圆柱谐振腔式MPCVD装置中氢、氩微波等离子体分布规律的数值模拟

在使用简化的等离子体放电模型的基础上,模拟了圆柱谐振腔式微波等离子体沉积室中,不同金刚石膜生长条件下微波等离子体的分布状态。在模拟中,针对纳米金刚石的生长环境,就纯氩气反应气体中,不同的输入功率、不同气体压力条件下,沉积室中形成的等离子体分布的变化规律进行了模拟,将其与一般氢气气氛下的相应模拟结果相对比。模拟所获得的结果,对微波等离子体方法沉积金刚石膜的操作环境的优化,有着一定的指导意义。     

金刚石的同质外延掺硼和Schottky特性

在＜１００＞取向的金刚石衬底上，用微波ＰＣＶＤ法进行同质外延，掺杂和Ｓｃｈｏｔｔｙ特性的实验研究，总结了反应气体，碳源浓度等因素对外延层形貌、结构的影响，Ｂ／Ｃ比对掺硼外延层结构、形貌和电学性能的影响，以及接触金属，温度对Ｓｃｈｏｔｔｋｙ特性的影响。     

纳米晶薄膜Li_xPb_(0.9-x)La_(0.1)TiO_3合成及离子电导特性

纳米晶薄膜LixPb0.9-xLa0.1TiO3（x=0，0．1，0．2，0．6）以普通玻璃为衬底通过溶胶—凝胶方法烧结制备而成。对LPLT薄膜进行DTA，XRD等测试手段分析。通过交流阻抗数据的分析，在室温下电导率高达2．3×10－3S·cm-1     

激光法合成纳米金刚石的高分辨电镜研究

在常温常压下,采用脉冲激光作用循环的石墨悬浮液,收集并烘干得到样品B,另一部分用高氯酸进行酸煮提纯提到样品A.对样品A、B分别进行高分辨电子显微镜（HRTEM）和显微拉曼光谱（Micro-Raman）分析.结果表明,部分石墨经激光作用后转变成了具有多重孪晶结构特征的、尺寸为5 nm的金刚石颗粒,同时还得到了非晶碳.高分辨电子显微镜照片证明,石墨转变成纳米金刚石的机理为快速成核长大过程.     

K52合金及其涂层的涂盐热腐蚀行为

研究了合金及其涂层的热腐蚀行为,测定了它们的氧化动力学曲线。用扫描电镜和电子探针观察了合金及涂层腐蚀后的表面形貌和横截面显微组织。结果表明:溅射K52纳米晶涂层在含有NaCl的盐中腐蚀10 h,氧化膜就大面积剥落,涂层遭受很大的破坏。而铸态合金腐蚀50 h后,产生已基本连续的内氧化铝层,这层氧化铝对阻止O、S和Cl的进入起到一定的作用,提高了合金的抗氯盐腐蚀。     

CFBB机组非线性协调控制系统仿真

CFBB机组的协调控制系统是一个具有不确定性的复杂多变量控制系统,其控制品质的改善是提高热工过程自动化水平的关键。采用双输入双输出非线性PID控制器,设计CFBB机组的机炉协调控制,并利用Simulink工具箱中的非线性设计模块（N C D模块）对控制参数进行优化[1]。通过一系列的仿真试验,分析了控制系统的动态性能,并与线性分散PID控制方案相比较。结果证实了本文方法的有效性和适用性,为提高CFBB机组协控制系统的控制品质开辟了新的思路。     

六面顶金刚石压机自动控制系统

本文针对六面顶金刚石压机的复杂工艺流程特点,设计研发了一套六面顶金刚石压机计算机自动控制系统。该系统主要包括硬件结构设计和软件设计两部分。软件部分主要解决了压机的定位控制与同步调整问题,并给出了工艺曲线设定方法、控制算法及其主要运行结果。该控制装置与某超硬材料公司六面顶金刚石压机及相关液压系统配套组成金刚石全自动生产装置,实现了全视窗界面、触摸屏操作,控制算法新颖,图形界面良好,控制精度高,保证了合成金刚石的品级。     

一种简易的多回路控制系统优化设计方法研究

给出了一种简易的控制系统设计方法——标准特征多项式设计方法,多回路控制系统采用这种方法将使控制系统设计的工作量大为简化。在此基础上,采用NCD工具箱,用标准特征多项式方法得到的参数值作为NCD（nonlinear control design）模块的初始化值对控制系统的参数进一步进行优化,并与任意选择的6组参数值作为NCD模块初始化值而得到的优化效果进行了比较。还对飞行控制的多回路控制系统的鲁棒性进行了研究。结果证明,用标准特征多项式和NCD优化方法,设计方便,并且系统有很好的鲁棒性。     

反应物量对纳米晶Fe_3Al组织和性能的影响

利用铝热反应熔化方法分别在反应物量为50、100、200g的条件下制备了块体纳米晶Fe3Al材料,通过TEM和XRD研究了材料的晶粒尺寸,并研究了材料室温压缩性能和硬度。结果表明,所制备的材料主要由非晶和纳米晶组织组成,当反应物量增大,部分区域甚至出现微米晶组织。反应物量为50g时Fe3Al材料中非晶较多,不存在微米晶;反应物量为100g时主要以纳米晶为主,非晶数量减少,伴随有少量的微米晶出现;反应物量为200g时,材料以纳米晶为主,微米晶数量较100g时有所增加。随着反应物量的增加,纳米晶相的平均晶粒尺寸增加,屈服强度和硬度呈先增大后减小的趋势。     

HFCVD法合成金刚石的初期生长过程

用XL30FEG扫描电镜对热丝化学气相沉积 (HFCVD)法合成的金刚石颗粒的初期生长过程进行了研究。结果表明 ,金刚石在 p -Si(10 0 )基片上的初始形核密度很高 ,可达 10 10 /cm2 ;在随后的颗粒长大过程中 ,颗粒快速长大 ,颗粒密度急剧减少 ;颗粒的长大速率随其尺寸的增大而减小 ,最后趋于一稳定值