Stabilization techniques for spectral methods

We introduce a stabilized treatment of spectral methods. The condition number of the spectral systems is highly improved. Elliptic and biharmonic problems are considered. Suitable interpolants in the case of inhomogeneous Dirichlet boundary conditions are presented. For a direct solver the improvements with respect to rounding error propagation are numerically demonstrated.     

多信道光纤环形网络结构分析

本文对多信道光纤环形网络结构进行了详细分析，推导出环网内平均路经长度和最大直径计算公式，并分析了最佳多信道光纤环网结构。     

一种基于混沌的随机数发生器设计及其IC实现

在密码学、仿真学以及集成电路测试等许多领域 ,随机数起着重要的作用。在密码学中 ,通常要求所使用的随机数具有不可预测性。基于混沌现象 ,使用开关电容技术 ,用集成电路实现了一种硬件随机数发生器。测试结果表明 ,其产生的序列具有不可预测性 ,可以满足密码学的应用要求。     

开发有线电视收费管理系统需注意的问题

分析有线电视业务及用户管理中出现的问题与解决办法，为系统的开发建立数据模型，以确保有线电视网络公司和用户的利益。     

汽油辛烷值智能调合系统

采取一种能够在线学习、不断提高、建立一系列模型的策略，提出了一种具有学习功能的汽油辛烷值智能调合系统。该系统可以根据成品汽油辛烷值指标、生产成本和市场价格等因素提供一个较好的油品调合调度方案。实际应用结果表明，利用参数学习的方法计算调合汽油辛烷值是可行的。     

烷基化原料预加氢工艺应用分析

由于来自催化裂化装置的烷基化原料中所含有的丁二烯在烷基化反应中可生成重质油,使产品干点上升,辛烷值下降,并使酸耗增加.针对这种状况,齐鲁石化公司研究院和胜利炼油厂联合开发了QSH-01烷基化原料预加氢催化剂及其相应的工艺技术,来脱除原料中丁二烯.笔者对该工艺技术及其应用作了阐述,并对该技术的应用前景作出分析.     

YAG：Ce Phosphors for WLED via Nano-Pesudoboehmite Sol-Gel Route

The sub-micron sized YAG ： Ce phosphors were synthesized via a modified sol-gel method by peptizing nano-pesudoboehmite particulate. It is found that YAG phase from the dried gel powders appears at 1000 ℃ then the pure YAG phase exists at a relatively lower sintering temperature of 1400 ℃. The smaller sizes of phosphors in the ranges of 1 - 3 μm are obtained due to the contribution of seeding effects of nano-sized alumina particles to strengthen each step of the processes. Both the excitation and emission spectra of photoluminescence of the phosphor obtained at 1400 ℃ meet well with the spectroscopic requirements of the WLED phosphors.     

冷却排管的节能设计

从节能的观点出发，根据热力学原理和传递过程的理论，对冷却排管内湍流传热过程进行分析，研究损失随雷诺数的变化规律，探讨冷却排管的节能设计问题。     

微加速度计粘附问题的研究及应用

粘附是影响微机电系统(MEMS)可靠性的重要因素之一。针对MEMS的典型产品——微加速度计的粘附问题进行了研究,给出了2种典型的微加速度计的表征粘附特性的剥离数的表达式,并分析了将粘附条件应用于微加速度计的多学科设计优化之中,分析了其对系统结构设计产生的影响。     

Irradiation Defects in Silicon Crystal

The application of irradiation in silicon crystal is introduced.The defects caused by irradiation are reviewed and some major ways of studying defects in irradiated silicon are summarized.Furthermore the problems in the investigation of irradiated silicon are discussed as well as its properties.