关于Howland电流泵电路的分析与讨论

Howland 电流泵电路是一种适用于接地负载的电压-电流转换电路。本文指出了该电路分析过程可能出现的错误,并给出了三种不同的分析与证明方法。从教学的角度看,这三种方法各有不同的侧重点,对学生已掌握的电路理论知识有不同的要求。上述分析结果可供讲授电路课程和开设电路实验的教师参考。     

负折射率材料中的慢光技术研究

首先阐述了负折射率材料的反常传播特性,并简要介绍了通常实现慢光技术的原理。随后分析了利用负折射率材料的波导结构实现慢光的几项关键性研究进展,并对含有负折射率材料的波导结构在室温固体条件下实现慢光的原理进行了总结,进而提出当前利用负折射率材料实现慢光所存在的问题以及研究方向,最后简要介绍了这一最新课题的研究意义和应用前景。     

Negative capacitance independent multi-gate FinFETs and their optimisations

In order to reduce the operating voltage of FinFET and increase the flexibility of integrated circuit design, we have proposed a Negative Capacitance Independent Multi-Gate FinFET (NC-IMG-FinFET) with Ferroelectric-Metal-Insulator-Semiconductor-Insulator (FMISI) structure. Both the device and circuit analysis model of NC-IMG-FinFET are addressed, which are used to analyse the performance parameters of the device (the surface potential, internal gate voltage amplification, Sub-threshold Swing (SS), on-current and leakage) and the performance of a circuit (delay, power consumption, power delay product (PDP)). The simulation model of the NC-IMG-FinFET has been constructed by combining BSIM-IMG model with ferroelectric Landau-Khalatnikov model. The optimisations for ferroelectric film thickness of the NC-IMG-FinFETs are carried out in terms of device characteristics and circuit performances. The simulation results are consistent with the analysis results, indicating that the NC-IMG-FinFET has superior performance compared with the baseline device, in terms of smaller leakage, larger on/off current ratio and smaller SS (38.3 mV/dec at room temperature). Compared with the baseline IMG-FinFET circuits, there is large performance improvement for the NC-IMG-FinFET circuits, in terms of the power consumption and PDP.     

基于负染－电镜的Aβ体外聚集表征测试要点分析

本文应用电镜负染色技术,对阿尔茨海默病（ Alzheimer′s disease, AD）中所涉及的β淀粉样肽（β?amyloid peptide,Aβ）的聚集规律进行了分析。通过对样品的浓度、pH值、温度和时间等设置系列梯度,以及调整负染试剂的种类、浓度和染色时间,优化了Aβ寡聚体样品制备以及电镜观察的最佳条件,获得了清晰的Aβ纤维图像并用以估算纤维长度。实验结果表明：经过六氟异丙醇给予单体化处理,并溶于无水二甲基亚砜（ DMSO）的Aβ（100μmol·L－1）,在pH7?2的PBS中4℃孵育24 h,Aβ寡聚体形态清晰,且Aβ42寡聚体比Aβ40寡聚体聚集趋势更明显。在pH 8?0的硼酸缓冲液中,Aβ42（40μmol·L－1）在37℃孵育72 h后,纤维形成明显;而Aβ纤维样品经过煮沸后再制备负染样品,所得电镜图像更为清晰,便于对纤维长度和结构进一步分析。因此电镜负染色技术,可作为一种快捷,直观的Aβ体外聚集形貌表征的质控方法。     

含负折射率材料一维掺杂光子晶体的缺陷模特性研究

采用光学传输矩阵给出了含负折射率材料一维掺杂光子晶体的特征矩阵,研究了缺陷模的相关特性,经数值模拟计算得出：改变负折射率的大小、杂质的吸收系数和厚度,缺陷模的中心频率位置不变,缺陷模透射率随负折射率的减小而降低,透射谱的频率宽度也逐渐减小,同时缺陷模的半高宽度随消光系数和杂质厚度增大而增宽。光子晶体的这些特性将为光的传输控制、全反射镜和滤波器的设计等提供理论依据。     

对反馈放大电路类型判定方法的研究

反馈放大电路由基本放大电路和反馈网络组成,反馈桥梁是反馈网络的一部分或全部。反馈放大电路类型的判定方法是：反馈桥梁的一端连接在输出电压的＂上端＂（或＂下端＂）就形成电压（或电流）反馈,反馈桥梁的另一端连接输入信号的＂前端＂（或＂后端＂）就形成并联（或串联）反馈,再利用瞬时极性法确定使净输入量减小（或增大）的反馈为负反馈（或正反馈）。此方法能快速地判定出反馈放大电路的类型。     

负折射率柱形光子晶体的全反射隧穿特性

为了研究一维含负折射率柱形光子晶体的全反射隧穿效应,利用特征矩阵法研究了光波在大于全反射角入射一维含负折射率柱形光子晶体时所产生的全反射隧穿教应。得出了基全反射隧穿峰的频率随周期数、模式量子数以及圆柱半径的变化特性。     

RTD与HBT单片集成研究

设计并研制了共振隧穿二极管(RTD)与异质结双极晶体管(HBT)单片集成负阻逻辑单元。详细介绍了逻辑单元的材料结构及工艺流程的设计过程,得到了较好的负阻特性,其开启电压1V左右,峰谷比大于2∶1。同时建立了负阻逻辑单元的模型,通过Pspice模拟结果表明与实际逻辑单元特性吻合良好。     

非线性负折射率材料表面TE电磁波的空间稳定特性分析

针对电磁波在正负非线性材料界面处的传播,研究了两种稳定状态下电磁波的物理特性。理论分析和数值计算表明,该界面处电磁波的传播存在着频率通带,且带宽仅与两种材料的固有属性有关。得出前向表面波和后向表面波均可以在这种非线性导波系统中传播,并且在一定条件下,随着频率的变化,前向表面波和后向表面波可以在两种材料中跃变。推论出两种稳定传播的电磁波场峰值位置随传播功率的变化也能实现在两种材料中跃变,并逐渐向界面靠近,而传播功率较大的稳定态电场峰值几乎靠着界面。     

模块式负压密封型层流罩速度场特性模拟研究

在实验研究的基础上,对层流罩的两个工况进行数值模拟,通过与实验结果比较,证明了选用模型具有较高的计算精度,进而对不同围挡高度下的速度场和污染物浓度场进行模拟,结果表明为了保证围挡内速度场的单向流特性,围挡距地高度不宜大于0.8m,如果考虑工作面的洁净度,围挡高度不宜大于0.5m。和实验结果基本一致。