In_（0．2）Ga_（0．8）As／GaAs应变多量子阱结构的光调制反射和热调制反射谱的研究

对Ｉｎ（０．２）Ｇａ（０．８）Ａｓ／ＧａＡｓ应变多量子阱在７７Ｋ下的光调制反射谱（ＰＲ）和热调制反射谱（ＴＲ）进行了实验研究．对ＰＲ结果的线形拟合指认了应变多量子阱中子能级的跃迁，并与理论计算结果作了比较．实验对比确认ＰＲ中１１Ｈ、１３Ｈ等跃迁结构为非耦合态、具有电场调制机构的一阶微商性质．而１１Ｌ、３１Ｈ、２２Ｈ等跃迁结构为阶间耦合态，对这些隧穿耦合的低场调制产生三阶微商特性．     

交联剂在碳／碳复合材料沥青基体中的作用

本文从C/C复合合材料的基体入手，分析了交联剂在沥青中的交联机理，并以此为基础对中温煤沥青在催化剂作用下进行交联反应。结果表明，交联剂在C/C复合材料基体中的交联作用非常明显，不仅基体本身的残碳率及耐热程度有很大提高，而且，以它制成的C/C复合材料的抗压强度也有显著增加。     

激光器绝热啁啾对光纤通信系统传输特性的影响

通过理论分析、实验和计算机模拟得到：进行直接强度调制时，体块型DFB激光器的总微分量子效率（与多量子阱DFB激光器相比）过低，从而导致其绝热啁啾占激光器啁啾的主要部分；用于无再生中继距离较大的强度调制／直接检测（IM／DD）光纤通信系统时，色散效应将导致信号脉冲上升沿压缩，使系统误码率增加。据此建议：在无再生中继距离大于100～120km的常规单模光纤IM／DD系统中，应采用多量子阱激光器。     

坡沟系统侵蚀产沙及其耦合关系研究

利用变坡度坡沟系统模型和人工模拟降雨试验,定量研究了不同降雨强度下的坡沟系统产流产沙过程,揭示了坡面沟道侵蚀产沙耦合特征。结果表明:坡沟系统累积径流量和累积产沙量与降雨时间呈显著的幂函数关系,随着降雨时间的增大而增大。梁峁坡面来水径流量与沟坡净侵蚀量之间呈幂函数关系,梁峁坡面来水含沙量与沟坡净侵蚀量之间呈反线性相关。从水力学角度对坡沟系统单位水流功率与单宽输沙率的关系进行了分析,得出试验条件下的临界单位水流功率值为0.0043m/s,输沙率随单位水流功率的增大而增大。     

榆林气田低产低效井开发分析评价

榆林气田自1999年投入开发以来,产能建设大幅提高,生产规模成倍增长。随着气田开发规模的扩大,气井数量成倍增加,低产低效井的数量随之增加,对低产低效期间加强研究意义重大。以理论知识为指导,利用开发生产资料对榆林气田低产低效气井的地质特征,开发现状,管理制度,下步开发措施等方面予以分析与研究,提出具体建议或措施;寻找榆林气田低产低效井合理的开发方式及生产模式。     

半导体量子点自组织生长的计算机模拟研究

采用平均场模型和非平均场模型对半导体量子点的自组织生长过程进行了计算机模拟研究。结果表明两种模型给出了相似的量子点的大小分布,但在平均尺寸、数量以及覆盖面积随时间的变化上存在着差别,针对这些差别给出了解释。     

等离子体氧化nc-Si/SiO_2多层膜的蓝光发射

报道了在等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)系统中用交替淀积 a-Si对其进行原位等离子体氧化的方法制备了 a-Si∶H/ Si O2 多层膜。随着 a-Si∶H子层的厚度从 3 .8nm减小到 1 .5 nm,a-Si∶H/ Si O2 多层膜的光吸收边和光致发光 (PL )出现了蓝移。在晶化的 a-Si∶ H/ Si O2 多层膜中不仅观察到室温下的红光带 (80 0nm)的发光峰 ,而且还观察到蓝光发射 (4 2 5 nm) ,结合 Raman,TEM和 PL测试 ,对其原因作了简单的分析     

Origin of visible photoluminescence from porous silicon as studied by Raman spectroscopy

In this paper we discuss the different models proposed to explain the visible luminescence in porous silicon (PS). We review our recent photoluminescence and Raman studies on PS as a function of different preparation conditions and isochronal thermal annealing. Our results can be explained by a hybrid model which incorporates both nanostructures for quantum confinement and silicon complexes (such as SiH _x and siloxene) and defects at Si/SiO₂ interfaces as luminescent centres.     

GaAs／AlGaAs多量子阱红外探测器的光电流谱

测量了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ多量子阱红外探测器在零偏压、小偏流和大偏压等条件下的光电流谱，并结合理论计算的光跃迁能量讨论了光电流谱的多峰结构和异常增强特性。