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Thermal barrier coatings (TBC) are widely used to prevent transient high temperature attack and allow components high durability. Due to strong inhomogeneous material properties the TBC failure often initiates near the interface between the brittle oxide layer and the ductile substrate. A reliable prediction of the TBC failure requires detailed information about the crack tip field and the consequent fracture criteria. In the present paper both cohesive model and gradient plasticity are used to simulate the failure process and to study interdependence of the interface stress distribution with the specific fracture energies. Computations confirm that combination of the two models is able to simulate different failure mechanisms in the TBC system. The computational model has the potential to give a realistic prediction of the crack propagation process. 相似文献
143.
一种新型的多功能照相胶片影像质量评价方法 总被引:1,自引:0,他引:1
本设计了一种新型的多功能照相胶片感光性能和影像质量评价方法。这种方法的主要特点的快速、方便并有满足 实用要求的精确度。该方法仅使用一个测试标板,就可以很容易地测定出照相胶片的感光性能、分辨率、均方根粒度和密度振幅响应(DAR)值等多种表征影像质量的参数。本简要介绍该方法并给出试验结果及其与传统测试方法的比较和讨论意见。 相似文献
144.
数字水印技术的发展为解决图像认证和完整性保护问题提供了新的思路。对用于篡改检测和图像认证的水印技术做了综述。数字水印技术根据其识别差错的能力分为四种类型:易损水印、半易损水印、混合水印和自嵌入水印。最后还对水印认证技术的安全性问题进行了讨论。 相似文献
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在文献[1]的基础上,提出几个改进的模糊加权平均滤波器。本文的方案不仅同时考虑了相邻像素对中心像素的兼容性以及中心像素对相邻像素的兼容性,而且还考虑到了权系数对局部环境的适应性。实验结果表明,该方法相比文献[1]中的模糊加权平均滤波器以及标准的均值滤波器、中值滤波器在噪声消除与边缘保留方面具有更好的性能。 相似文献
150.
P. G. Muzykov Y. I. Khlebnikov S. V. Regula Y. Gao T. S. Sudarshan 《Journal of Electronic Materials》2003,32(6):505-510
To establish fast, nondestructive, and inexpensive methods for resistivity measurements of SiC wafers, different resistivity-measurement
techniques were tested for characterization of semi-insulating SiC wafers, namely, the four-point probe method with removable
graphite contacts, the van der Pauw method with annealed metal and diffused contacts, the current-voltage (I-V) technique,
and the contactless resistivity-measurement method. Comparison of different techniques is presented. The resistivity values
of the semi-insulating SiC wafer measured using different techniques agree fairly well. As a result, application of removable
graphite contacts is proposed for fast and nondestructive resistivity measurement of SiC wafers using the four-point probe
method. High-temperature van der Pauw and room-temperature Hall characterization for the tested semi-insulating SiC wafer
was also obtained and reported in this work. 相似文献