications to show that these phenomena might be the outcome of the Coulomb explosion process, we tried to make a molecular dynamics simulation of the sputtering process based on this Coulomb explosion mechanism. Good agreement between the simulation and experiment was found. For sputtering of electrically conductive materials, the importance of neutralization dynamics of the HCI and the highly charged region in the solid materials was indicated.     

DC-DC变换器中双开关网络的平均模型及其应用

根据电感上电流的断续情况,开关变换器可以工作在连续导电模式(CCM)和断续导电模式(DCM).开关网络的等效变比μ(t)可以被认为是CCM开关网络占空比d(t)的另一种表达式.因此,以CCM变换器为例的模型结果还可以用在其他工作模式,甚至可以使用于其他结构的变换器,需要处理的只是用μ(t)代替d(t).等效变比可以用作判断工作模式的标准.在这个仿真电路中,用平均开关模型子电路CCM-DCM代替了由功率场效应功率管和二极管组成的开关网络.