一个可切实服务于运营商的移动无线因特网

本文在简单介绍了移动IP及其路由优化，无线局域网（WLAN）和GPRS的基础上，提出了一个新的利用移动IP来融合WLAN和GPRS的移动无线因特网的网络结构，详细论述了其多连接的路由过程，平滑垂直切换，AAA，并做了简要的性能分析。     

移动IP在无线局域网下的一种快速切换方法

针对移动IP在无线局域网下的应用,提出了一种新的基于链路层的移动IP快速切换方法,通过在无线局域网的无线接入点间加入特定的MAC网桥来减少移动节点在切换时产生的切换时延,进而减少移动节点上行和下行方向上的数据包的丢失,达到对移动IP切换进行优化的目的。此方法在无线局域网实际环境中进行了性能测试,结果证明优化后的时延较之原来普通移动IP切换时延有明显降低。     

MSTP的应用与发展

多业务传送平台(MSTP)和数据设备的关系是联合组网、长期并存的关系,运营商的运维体制必须改革,不能仍将传输设备和数据设备截然分开进行建设;互连互通涉及到业务层、封装层、数据处理层、SDH承载层、SDH线路侧,运营商应重点关注;MSTP的进一步发展是加载自动交换光网络(ASON)控制平面,但要注意在支持数据业务的情况下,传送平面和控制平面在带宽调整方面的协调性;MSTP将来可能有两种转向:逐步退出传送网络的核心层或演化成为事实上的以分组交换为核心的承载网设备.     

基于综合业务优先级双令牌双环LAN的性能解析评价

该文将优先级控制机制引入到综合业务双令牌双环LAN中,对具有3个优先级的双令牌双环LAN建立了排队模型并进行了数学解析和模拟试验,得到了有关性能评价的重要参量,对解析结果进行了数值计算及结果分析,从而为在综合业务环境下建造双令牌双环LAN提供了理论依据。     

局域网组播的IGMP扩展认证模型设计

互联网组播技术可以从根本上改善网络带宽的利用率,使发送者和路由器的处理消耗以及发送延迟降到最低的程度。IGMP是一种应用比较广泛的组播用户组管理协议,但是本身没有认证功能。PAP（密码认证协议）提供了一种简单的可以使端对端使用2次握手建立身份验证的协议。论文提出一种IGMP改进方案,把PAP认证协议添加在IGMP v3协议的扩展字段中,用于组播路由的最后一跳认证。     

数字视音频传输中的光纤通道网络技术

随着数字技术的发展，数字视音频数据量迅速增加，这就需要一种新的视音频网络技术来提高数字视音频文件传输的速度，数字视音频的光纤通道网络技术解决了这个难题。主要介绍数字视音频的光纤通道网络技术的性能、优势以及网络环境建设。     

支持3G系统的多业务网络

阐述了移动通信技术和国际互联网技术是推动网络发展的主要动力,介绍一种宽带多业务网络结构。并详细分析网络的组成以及对第三代移动通信系统的支持方案。     

802．11无线局域网中AP放置与信道配置的联合算法

在多小区无线局域网规划中,接入访问点(AP)放置与信道配置是两个重要的任务。在给定用户业务需求的条件下,谋求最大系统吞吐率和资源分配的公平性是网络规划的目标,其中公平性由吞吐率均衡因子表征。在传统的规划策略中,AP放置与信道配置被分割为两个先后的步骤;而该文提出的目标函数则将这两个问题联合解决以得到更好的系统性能。当采用全局遍历时,对目标函数寻求全局最优解计算量庞大;因此该文又提出了一种有效的局部最优解搜索算法补丁算法,此算法计算量小,同时能较好地逼近全局最优解。     

新一代多模光纤

按照以太网协议建设的光纤局域网的传输速率正迅速升级到1Gbit/s和10Gbit/s这时光纤提出了更高的要求。IEEE正在制定10Gbit/s以太网标准,10Gbit/s以太网标准将考虑采用新一代的多模光纤。文章产 叙述新一代多模光纤的发展前景,然后综述了新一代多模光纤概念、测量新一代多模光纤带宽的新方法和制造新一代多模光纤的技术。     

A 5.8 GHz Low Noise Amplifier for Wireless LAN Applications in Silicon Bipolar Technology

A monolithic integrated low-noise amplifier for operation in the 5.8-GHzband is described. Two different versions have been implemented where the biasing wasadapted to allow operation over a different range of supply voltage. At 5-V, theamplifiers gain is about 17-dB, with a noise figure of 4.2-dB and 1-dB compressionpoint at –15-dBm input power. The circuits have been designed utilizing a0.6-micron silicon bipolar production technology, featuring npn transistors with and of about20-GHz.