基于神经网络集成的Windows病毒检测方法研究

该文针对Win32PE病毒种类多,破坏力强的特点,提出一种基于神经网络集成的病毒检测方法。神经网络集成采用负相关学习方法进行训练,采用n-gram特征字统计方法得到病毒特征字,计算特征字信息条件熵,来选择作为训练样本的特征字。实验结果表明,神经网络集成改善了传统的特征字比对法不能识别新的病毒,容易被病毒制造者克服的缺点,在保证对Win32PE病毒较高的检测率的同时保持了较低的误检率。     

随机变量负相关性的性质和关系

文中对随机变量负相关性的性质和强弱关系进行了研究．运用概率分析的方法,首先证明了负象限相关的对称性、负相协的对称性、右尾递减和左尾递增的内在联系;其次,通过反例说明了随机递减不具备对称性;最后,如果二维随机变量的联合密度函数是RR2的,则其条件分布是随机递减的,进一步可得到随机变量是右尾递减和左尾递增的;如果二维随机变量是负相协的,则也是负象限相关的,进而得到随机变量是负线性相关．     

超高压线路差动保护的高阻接地故障拒动分析及改进措施

500kV超高压线路高阻接地时,初始阶段故障电流突变量很小,主保护有可能拒动．随着接地故障电阻变小,故障电流增大后由后备保护动作切除,而后备保护较长时间切除故障可能影响电网稳定．介绍“7·10”500kV花博甲线高阻接地故障差动保护拒动事件,分析不同运行方式对两侧故障电气量的影响,总结现有差动保护启动判据的缺陷,并提出采用近故障侧保护装置启动判据、负序电压启动判据等改进措施,有效提高了高阻接地时差动保护的动作可靠性．     

英语学习者语言失误的文化因素

为了明晰英语学习和教学的基本侧重点,采用语料库研究方法,以自建小型英语笔语语料库为基础,以其中出现的语言失误现象为研究对象,归纳出学习者在英语笔语输出时的主要问题。在此基础上,通过对比英汉语言的文字及句式特点,指出英语语言知识的欠缺,以及母语负迁移的影响是导致其用语失误的深层根源,进而建议英语教学与英语学习应首先以英汉语言的基本区别为重,达到事半功倍的效果。     

深孔加工负压抽屑装置的优化设计与仿真

为解决深孔加工排屑的难题,在分析现有DF深孔钻削系统结构的基础上,运用液压相关理论分析了影响负压抽屑的影响因素.采用Fluent软件对DF系统中负压抽屑装置的喷射角k和负压间隙S进行了力学、速度、能量场仿真,最终通过理论分析与仿真试验的对比研究,得出当k=30°,S=0.4mm时负压效果最好,当k=29°,S=0.5mm时次之.为研究准干式深孔加工新型负压射流结构、负压机理及排屑特性提供了理论基础.     

模糊知识的三种否定及其集合基础

对于模糊知识中"否定"的认知与处理,文中从概念层面上区分模糊知识中的矛盾否定关系与对立否定关系,研究发现了模糊知识中存在一规律:一对对立的概念为模糊概念,则它们之间必然存在"中介"的模糊概念;反之,如果一对对立的概念之间存在中介的模糊概念,则对立的概念必然是模糊概念.因此,作者提出在模糊知识的否定关系中存在三种不同的否定关系,即矛盾否定关系、对立否定关系和中介否定关系,并给出它们的形式定义.为了能够刻画这些关系的内在性质与联系,作者提出了一种新的具有矛盾否定、对立否定和中介否定的模糊集FSCOM,并讨论了FSCOM的特征、FSCOM的基本运算与性质以及FSCOM与Zadeh模糊集的关系等.在后续文中将表明,FSCOM是一种处理实际中的模糊知识及其各种否定的有效方法.     

电网电压不平衡条件下并网逆变器的研究

采用一种具有双参数控制的结构实现并网运行和负序电流的消除,直流侧的电压控制环作为并网的基础控制,同时提取电网电压和逆变器输出电压的负序分量并加以控制,当两者相等时就可以达到消除负序电流的目的,然后对负序电压的获取以及电流的跟踪控制作了分析。最后利用Matlab/Simulink对系统进行仿真,验证了系统的可行性。     

具正负系数非线性中立型差分方程的稳定性

讨论一类具正负系数的非线性中立型差分方程△（xn-cnxn-k）＋pnf（xn-）-qng（xn-r）=0,n∈N（0）,其中k,l,r∈N（1）,f,g∈C（R,R）,且f（0）=g（0）=0;{cn}为实数序列,{pn},{qn}为非负实数序列。利用反证法和分析的方法,结合均值不等式,给出了该方程零解一致稳定的充分条件。推广和改进了具正负系数的线性中立型差分方程已有的相关结果。     

Design of small-area and high-efficiency DC-DC converter for 1 T SRAM

The direct current-direct current (DC-DC) converter is designed for 1 T static random access memory (SRAM) used in display driver integrated circuits (ICs), which consists of positive word-line voltage (V _PWL), negative word-line voltage (V _NWL) and half-V _DD voltage (V _HDD) generator. To generate a process voltage temperature (PVT)-insensitive V _PWL and V _NWL, a set of circuits were proposed to generate reference voltages using bandgap reference current generators for respective voltage level detectors. Also, a V _PWL regulator and a V _NWL charge pump were proposed for a small-area and low-power design. The proposed V _PWL regulator can provide a large driving current with a small area since it regulates an input voltage (VCI) from 2.5 to 3.3 V. The V _NWL charge pump can be implemented as a high-efficiency circuit with a small area and low power since it can transfer pumped charges to V _NWL node entirely. The DC-DC converter for 1 T SRAM were designed with 0.11 μm mixed signal process and operated well with satisfactory measurement results.