全文获取类型
收费全文 | 24119篇 |
免费 | 2868篇 |
国内免费 | 1480篇 |
专业分类
电工技术 | 1064篇 |
综合类 | 1531篇 |
化学工业 | 5834篇 |
金属工艺 | 3373篇 |
机械仪表 | 816篇 |
建筑科学 | 151篇 |
矿业工程 | 366篇 |
能源动力 | 443篇 |
轻工业 | 3744篇 |
水利工程 | 29篇 |
石油天然气 | 401篇 |
武器工业 | 218篇 |
无线电 | 3380篇 |
一般工业技术 | 3479篇 |
冶金工业 | 1560篇 |
原子能技术 | 1430篇 |
自动化技术 | 648篇 |
出版年
2024年 | 116篇 |
2023年 | 507篇 |
2022年 | 835篇 |
2021年 | 917篇 |
2020年 | 990篇 |
2019年 | 923篇 |
2018年 | 871篇 |
2017年 | 1008篇 |
2016年 | 952篇 |
2015年 | 904篇 |
2014年 | 1276篇 |
2013年 | 1582篇 |
2012年 | 1681篇 |
2011年 | 1819篇 |
2010年 | 1303篇 |
2009年 | 1407篇 |
2008年 | 1243篇 |
2007年 | 1683篇 |
2006年 | 1492篇 |
2005年 | 1205篇 |
2004年 | 1082篇 |
2003年 | 882篇 |
2002年 | 642篇 |
2001年 | 547篇 |
2000年 | 469篇 |
1999年 | 400篇 |
1998年 | 301篇 |
1997年 | 271篇 |
1996年 | 237篇 |
1995年 | 168篇 |
1994年 | 150篇 |
1993年 | 137篇 |
1992年 | 115篇 |
1991年 | 89篇 |
1990年 | 58篇 |
1989年 | 42篇 |
1988年 | 31篇 |
1987年 | 13篇 |
1986年 | 13篇 |
1985年 | 16篇 |
1984年 | 9篇 |
1983年 | 6篇 |
1982年 | 32篇 |
1981年 | 24篇 |
1979年 | 4篇 |
1978年 | 4篇 |
1977年 | 2篇 |
1976年 | 2篇 |
1959年 | 1篇 |
1951年 | 4篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
21.
生物材料用于人体必须要具备生物相容性。尤其是与血液相接触的材料如血管内支架必须要具备血液相容性。材料的表面特性直接影响血液系统中是否会出现血栓。本文针对金属血管内支架的表面特性、与血液的界面反应以及用于提高血液相容性的低温等离子表面改性进行了简要综述 相似文献
22.
N‐p‐Bromophenylmaleimide (BrPMI) does not polymerize in solution by conventional free radical mechanism. However, it readily polymerized in bulk when mixed with a free radical initiator and heated in a microwave oven for 7–8 min. Copolymerization of ethyl methacrylate or butyl methacrylate with BrPMI was conducted in dioxane. The copolymers were characterized by IR and 1H NMR spectroscopy and gel permeation chromatography. The monomer reactivity ratios were calculated by a non‐linear least‐square analysis. Thermal analysis indicated a great improvement in thermal stability of the copolymers compared with the methacrylate homopolymers. BrPMI was also polymerized in bulk in the DSC pan, which allowed the calculation of the activation energy of its polymerization. Copyright © 2003 Society of Chemical Industry 相似文献
23.
Ultra-fine aluminum nitride has been synthesized by the evaporation of aluminum powder at atmospheric-pressure nitrogen plasma in a hot-wall reactor.The average size of aluminum nitride particle is 0.11μm measured by scanning electric mirror(SEM),and the purity is at least over90% evaluated by X-Ray diffraction(XRD).The conversion of Al powder to aluminum nitride is strongly depended on the injection of NH3.Typical experimental parameters such as the feed rate of raw material,the flow rate of ammonia and the position of injecting aluminum powder into the reactor are given. 相似文献
24.
25.
微波消解-ICP-AES法测定菜油中P、S 总被引:2,自引:0,他引:2
采用微波加热,在高温高压下酸消解样品,运用电感耦合等离子体原子发射光谱法(ICP-AES)同时测定菜油中P、S。本法选用紫外区谱线P178.221nm、S180.669nm,避免了基体中存在的Fe、Zn、Al、Cu、Mn、Ca等元素的光谱干扰。实验通过用纯氮吹扫光谱仪光路的方法消减空气中氧对紫外线的吸收,获得了足够的灵敏度。该方法简便、快速,稳定可靠,P、S检出限分别为0.067、0.078μg/ml,RSD为1.35%~5.05%,回收率为89.0%~100.9%。 相似文献
26.
介绍了一种非接触式用于测量少子寿命的微波反射法,并与通常的光电导衰退法进行了比较。 相似文献
27.
本工作用XRD,EPMA,SEM等测试技术计算和示出了用不同活性粉料制备的Ba(Mg1/3Ta2/3)O3微波陶瓷晶格中B位离子有序度和元素的面分布情况,对它们在X面下的电行为作了探讨。实验结果表明,BMT陶瓷的微波损耗主要与其密度有序度和微观结构的均一度有关。 相似文献
28.
Keith S. Matlack Tomasz Labuda 《Journal of chemical technology and biotechnology (Oxford, Oxfordshire : 1986)》1995,62(1):91-93
A method for analyzing the fluorine content of glass using a microwave oven to digest the glass is presented. Analysis time and secondary waste generation are reduced using this method, without sacrificing accuracy. 相似文献
29.
本文研究了采用锁定放大相干检测技术的等离子体光发射谱检测系统。用该系统检测了仅用CF4作为刻蚀气体刻蚀非晶硅基薄膜的等离子体光发射谱。分析了检测结果和刻蚀机理。 相似文献
30.
Xiang Lu S. Sundar Kumar Iyer Jin Lee Brian Doyle Zhineng Fan Paul K. Chu Chenming Hu Nathan W. Cheung 《Journal of Electronic Materials》1998,27(9):1059-1066
We have demonstrated feasibility to form silicon-on-insulator (SOI) substrates using plasma immersion ion implantation (PIII)
for both separation by implantation of oxygen and ion-cut. This high throughput technique can substantially lower the high
cost of SOI substrates due to the simpler implanter design as well as ease of maintenance. For separation by plasma implantation
of oxygen wafers, secondary ion mass spectrometry analysis and cross-sectional transmission electron micrographs show continuous
buried oxide formation under a single-crystal silicon overlayer with sharp Si/SiO2 interfaces after oxygen plasma implantation and high-temperature (1300°C) annealing. Ion-cut SOI wafer fabrication technique
is implemented for the first time using PIII. The hydrogen plasma can be optimized so that only one ion species is dominant
in concentration and there are minimal effects by other residual ions on the ion-cut process. The physical mechanism of hydrogen
induced silicon surface layer cleavage has been investigated. An ideal gas law model of the microcavity internal pressure
combined with a two-dimensional finite element fracture mechanics model is used to approximate the fracture driving force
which is sufficient to overcome the silicon fracture resistance. 相似文献