深亚微米MOSFET衬底电流的模拟与分析

利用器件模拟手段对深亚微米ＭＯＳＦＥＴ的衬底电流进行了研究和分析，给出了有效的道长度，栅氧厚度，源漏结深，衬底掺杂浓度以及电源电压对深亚微米ＭＯＳＦＥＴ衬底电流的影响，发现电源电压对深亚微米ＭＯＳＦＥＴ的衬底电流有着强烈的影响，热载流子效应随电源电压的降低而迅速减小，当电源电压降低到一定程度时，热载流子效应不再成为影响深亚微米ＭＯＳ电路可靠性的主要问题。     

连续梁的简便计算

利用三转角方程，对连续梁的内力进行精确的计算，该方法简捷明了，便于应用。     

L－B膜修饰电极循环伏安行为模拟──（Ⅰ）电荷转移速度常数对循环伏安性能的影响

本文用计算机数字模拟方法研究了电活性分子多层Ｚ型Ｌ－Ｂ膜修饰电极的循环伏安行为。计算了电极与修饰Ｌ－Ｂ膜分子第一层之间的电荷转移速度常数Ｋ_ｏ，Ｌ－Ｂ膜分子层间的电荷转移速度常数ｋ_ｉ；对峰电位差△Ｅ_ｐ及阳极峰面积Ｑ的影响，以及在不同条件下各层分子的氧化态分数随扫描时间的变化。为研究和设计电活性分子修饰电极的实际体系提供了大量数据和信息。     

冶金过程中复杂夹杂物和钢液化学平衡计算

本文提出一个同温冶炼过程中预测非金属夹杂物沉淀的计算机程序。本研究中，多元硅酸盐溶体的Ｇｉｂｂｓ自由能由基于统计热力学的晶胞模型来计算，该晶胞模型按照氧与周围的阳离子构成的对称和非对称晶胞来描述硅酸盐熔体结构，假定高温冶炼时认与非金属夹杂物平衡，钢液中氧化物元素的活度由Ｗａｇｎｅｒ交互作用系数来计算，利用本程序可以估计炼钢时沉淀的非金属氧化物的成分，为调整冶炼工艺和提高产品质量提供指导，进一步可计     

单片机仿真系统

本文讨论单片机离线仿真系统的设计方法，其关键技术是：单片机硬件系统（ＲＡＭＲＥＧＩＳＴＥＲＳ）仿真，指令系统仿真，中断系统仿真，应用系统硬件仿真。     

一种基于阵列式触觉传感器的主动触觉搜索方法及仿真

本文在一种二指节手指模型的基础上，提出了一种新的主动触觉搜索策略和方法，综合利用阵列式触觉传感铭的输出图象来不断改变机械手的姿态，从而依次有序地搜索到三维物体的特征点，并据此生成物体的三维图形。此外还讨论了上述方法的计算机仿真实现。     

模拟信号的恢复及其误差研究

数模混合仿真中模拟信号的恢复及其误差对整个仿真过程具有重要影响。本文探讨了用零阶保持和一阶保持进行信号恢复的方法，比较了它们的误差及工作特点。特别指出了一阶保持中，由于存在积分器复原时间及数字机操作时间的影响而会带来附加的误差，因此一阶保持方法较难达到其理论的精度。     

给水流量控制系统仿真辅助设计

本文将给水流量系统规范化，给出静、动态数学模型，通过计算机仿真计算建立起设计参数Ｓ与系统特性间关系数据库，这些数据可用于控制系统辅助设计。本文还介绍了在Ｓ较小时自动补偿系统增益和时间常数的自适应控制方法并给出仿真结果。     

专用汉字库在仿真系统中的应用

本文介绍了一种专用汉字库的建立与管理方法，由该方法建立的汉字库具有使用灵活、维护方便、占用内存少、显示速度快等特点。它不仅用于计算机仿真系统，也可用于其它计算机应用系统。     

弹道靶道测量精度检测方法之探讨

该文分析了弹道靶道测量中的精度问题及通常使用的静态检测方法,并针对静态检测与靶道实测相差甚远的问题,提出了一种动态检测方法.该方法充分考虑到弹道靶道的测量对象是高速飞行体以及照片质量、气流附面层、发射时的恶劣环境和振动等因素对测量精度的影响,结合误差理论,给出了动态精度的计算公式,在已建成的IB-12中间弹道靶道中应用,效果良好.