有限流保护功能的霍尔电流传感器

简单介绍了闭环式霍尔电流传感器的工作原理,在其基础上提出了一种限流保护电路,使得霍尔电流传感器原边电流过载时输出电流钳位,保障其满足3倍甚至更高倍过载要求,并通过了试验验证.     

短波自适应数据传输中的差错控制浅析

探讨在短波数字通信网络中的自适应差错控制系统,对第二代ＡＬＥ（２＾ｎｄＡＬＥ）和第三代ＡＬＥ（３＾ｒｄＡＬＥ）系统中的差错控制系统进行计算机仿真,并分析它们在相同通信条件下性能的优劣。     

高压LDMOS场极板的分析与设计

场板是高压LDMOS中普遍使用的一种结终端技术,对单阶梯LDMOS场板的长度、其下方氧化层厚度以及场氧侵蚀厚度等参数进行了模拟和分析,在此基础上设计了一种新型体硅双阶梯场板LDMOS,并对其具体参数进行了细致的模拟和分析.模拟结果表明,双阶梯场板LDMOS的击穿电压比单阶梯场板LDMOS提高了15.3%,导通电阻降低了17.1%,电流驱动能力也提高了8.5%.     

An Energy Efficient Transmission Scheme for OFDM Systems in LTE

In orthogonal frequency division multiplexing （OFDM） systems, for given total transmit power, insertion of the non- information bearing cyclic prefix （CP） will reduce the effective energy per information bit. Generally, the energy loss is proportional to the ratio of CP length to the symbol duration. If the CP is too long, the energy loss will be considerable high. In this paper, we propose an energy efficient transmission scheme for OFDM systems in Long Term Evolution （LTE） which is developed based on reduction of the CP energy. Simulation results show that the proposed method can save up to about 10% of the total energy, while keeping almost the same bit-error-rate （BER） performance in some applications.     

变压器励磁电流空载电流和磁化电流辨析

阐述了变压器励磁电流、空载电流和磁化电流这三个密切相关的电流瓣物理意义,分析了它们之间的关系和概念上的区别。     

关于提高变频器调频速度的研究

本文介绍了作者的一项专利技术。对于需要比较快速、比较频繁地调整变频器频率应用场合,目前的通用变频器就很难满足这个需要,尤其是在大惯性负载上使用变频器时,须将升、降频（特别是降频）速度设置的比较慢,以适应由于惯性造成的电机转速的滞后。本专利技术克服上述传统变频器目前存在的缺陷,在传统变频器上增加比较简单并业已成熟的换相技术,为变频器的制造提供了一种新的附加技术。     

关于我国峰谷分时电价的若干问题研究

对我国部分地区峰谷负荷分时电价作了一些探讨性的研究，尤其对峰谷分时电价的理论形成基础，在试行过程中所存在的问题提出了个人看法。     

一种CDMA EVDO系统负荷算法的优化设计

CDMA EVDO系统是一种高速数据传输系统,数据传输本身具有传输突发性和传输速率波动大的特点.同时,由于CDMA EVDO系统前向采用满功率时分复用方式,只有反向采用码分复用方式,所以对于链路负荷的控制只集中在反向链路过载控制上面.针对数据系统,负荷控制算法的难点在于反向链路数据的突发性对系统造成的干扰,以及如何平衡系统吞吐量与抑制反向干扰.针对现有负荷算法自身的特点,文中设计了多条件下的对比测试实验,通过对测试数据进行分析,结合现有算法设计文中提出了一种切实可行的优化负荷算法,能够弥补现有负荷控制算法的不足.     

高效率基站Doherty功放的研究

随着无线通信系统的发展,人们对数据和信息的需求在不断的增加。功率放大器作为通信系统中最重要的模块之一,功放的性能对整个系统性能的影响至关重要。面对高速增长的移动数据业务和频谱资源短缺的威胁,高峰均比（PAR）的调制方式不断出现,如OFDM调制方式,这就对功放的线性度提出了较高的要求。为了保证信号的线性度,一般采用功率回退的方法来实现。以NXP公司的140W晶体管为模型,在ADS仿真软件中设计对称Doherty仿真电路。设计完成的功放电路能够在6dB功率范围内保持高效率工作。     

LED用非极性GaN外延膜的制备技术进展

GaN是实现白光LED的关键材料。GaN外延膜通常沿极性c轴生长,基于极性GaN的LED有源层量子阱中由于强内建电场的存在而导致器件发光效率降低,而沿非极性面生长的GaN外延膜可以改善或消除极化效应导致的辐射复合效率降低和发光波长蓝移等问题。文章总结了非极性GaN外延膜的制备技术及研究进展,包括平面外延技术和横向外延过生长技术,指出开发非极性GaN自支撑衬底、发展非极性GaN的横向外延生长技术是制备低位错密度非极性GaN的研究方向。