全文获取类型
收费全文 | 28556篇 |
免费 | 1977篇 |
国内免费 | 2168篇 |
专业分类
电工技术 | 911篇 |
综合类 | 1636篇 |
化学工业 | 6802篇 |
金属工艺 | 3263篇 |
机械仪表 | 1982篇 |
建筑科学 | 483篇 |
矿业工程 | 198篇 |
能源动力 | 1514篇 |
轻工业 | 1828篇 |
水利工程 | 101篇 |
石油天然气 | 579篇 |
武器工业 | 144篇 |
无线电 | 4312篇 |
一般工业技术 | 6947篇 |
冶金工业 | 725篇 |
原子能技术 | 482篇 |
自动化技术 | 794篇 |
出版年
2024年 | 130篇 |
2023年 | 343篇 |
2022年 | 555篇 |
2021年 | 675篇 |
2020年 | 744篇 |
2019年 | 647篇 |
2018年 | 641篇 |
2017年 | 868篇 |
2016年 | 857篇 |
2015年 | 853篇 |
2014年 | 1236篇 |
2013年 | 1562篇 |
2012年 | 1707篇 |
2011年 | 2187篇 |
2010年 | 1586篇 |
2009年 | 1714篇 |
2008年 | 1534篇 |
2007年 | 1964篇 |
2006年 | 1870篇 |
2005年 | 1569篇 |
2004年 | 1405篇 |
2003年 | 1200篇 |
2002年 | 1034篇 |
2001年 | 948篇 |
2000年 | 841篇 |
1999年 | 706篇 |
1998年 | 617篇 |
1997年 | 519篇 |
1996年 | 440篇 |
1995年 | 375篇 |
1994年 | 336篇 |
1993年 | 283篇 |
1992年 | 197篇 |
1991年 | 144篇 |
1990年 | 99篇 |
1989年 | 93篇 |
1988年 | 56篇 |
1987年 | 36篇 |
1986年 | 20篇 |
1985年 | 16篇 |
1984年 | 18篇 |
1983年 | 10篇 |
1982年 | 16篇 |
1981年 | 7篇 |
1980年 | 5篇 |
1979年 | 6篇 |
1976年 | 3篇 |
1963年 | 3篇 |
1959年 | 9篇 |
1951年 | 7篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
41.
水溶性防氧化剂在SMT用印制板上的应用 总被引:1,自引:0,他引:1
水溶性的防氧化剂是一种有机可焊性保护剂。其方法是在印制板完全阻焊、字符层的印刷,并经电检之后,通过表面浸渍在裸铜的贴片位或通孔内形成一种耐热性的有机可焊性膜层。这种有机、可焊、耐热的膜层,膜厚可达0.3-0.5mm,其分解的温度可达约300℃,传统的印制板的热风整平法亦无法满足QFP愈来愈密集的需求,同时也无法满足SMD表面平整度的要求,更无法适应PCB薄型化生产。烷基苯并咪唑的OSP法能弥补这项缺陷,因而在PCB业乃至SMT产业中得到了广泛的应用。 相似文献
42.
预处理工艺对硬质合金与金刚石膜间粘结力的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
在两种经不同预处理的硬质合金YG8基底上,采用微波等离子体化学气相沉积法,在微波功率2kW,压强4.0kPa和6.5kPa,CH4和H2流量分别为1.6cm/s和100.0cm/s的条件下生长金刚石薄膜。利用X射线衍射检测了金刚石薄膜是否存在,用拉曼光谱分析了薄膜的质量,用金相显微镜观察了薄膜的洛氏硬度压痕,标定并比较了不同预处理工艺膜与基底的结合力。实验结果表明,不同的预处理方法对于粘结力的影响不大,最主要的因素是钴含量的多少。 相似文献
43.
高质量ZnO薄膜的退火性质研究 总被引:3,自引:0,他引:3
在LP-MOCVD中,我们利用Zn(C2H5)2作Zn源,CO2作氧源,在(0002)蓝宝石衬底上成功制备出皮c轴取向高度一致的ZnO薄膜,并对其进行500℃-800℃四个不同温度的退火。利用XRD、吸收谱、光致发光谱和AFM等手段研究了退火对ZnO晶体质量和光学性质的影响。退火后,(0002)ZnO的XRD衍射峰强度显著增强,c轴晶格常数变小,同时(0002)ZnOX射红衍射峰半高宽不断减小表明晶粒逐渐增大,这与AFM观察结果较一致。由透射谱拟合得到的光学带隙退火后变小,PL谱的带边发射则加强,并出现红移,蓝带发光被有效抑制,表明ZnO薄膜的质量得到提高。 相似文献
44.
Si衬底上Ta-N/Cu薄膜性能研究 总被引:1,自引:0,他引:1
对Si衬底上Ta-N/Cu薄膜进行了电学和热学分析,结果发现500℃以下薄膜电随几乎不变,600-690℃下的退火引起的电阻率降低是由于Ta-N电阻的热氧化和Cu熔化扩散引起的,而690℃以上的电阻率增加是由于Cu引线传输能力减弱所致,为0.18μm以下的超大规模集成电路中的Cu引线和电阻薄膜的制作提供了有益的借鉴。 相似文献
45.
46.
本文对双跨换热器传热管在静水中的结构阻尼与粘滞阻尼作了简介,并对在总阻尼中占主导地位的挤压膜阻尼作了较深入的讨论。Mulcahy 于80年代初提出的挤压膜阻尼数学模型是较为完善的,其缺陷是未计入管子振幅的影响,本文对它进行了修正。为了验证理论分析的结果,笔者对双跨传热管在静水中的挤压膜阻尼作了实验研究,得出挤压膜阻尼与中间支承板厚度、管子-中间支承板间隙以及管子振幅之间的关系。 相似文献
47.
Copolyesters containing poly(ethylene terephthalate) and poly(hexamethylene terephthalate) (PHT) were prepared by a melt condensation reaction. The copolymers were characterised by infrared spectroscopy and intrinsic viscosity measurements. The density of the copolyesters decreased with increasing percentage of PHT segments in the backbone. Glass transition temperatures (Tg). melting points (Tm) and crystallisation temperatures (Tc) were determined by differential scanning calorimetry. An increase in the percentage of PHT resulted in decrease in Tg, Tm and Tc. The as-prepared copolyesters were crystalline in nature and no exotherm indicative of cold crystallisation was observed. The relative thermal stability of the polymers was evaluated by dynamic thermogravimetry in a nitrogen atmosphere. An increase in percentage of PHT resulted in a decrease in initial decomposition temperature. The rate of crystallisation of the copolymers was studied by small angle light scattering. An increase in percentage of PHT resulted in an increase in the rate of crystallisation. 相似文献
48.
NiTi形状记忆薄膜的显微结构和力学性能 总被引:3,自引:0,他引:3
NiTi形状记忆合金薄膜具有形状记忆效应,极有希望用于制造高技术领域微电子机械系统中的微型激发器。NiTi形状记忆合金薄膜在制备和使用过程中需要高品质(衬)底材。本文利用高分辨电子显微学和高分辨分析电子显微学详细研究了硅底材NiTi形状记忆合金薄膜的NiTi/Si和NiTi/SiO2微结构体系,包括薄膜精细结构和界面反应。也研究了其显微结构和力学性能的关系。特别给出了NiTi形状记忆合金薄膜产生疲劳过程的微观过程的起因,通过高达十万个使用热循环前后样品显微结构变化的比较,发现纳米尺度上的TiNi3新相的形成导致疲劳过程的发生。如何抑制TiNi3新相形成的研究正在进行之中,这将为进一步提高NiTi形状记忆合金的使用寿命指出方向。 相似文献
49.
以Zn(C2 H5) 2 和CO2 为反应源 ,在低温下用等离子体增强化学气相沉积方法 ,在Si衬底上外延生长了高质量的ZnO薄膜。用X射线衍射谱和光致发光谱研究了衬底温度对ZnO薄膜质量的影响。X射线衍射结果表明 ,在生长温度为2 3 0℃时制备出了高质量 ( 0 0 0 2 )择优取向的ZnO薄膜 ,其半高宽为 0 2 6°。光致发光谱显示出强的紫外自由激子发射与微弱的与氧空位相关的深缺陷发光 ,表明获得了接近化学配比的ZnO薄膜 相似文献
50.