中空夹层金属管混凝土构件侧向冲击试验研究

为提高海洋平台结构的抗冰能力,提出一种新型中空夹层金属管混凝土导管腿构件。通过理论分析、数值模拟和试验相结合,研究不同外钢管材料（Q345钢、奥氏体304级不锈钢和T6061铝合金）对中空夹层钢管混凝土构件的影响。通过单次冲击和连续冲击两种加载方式进行加载,并与钢质空心导管腿进行对比,试验结果发现：组合构件抗冲击性能优于空管构件,铝合金组合构件整体抗冲击能力较差,不锈钢单次冲击作用下极限承载能量高达18.83 kJ以上,小能量连续冲击作用下承载冲击次数最多,不锈钢组合构件抗冲击力学性能最好。结合有限元ABAQUS软件,对单次冲击构件建模并得出计算结果,与试验结果基本吻合。     

抗温抗污染油基钻井液乳化剂的研制及在阳101区块的应用

针对页岩气地层埋深不断增加和其它工作液因施工不当侵入油基钻井液体系中导致其性能下降,且目前市场上的乳化剂不能很好的解决此问题,开展抗温抗污染乳化剂的研究。以天然松香酸、多烯多胺、马来酸酐为主要原料,通过酰胺化、Diels-Alder两步法反应合成一种抗高温抗污染乳化剂NY-4。对NY-4进行结构表征、性能评价及机理分析。红外图谱分析表明松香酸、多烯多胺及马来酸酐均参与了反应,使乳化剂具有抗高温抗污染结构基团。乳化剂加量为3%～5%时可配制出油水比为60:40至90:10、密度为1.50～2.71 g/cm3的油基钻井液,该剂配出的油基钻井液抗温可达230℃;密度为2.3 g/cm³时,在230℃下静置5 d,沉降因子SF小于0.51;抗岩屑污染为10%,抗现场水基钻井液、水泥浆前置液和水泥浆侵污为8%。通过在阳101H2-8井的应用,该乳化剂能够在185℃温度下保持钻井液性能的稳定,协助钻井工程刷新了当时中国石油页岩气井深、储层埋深4 000 m以深水平位移最长两项记录。     

面向高速应用的GaN基HEMT器件

工作在毫米波、亚毫米波频段的固态功率放大器可广泛应用于无线通信、汽车雷达等电子系统。氮化物材料具备禁带宽度大、电子速度高等特点,使得GaN 基HEM T 器件成为面向高频器件和高速数字电路等高速应用的理想候选器件。但是为实现更佳的器件指标,仍需要进行多层次的设计和优化。重点讨论了面向高速应用的GaN 基器件所面临的挑战,如载流子限域性、电子速度以及在等比例缩小规律下的导通电阻等问题。分析表明,这些问题的解决将使GaN 基器件在高速、高频等领域得到广泛应用。     

An improved temperature-dependent large signal model of microwave GaN HEMTs

Accurate modeling of the electrothermal effects of GaN electronic devices is critical for reliability design and assessment. In this paper, an improved temperature-dependent model for large signal equivalent circuit modeling of GaN HEMTs is proposed. To accurately describe the thermal effects, a modified nonlinear thermal sub-circuit which is related not only to power dissipation, but also ambient temperature is used to calculate the variations of channel temperature of the device; the temperature-dependent parasitic and intrinsic elements are also taken into account in this model. The parameters of the thermal sub-circuit are extracted by using the numerical finite element method. The results show that better performance can be achieved by using the proposed large signal model in the range of -55 to 125℃ compared with the conventional model with a linear thermal sub-circuit.     

基于StrongARM SA1100的嵌入式系统中触摸屏驱动设计

触摸屏控制器简化了对触摸屏的控制,但他采用串行通信,这样触摸屏控制器的转换精度越高,从他读出触摸点坐标值所花的时间就越多。为了减少这种时间,以一个基于StrongARM SA1100的嵌入式系统应用实例介绍了一种典型的电阻式触摸屏并行通信硬件驱动电路以及在此基础上的软件驱动程序设计方法和流程。有利于操作系统对触摸屏的控制。     

印制电路板应变测量用应变片选用方法研究

应变测量由于它的众多优点在电子产品可靠性领域的应用越来越广泛,但电阻应变片的类型繁多,功能各异,以至于使用者很难找到满足自己测试目的和测试环境的应变片。文章提出的选用方法从应变片种类、敏感栅材料、基底材料、电阻值、尺寸、敏感栅结构型式和测试量境温度等方面,综合考虑并结合生产商的应变片型号编码系统,可以快捷地找到适合的印制电路板应变测量用应变片,同时针对绝大多数电子制造商不具备专业应变片检定设备的现实,介绍了一套简单可行的应变片检定工具,并通过两个实例证明该检定方法的可行性。     

提高连杆-活塞销摩擦副耐磨性的优化设计

对现有R600a冰箱压缩机连杆-活塞销摩擦副存在的严重磨损现象进行分析,提出通过改进活塞销的设计结构、热处理工艺来改善连杆-活塞销摩擦副的润滑状态,提高耐磨性,避免连杆-活塞销摩擦副出现导致压缩机性能恶化的现象.     

山区弱电系统的接地设计与降阻措施探讨

通过对山区弱电系统在接地上普遍存在的土壤电阻率高,可用场地小,地势险峻、地形复杂等因难因素的分析;讨论了山区弱电系统在接地设计和降阻改造的措施。提出了综合地利用自然接地体,在适当地区设置外延接地及沿道路外延降阻方法。通过分析、讨论认为只要充分采取合理、有效的降阻措施,是能够有效降低山区弱电系统的接地电阻,保证弱电系统安全运行。     

纳米铁酸锌(ZnFe2O4)的表面改性

采用化学修饰方法,以二氧化硅为内层修饰材料,r-氨丙基三甲氧硅烷(APS)偶联剂为外层修饰材料,对磁性ZnFe2O4纳米粒子进行了双层修饰。并采用XRD、IR、Zeta电位对未包裹粒子,二氧化硅包裹的磁纳米粒子,APS和二氧化硅双层包修饰的纳米磁粒进行表征。同时也比较了三种粒子的耐酸性能。结果显示硅包裹的纳米磁粒Zeta电位明显向酸性方向移动,而双层的纳米磁粒Zeta电位向碱性方向移动。包裹的纳米磁粒在pH2.0的酸中具有很好的耐酸性能,而未处理的纳米粒子在酸溶液中发生了溶解。     

基于插入WO3缓冲层并五苯有机场效应晶体管性能的研究

The pentacene-based organic field effect transistor （OFET） with a thin transition metal oxide （WO3） layer between pentacene and metal （AI） source/drain electrodes was fabricated. Compared with conventional OFET with only metal AI source/drain electrodes, the introduction of the WO3 buffer layer leads to the device performance enhancement. The effective field-effect mobility and threshold voltage are improved to 1.90 em2/（V.s） and 13 V, respectively. The performance improvements are attributed to the decrease of the interface energy barrier and the contact resistance. The results indicate that it is an effective approach to improve the OFET performance by using a WO3 buffer layer.