铁电材料用于阴极发射的研究

铁电材料作为一种新型的阴极材料，具有真空要求低、制作简单、功函数低、响应速度快等特点。本文讨论了铁电阴极发射的机理，回顾了主要铁电阴极材料的发射实验，包括低电压铁电发射实验，最后对铁电阴极材料的应用做了讨论和展望。     

线路重合闸投退方式的研究

从架空线、电缆线在单电源和双电源情况下进行重合闸装置的投退分析,重点考虑架空线与电缆线的混合线路重合闸,得出的结论可为电力相关部门在决策和实施上提供一点借鉴。     

国产亚临界600MW空冷机组单阀-顺序阀切换试验研究

本文通过必要的理论分析和试验研究,解决了本厂的两台亚临界600 MW空冷机组在单阀—顺序阀切换时出现的负荷波动大等问题.同时,这对于分析并解决同类以及其他类型的机组在单阀-顺序阀切换时出现的一些问题,也具有一定的借鉴意义;以确保机组长期安全、稳定、经济的运行,响应国家“节能减排”的政策.     

切换式红外三视场光机组件的设计

针对切换式红外三视场光学系统的需求提出了一种新型的机械传动设计方案,采用直流微电机配合直齿轮-锥齿轮以及凸轮运动的方式实现三视场的切换功能,具有结构简单、切换快速、可靠性和定位精度高等特点。     

一种谐振式DC/DC变换器的设计与研究

介绍了一种谐振式DC/DC变换器,其功率开关的驱动信号由一个回路中的变压器次级绕组电感、电容、稳压管谐振获得.该变换器可产生瞬间的高电压和大电流脉冲,其结构简单,成本低廉.分析了该变换器的工作原理;讨论了其设计过程.该变换器的仿真和试验结果验证了所提出的电路拓扑结构的正确性和可靠性.     

MPLS体系、性能及应用

就MPLS的产生背景，MPLS标签，MPLS流量工程，MPLS VPN应用等展开叙述，MPLS的问世可以保证如语音传送，视频服务，多媒体信息服务传输等应用业务按各应用的特性正确予以传送。MPLS网络中数据的传输告标签引导，标签是固定长度的，无结构的值，采用MPLS流量工程可以避免引起网络阻塞，为用户提供更好的服务。在Cisco IOS网络中，MPLS虚拟专用网提供了发展和管理第3层VPN骨干服务的能力。     

货运列车自适应模型平滑切换及节能优化研究

为了使货运列车运行过程切近实际,提出了一种基于加速度自适应的货运列车质点模型平滑切换方法。首先,建立列车的单质点和多质点模型,基于扰动加速度偏差变化率进行列车多模型的自适应切换研究。然后,为了降低大功率机车牵引电机的工作能耗,引入货运列车牵引控制的多目标和约束条件,建立了多目标优化模型,并提出一种新型的多目标飞蛾扑火(MOMFO)算法用于优化货运列车运行过程。最后,采用HXD1型电力机车牵引50节C80货车作为研究对象,通过仿真验证了所提方法对货运列车牵引电机节能及运行过程优化具有重要意义。     

600MW汽轮机运行方式切换中产生负荷扰动的原因

某600 MW超临界汽轮机组在由单阀运行切换至顺序阀运行时引起负荷、主汽压波动,造成轴承温度和振动超限,对阀门切换实现方法和阀位-流量特性进行了分析,将调节门开启顺序改变为1号+2号→3号→4号方式,并延长了切换时间,使机组在顺序阀控制方式下能安全稳定运行,降低了机组煤耗。     

Formation polarity dependent improved resistive switching memory characteristics using nanoscale (1.3 nm) core-shell IrOx nano-dots

ABSTRACT: Improved resistive switching memory characteristics by controlling the formation polarity in an IrOx/Al2O3/IrOx-ND/Al2O3/WOx/W structure have been investigated. High density of 1 × 1013/cm2 and small size of 1.3 nm in diameter of the IrOx nano-dots (NDs) have been observed by high-resolution transmission electron microscopy. The IrOx-NDs, Al2O3, and WOx layers are confirmed by X-ray photo-electron spectroscopy. Capacitance-voltage hysteresis characteristics show higher charge-trapping density in the IrOx-ND memory as compared to the pure Al2O3 devices. This suggests that the IrOx-ND device has more defect sites than that of the pure Al2O3 devices. Stable resistive switching characteristics under positive formation polarity on the IrOx electrode are observed, and the conducting filament is controlled by oxygen ion migration toward the Al2O3/IrOx top electrode interface. The switching mechanism is explained schematically based on our resistive switching parameters. The resistive switching random access memory (ReRAM) devices under positive formation polarity have an applicable resistance ratio of > 10 after extrapolation of 10 years data retention at 85°C and a long read endurance of 105 cycles. A large memory size of > 60 Tbit/sq in. can be realized in future for ReRAM device application. This study is not only important for improving the resistive switching memory performance but also help design other nanoscale high-density nonvolatile memory in future.