丙烯腈装置回收塔内聚合物生成原因的分析

针对丙烯腈生产过程中回收塔内聚合物堵塞降液管造成回收塔运行周期短的问题,通过对丙烯腈回收塔内各组分分布的模拟计算,直观显示了回收塔内各组分的浓度分布,发现了回收塔的聚合段与丙烯醛的富集段相吻合的现象,初步得出了回收塔内局部聚合的原因;通过对塔内聚合物的特性分析和评判,进一步证实了“回收塔内局部聚合严重是由于在聚合段丙烯醛聚集引起”这一现象;根据模拟计算结果和实际运行经验,提出了预防聚合物堵塞降液管的措施,并进行了部分生产验证,为丙烯腈生产企业延长装置运行周期提供了理论指导。     

扬声器系统时域结构系数的仿真

从扬声器系统的等效类比线路出发,得出了阻抗特性Z(jω)的表达形式及其曲线。采用全面最小二乘法识别扬声器系统的时域函数的全套系数,从而测出扬声器系统的低频特性参数。以计算机仿真技术为基础,通过MATLAB和EWB软件进行系统模拟分析仿真,得到扬声器系统的阶跃响应、阻抗曲线等特性。     

SIMPLIS环境中开关电源集成电路控制器模型的开发及应用

介绍现代开关电源行业仿真工作的意义和现状,以及专用仿真软件包SIM etrix/SIMPLIS的优点和不足。通过实例给出SIMPLIS环境中集成电路控制芯片的建模过程,并就其中的关键技术予以简单讨论。     

彩色AC-PDP运动图像仿真系统的开发

开发了彩色AC-PDP运动图像仿真系统,通过利用本系统的运动图像仿真功能可以对现有的各种显示技术、与子场有关的各种因素进行仿真及比较,为人们开发提高彩色AC-PDP图像显示质量的新型技术及子场提供了理论上的依据;通过利用本系统的Gamma特性研究功能可以对彩色AC-PDP中视频信号的反Gamma特性进行研究,并对反Gamma相关编码进行子场逼近,为选择符合要求的子场编码提供了判据.     

连续波半主动雷达制导空空导弹截获跟踪距离计算

分析了连续波半主动雷达制导导弹导引头工作电磁环境和对武器系统攻击区的影响，建立了热噪声和杂波干扰环境下导引头截获距离方程，分析推导了直波泄漏干扰，地杂波干扰的计算公式，并在此基础上给出了导弹允许攻击区计算公式。     

miPP/ziPP共混体系的流动性能

首次对茂金属聚丙烯(miPP)／齐格勒-纳塔聚丙烯(ziPP)共混体系的流动性进行了系统的研究。研究发现，在miPP／ziPP共混体系中，miPP含量的变化改变了共混体系的相结构，这种相结构会随着温度和剪切速率的变化而产生明显的变化，从而改变了体系的流动性能，且该共混体系在不同剪切速率下的流动曲线可以分别通过两个模型进行模拟。     

利用整合区域特性约束提高孔隙率模拟精度

本文将空间结构变化的要求与动态资料确定的储量共同作为约束,建立了包含两个约束条件的目标函数, 应用模拟退火算法对孔隙率的空间分布进行预测。在实现过程中,通过初始控制参数的给定及目标函数修改提高了运算效率。由于目标函数有效地整合了静、动态信息,从而降低了模拟结果的不确定性．提高了模拟的精度。合成数据及实际数据的模拟试验表明,整合区域特性约束不仅提高了孔隙率模拟精度,而且算法收敛快、稳定性高。     

有限元技术在数值试井中的应用

分析了试井技术的发展趋势，对有限元分析技术及其发展作了较为全面的介绍，重点阐述了利用有限元技术进行三维建模的方法和步骤，尤其是对复杂的非对称边界和非均质油藏的建模方法和技巧进行了深入探讨。利用数值试井技术，石油工程师可以方便准确地对复杂油藏和边界进行建模，试井的模拟过程和油藏任意位置的压力瞬间变化都可以通过图形和颜色的变化显示出来，解释的精度和速度都得到了大大地提高。     

Progressive damage modelling of SMC composite materials

The present work deals with the modelling of damage behaviour for sheet moulding compound (SMC) composite materials using a finite element analysis package. Specifically, a comparison is made between the results obtained experimentally for a three-point bending test, and those obtained from numerical simulation using a material model already implemented. The simulation has been performed for the material models available within the PAM-CRASH software. The simulation results are compared and validated with respect to experimentation.     

Flash器件中氧化硅/氮化硅/氧化硅的特性

对普遍采用的氧化硅/氮化硅/氧化硅( ONO)三层复合结构介质层的制备工艺及特性进行了研究分析,研究了ONO的漏电特性以及顶氧( top oxide)和底氧( bottom oxide)的厚度对ONO层漏电的影响.结果表明,采用较薄的底氧和较厚的顶氧,既能保证较高的临界电场强度,又能获得较薄的等效氧化层厚度,提高耦合率,降低编程电压.