SJ—YⅡ—5型高爆速高威力水胶炸药的研制

文章简要分析了我国目前在中硬岩石爆破中工业炸药的使用情况，介绍了山西兴安化学材料厂新研制的一种适用于硬岩爆破的高爆速、高威力水胶炸药新品种，对其性能、爆破效果、经济实用性和安全性等进行了阐述。     

永定新河河口潮流动力及泥沙特征初步分析

依据永定新河河口１９９７年潮汐观测资料及河道１９９０～１９９７年潮汐观测资料，通过实测资料的整理分析，初步揭示了永定新河河口潮流动力及泥沙特征，为河道的治理规划提供了科学的依据。     

一种改进的交错脉冲解速度模糊方法

研究了脉冲多普勒气象雷达中用于解速度模糊的交错脉冲方法，理论分析了时域脉冲对处理中速度估计公式的局限性，同时对该公式进行了修正。仿真结果表明，改进的交错脉冲方法具有更好的解速度模糊性能，而且易于实时处理。     

Constant thrust programming for a multistage rocket flown in vacuum with a given initial/final thrust-to-weight ratio in an arbitrary stage

The burn time and burnout velocity of a multistage rocket flown vertically in vacuum with constant thrust tangential to the flight path and a prescribed initial/final thrust-to-weight ratio in an arbitrary stage have been determined. The present paper also deals with optimal staging under given conditions of flight.     

建立速度模型的层析成像方法研究

针对目前叠前深度偏移速度模型建立中，全局反演的层析成像方法存在稳定性和走时拾取困难，以及局部反演的偏移速度分析大多存在假设条件过于苛刻等问题，通过分析，提出了利用地震同相辅的多种信息进行层析反演，并在反演中加入富有地质含义的倾角信息以增加反演过程的稳定性和收敛速度，利用类似于叠加速度谱的斜率速度谱来拾取地震同相轴的斜率，抛开了层位反演要求拾取同一同相轴这一实际应用难度很大的条件，使拾取方便，算法稳定。通过理论试算，证明了本方法的有效性。     

黄河龙青段主要环境工程地质问题分析思路

介绍了黄河上游龙青段主要环境工程地质问题的分析思路，以达到抛砖引玉，交流和提高电工程地质勘测水平的目的。     

复杂地区三维叠前时间偏移技术的应用

在常规地震数据处理过程中，反射波的偏移成像是基于地震数据的共深度点或共中心点叠加技术进行的，在地下地质构造相对复杂的地区，由于叠加过程的引入，导致了一些来自于大倾角地层或细微地质现象产生的地震反射信息的畸变或损失，而目前在算法上已经较为成熟的叠前偏移成像技术，便弥补了叠后偏移成像的不足，特别是在山前复杂构造区带，叠前偏移不仅能够使反射波准确成像，而且能够改善地震数据的信噪比和分辨率。     

一种在Kalman滤波中引入径向速度测量的新方法

研究在距离和径向速度测量噪声统计相关的情形下把径向速度测量引入Kalman滤波的新方法。分析了径向速度测量噪声与位置测量更新后状态滤波误差的统计相关性,根据Gauss-Markov定理导出了对应于径向速度测量的滤波方程由此而得到一种序贯滤波算法。两个不同的蒙特卡罗仿真表明,通过采用这一新算法引人径向速度测量,不仅可以大大提高状态估计的精度,而且其估计性能和计算效率优于传统的EKF。     

首钢外购焦炭质量恶化后的高炉生产实践

针对焦炭质量劣化的状况，高炉操作以活跃炉缸为主，从上下部调剂入手，采取疏导煤气、控制合理的实际风速和鼓风动能、缓解焦炭在高温区的粉化等措施，有效地改善了高炉的顺行状况，并逐步恢复高炉指标。     

Study of impurity induced modifications in amorphous N-type (GeSe3·5)100−x Bi x using high pressure technique

The technique of high pressure is utilized to study the carrier transport behaviour in doped and undoped bulk amorphous (GeSe_3·5)_100−x Bi _x (x=0, 2, 4, 10) down to liquid nitrogen temperature to observe impurity induced modifications in amorphous semiconductors. It is observed that pressure induced effects in lightly doped (2 at % Bi) and heavily doped (x=4, 10) semiconductors are markedly different. Results are discussed in view of the incorporation behaviour of the bismuth impurity.