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11.
TiSiW12O40/TiO2催化合成丙酸正丙酯 总被引:2,自引:0,他引:2
研究了固载杂多酸盐TiSiW12O40/TiO2催化丙酸与正丙醇的酯化反应,探讨了催化剂用量,反应时间及醇酸摩尔比对酯收率的影响。当醇酸摩尔比为1.3:1,催化剂的量为醇酸总质量的1.5%。反应时间为1.0h,酯产率可达71.4%以上,采用该催化剂合成丙酸正丙酯不仅酯化反应温度低,反应时间较短,催化剂用量少,而且可较好地回收利用,可降低成本;因此,TiSiW12O40/TiO2是合成丙酸正丙酯的优良催化剂,具有良好的应用前景。 相似文献
12.
13.
^17O系统的R矩阵分析 总被引:2,自引:1,他引:1
采用多道多能级R矩阵理论,全面系统地分析~(17)O系统中10.5 MeV激发能以下有关~(16)O(n,n)~(16)O·~(16)O(n,a)~(13)C和~(13)C(a,a)~(13)C的全部实验数据。有关~(16)O的中子反应截面计算值被收入中国评价数据库CENDL-2和美国的评价数据库ENDF/B-6。对在R矩阵分析中如何确定本底、道半径和边界条件等问题予以讨论。 相似文献
14.
J. A. Jimenez-Tejada J. A. Lopez-Villanueva P. Cartujo J. Vicente J. E. Carceller 《Journal of Electronic Materials》1992,21(9):883-886
The energy levels introduced by Pt in silicon have been measured in a non-abruptp
+-n junction using constant-capacitance thermal-emission rate measurements and a numerical simulation of high frequency-capacitance.
Two levels have been detected with activation energies of:E
c -E
T = 0.22 eV with acceptor character andE
T -E
v = 0.34 eV with donor character. The sample preparation and diffusion of Pt is similar to previous works in which an acceptor
levelE
c -E
T = 0.34 eV was found instead of or besides a donorlike levelE
T -E
v = 0.34 eV. Our numerical calculation of the shallow-impurity profile points to the existence of a gradual transition near
the metallurgical junction for these samples. We have demonstrated that the well-known model of an abrupt junction is not
appropriate for these types of junctions, and could lead to errors in the location attributed to the detected levels. Simulation
of the electrical behavior leads to the non-existence of the acceptor levelE
c −E
T = 0.34 eV located in then-side of the junction. 相似文献
15.
J. Ollero Hinojosa H. M. Ramos Romero 《TEST》1991,6(1):35-43
Resumen En este trabajo demostramos que toda distribución hipergeométricaH(N, X,n) puede ser descrita como suma de pruebas independientes con probabilidades de éxito distintas entre sí. Tal distribución recibe
habitualmente el nombre de binomial de Poisson o binomial generalizada.
相似文献
16.
G.S. Amarante-Segundo R.M.O. Galvão A. Lyssoivan 《Fusion Engineering and Design》2006,81(19):2205-2212
The ICANT code computes self-consistently the surface current distribution on a 3D antenna model radiating in a plasma or vacuum and has been used to analyze the coupling properties of various antenna models. In this work it is used to assess near-fields generated by different versions of the TCABR (Tokamak Chauffage Alfvén wave heating experiment in Brazil) antenna as well as coupling properties of the TEXTOR tokamak in Forshungszentrum Jülich. Two different strap models planned for the TCABR antenna are shown to be practically equivalent in terms of maximum electric field. Textor coupling calculations are close to experimental values. 相似文献
17.
我们在双模轮胎硫化机结构的优化设计中,提出了一种ANSYS与导重准则相结合的优化方法。该方法收敛快,一般只需约5至7次优化迭代计算即可得到十分显著的优化效果,大大提高了优化效率与设计质量。 相似文献
18.
表达式句法分析及求值算法在优化设计中的应用 总被引:1,自引:0,他引:1
针对优化设计技术在机械工程领域的使用特点提出了一种应用表达式分析与求值原理以避免对每个优化模型或实例均需编程求解的解决方法,论述了该方法的要求、原理、实现过程及应用程序框架。 相似文献
19.
The self-diffusion coefficients of polystyrene dissolved in C6D6 were measured by means of pulsed field gradient n.m.r.. The dependence on the molecular weight was of the power of -2 in accordance with the reptation model. The concentration dependence was theoretically calculated within the blob concept which shows that in the crossover region the self-diffusion coefficient is determined only by the blob dimensions and the monomeric friction coefficient is constant. The calculated concentration dependence agrees well with that observed by the authors. 相似文献
20.
Yu-Zung Chiou Yan-Kuin Su Shoou-Jinn Chang Yi-Chao Lin Chia-Sheng Chang Chin-Hsiang Chen 《Solid-state electronics》2002,46(12):2227-2229
InGaN/GaN multiquantum well (MQW) p–n junction photodetectors with semi-transparent Ni/Au electrodes were fabricated and characterized. It was found that the fabricated InGaN/GaN MQW p–n junction photodetectors exhibit a 20 V breakdown voltage and a 3.5 V forward 20 mA turn on voltage. It was also found that the photocurrent to dark current contrast ratio is higher than 105 when a 0.4 V reverse bias was applied to the InGaN/GaN MQW p–n junction photodetectors. Furthermore, it was found that the maximum responsivity was 1.28 and 1.76 A/W with a 0.1 and 3 V applied reverse bias, respectively. 相似文献