MOCVD生长的GaN薄膜中缺陷团引起的X射线漫散射研究

采用高分辨X射线衍射对在蓝宝石(0001)面生长的GaN外延膜的漫散射进行了研究.结果表明,GaN薄膜中存在缺陷团,其浓度随着穿透位错密度的增加而增加,其平均半径呈相反趋势.基于位错是点缺陷的聚集区,缺陷团优先在位错附近形成的效应对结果进行了解释.同时发现电子迁移率随缺陷团浓度的增加而减少.     

Magnesium Gradient-Based Hierarchical Scaffold for Dual-Lineage Regeneration of Osteochondral Defect

Osteochondral regeneration remains a great challenge due to the limited self-healing ability and the complexity of its hierarchical structure and composition. Mg²⁺ and hypoxia are two effective modulators in boosting chondrogenesis. To this end, a double-layered scaffold (D) consisting of a hydrogel layer on a porous cryogel is fabricated to mimic the hierarchical structure of osteochondral tissue. An Mg²⁺ gradient is incorporated into the double-layered scaffold with hypoxia-mimicking deferoxamine (DFO) embedded in the hydrogel (D-Mg-DFO), which remarkably augments the dual-lineage regeneration of both cartilage and subchondral bone. The higher Mg²⁺ supplementation from the upper hydrogel, associated with its hypoxia-mimicking situation and small pore size, exhibits promotive effects on chondrogenic differentiation. The lower Mg²⁺ supplementation from the bottom cryogel, associated with its interconnected macroporous structure, achieves multiple contributions in stem cell migration from bone marrow cavity, matrix mineralization, and osteogenesis. Furthermore, rabbits’ trochlea osteochondral defects are established to evaluate the regenerative outcome. Compared to control scaffolds containing only Mg²⁺ or DFO, the D-Mg-DFO scaffold presents the best regenerative effect under the synergistic contribution of multiple factors. Overall, this work provides a new design of scaffold toward an effective repair of cartilage defect.     

芯片制作过程中切割道光刻对准标记的优化

在0．18υm高压产品工艺生产过程中,作者发现晶片在钨化学机械研磨制程后会有很严重的鸽剥落缺陷,此种缺陷成行排列,有一定规律,与光罩的曝光间膈距离相匹配,该缺陷会导致产品良率有非常明显的下降。同时在生产过程中也发现在MIM上极板蚀刻后,有些聚合物难以去除,此种残留物也来自曝光的固定位置。因此解决这类与光罩相关的缺陷和残留物显得尤为重要。作者经过深入的研究分析以及实验验证,通过对切割道上的光罩对准标记进行优化,彻底解决了这两种缺陷问题,使得产品的良率得以提升。     

基于表面缺陷一维光子晶体Tamm态的研究

本文基于周期结构的布洛赫原理,从电磁场理论出发,用解析和数值的方法系统地研究了基于表面缺陷的半无限一维光子晶体Tamm态的形成条件,模式特征以及与无缺陷Tamm态之间的关系。 对TE波,缺陷Tamm态的频率范围向高低两个方向扩大;而对TM波,缺陷Tamm态的频率范围只向高频扩大, 而低频范围减小。缺陷折射率较大时, 缺陷Tamm态的色散曲线近似直线, 其群速度大小也近似等于光在单层缺陷里的传播速度。 通过调节缺陷层的折射率或者厚度可以方便地把缺陷Tamm态的频率设计到我们需要的范围。     

基于灰度-梯度共生矩阵的车轮踏面缺陷聚类分析北大核心CSCD

车轮作为列车走行部的关键部件之一,其踏面产生缺陷后会直接影响到列车的运行安全。为了能够在检测时准确识别车轮踏面缺陷不同类型,提出一种基于灰度-梯度共生矩阵的纹理特征提取方法,对踏面图像的灰度和梯度特征分析之后,根据灰度-梯度共生矩阵提取踏面图像纹理特征矢量,再结合K-均值(K-means)聚类优化算法对踏面缺陷特征量进行聚类,从而将踏面缺陷类型进行分类,并将分类结果用可视化数据显示。实验结果表明,采用上述所提方法,对车轮踏面缺陷不同类型的分类识别精度达96%以上。     

直径52～65mm探测器级Si单晶的真空制备

为了制备纯度11N以上、直 径Φ大于 45mm并且各项性能指标满足探测器级要求的大直径 超高纯单晶Si材料,本文在真空气氛下提纯并生长Φ52～65mm探测器级区熔(FZ,float zone)Si单晶, 并对真空气氛和直径增加所带来的晶体不稳定生长、高断面电阻率不均匀率和漩涡缺陷 等问题的产生原因和解决方式进行了深入研究。结果表明,丹麦加热线圈表面带有台阶 和十字开口,是提纯和生长Φ大于45mm 多晶Si和单晶Si的理想线圈;适当提高单晶转速和 生长速度有利于降低断面电阻率不均匀率,且提高转速的效果更加明显;真空气氛下, 提高热场对中性可抑制漩涡缺陷的产生,其对漩涡缺陷的影响比单晶Si生长速度更加显 著,这是与Ar气气氛FZ不同的;多晶Si提纯次数越多单晶Si寿命越低,降低多晶Si原 料中的P/B和重金属原始含量有利于提高单晶Si寿命;若要制备少子寿命大于800μs, 符合探测器级标准的Φ52～65mm Si单晶 ,多晶Si原料少子寿命应大于3000μs。     

一种RFID标签天线视觉检测方法与实现

在此提出了一种RFID电子标签天线瑕疵逐片高速检测方法。该方法对工业相机拍摄的RFID天线图像进行模板图像与目标图像的对齐,利用图像差分输出两者的残余图像,通过对残余图像进行连通域分析实现对天线图像的高精度瑕疵检测。本检测方法的精度可达2×2 pixels,并已成功应用到RFID天线检测设备上,天线瑕疵尺寸检测精度可达0.2 mm×0.2 mm。     

硅中缺陷的透射电镜观察

随着集成电路制造工艺技术的不断进步,器件线宽不断减小,硅材料中缺陷的危害越来越不可忽视.通过TEM观察了硅中氧沉积、工艺诱生缺陷等并对之进行了分析.     

热轧板HIC试样缺陷的超声判定技术

为了快速检测出热轧板HIC试样中的夹杂和裂纹,并对缺陷进行准确定位、定性和测长,首先采用60°斜探头对夹杂和裂纹进行定位和定性,再用直探头检测出缺陷的长度,最后给出了夹杂和裂纹的静态和动态反射波形。该超声波判定技术可以用来确认试样是否符合标准要求,并进一步判定相应产品是否合格。与传统检测方法相比,该技术能够快速准确地定位和定性缺陷,并且定量精度由原来的2 mm提高至0.5 mm,能够满足API SPEC 5L的相关要求。     

基于Mie理论的微体缺陷激光测试技术的理论与实验研究

提出了一种基于瑞利散射定律及米氏理论(Rayleigh & Mietheory)的、在垂直于入射光方向接收散射光以极大提高衬度来检测材料内部微纳米级体缺陷的无损检测新途径,叙述了有关的理论基础,进行了系统的计算机仿真与实验研究,验证了理论的正确性及方案的可行性,说明利用光散射测量微纳米级体缺陷是可行的,进而为下一步的激光扫描层析技术(LST)打下了基础。