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为实现InP基单片集成光电子器件和系统,对InGaAsP/InGaAsP分别限制异质结多量子阱激光器结构展开量子阱混杂(QWI)技术研究。在不同能量P离子注入、不同快速热退火(RTA)条件以及循环退火下,研究了有源区量子阱混杂技术,实验结果采用光致发光(PL)谱进行表征。实验结果表明:在不同变量下皆可获得量子阱混杂效果,其中退火温度影响最为显著,且循环退火可进一步提高量子阱混杂效果;PL谱蓝移随着退火温度、退火时间和注入能量的增大而增大,退火温度对蓝移的影响最大,在注入剂量为1×10^14 ion/cm2,注入能量为600keV,750℃二次退火150s时获得最大蓝移量116nm。研究结果为未来基于QWI技术设计和制备单片集成光电子器件和系统奠定了基础。 相似文献
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最近十年,微波光子领域的研究在世界范围内吸引了越来越多的兴趣,作为微波光子器件系列的光-微波转换器,扮演了重要的角色。本文提出了一种新型的多量子阱超宽带光-微波变换器的设计构想,介绍了其结构、功能并进行了分析。 相似文献
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Amir Sammak Diego Sabbagh Nico W. Hendrickx Mario Lodari Brian Paquelet Wuetz Alberto Tosato LaReine Yeoh Monica Bollani Michele Virgilio Markus Andreas Schubert Peter Zaumseil Giovanni Capellini Menno Veldhorst Giordano Scappucci 《Advanced functional materials》2019,29(14)
Buried‐channel semiconductor heterostructures are an archetype material platform for the fabrication of gated semiconductor quantum devices. Sharp confinement potential is obtained by positioning the channel near the surface; however, nearby surface states degrade the electrical properties of the starting material. Here, a 2D hole gas of high mobility (5 × 105 cm2 V?1 s?1) is demonstrated in a very shallow strained germanium (Ge) channel, which is located only 22 nm below the surface. The top‐gate of a dopant‐less field effect transistor controls the channel carrier density confined in an undoped Ge/SiGe heterostructure with reduced background contamination, sharp interfaces, and high uniformity. The high mobility leads to mean free paths ≈ 6 µm, setting new benchmarks for holes in shallow field effect transistors. The high mobility, along with a percolation density of 1.2 × 1011cm?2, light effective mass (0.09me), and high effective g‐factor (up to 9.2) highlight the potential of undoped Ge/SiGe as a low‐disorder material platform for hybrid quantum technologies. 相似文献
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分别选取抛物线型限定势阱和高斯函数型限定势阱描写盘状量子点中电子的横向限定势和纵向限定势,采用Pekar类型变分法推导出了电子的基态和激发态能量,并基于费米黄金规则讨论了在磁场作用下电子的跃迁几率。结果表明,高斯函数型限定势阱比抛物线型限定势阱更能精准反映量子点中真实的限定势;量子点的厚度对电子跃迁几率的影响显著;电声耦合强度α、磁场的回旋频率ω_c、抛物线型限定势阱范围R_0、高斯函数型限定势阱的阱深V_0和阱宽L等对电子跃迁几率Q的影响的量度和变化规律方面差异较大。 相似文献
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本文详细比较闪锌矿和纤锌矿GaN/AlN量子阱中Fr?hlich电声子相互作用哈密顿量及极化子性质。采用LLP变分方法计算由界面、局域和半空间声子模导致的基态极化子能移。结果表明,若忽略z方向和x-y平面之间异性的影响,闪锌矿和纤锌矿哈密顿量是一致的。各向异性在窄阱情形对界面声子能移的影响较为明显,而在略宽阱时对局域声子能移影响明显。此外,内建电场对各支光学声子引起的能移的影响较大。 相似文献
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提出P型张应变Si/SiGe量子阱红外探测器(QWIP)结构,应用k·P方法计算应变Si/SiGe量子阱价带能带结构和应变SiGe合金空穴有效质量.结果表明量子阱中引入张应变使轻重空穴反转,基态为有效质量较小的轻空穴态,因此P型张应变Si/SiGe QWIP与n型QWIP相比具有更低的暗电流;而与P型压应变或无应变QWIP相比光吸收和载流子输运特性具有较好改善.在此基础上讨论了束缚态到准束缚态子带跃迁型张应变p-Si/SiGe QWIP的优化设计. 相似文献
79.
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本文报道了4—300K温度范围内量子阱宽度分别为20、40、90和130A的GaInAs/AlGaAs应变量子阱结构的光荧光特性。我们考虑量子尺寸对载流子子能带的影响和弹性应变引起带隙的移动,计算了量子阱中本征激子发光的能量位置,计算值与实验结果基本吻合。还研究了荧光峰强度随阱宽的变化以及不同温度下荧光峰的半高宽度。 相似文献