基于反电势线性拟合的无霍尔BLDC驱动方法

对于以反电势过零点判断来控制无感直流无刷电机的方案,在驱动的低速阶段,由于反电动势值过小,难以准确地检测过零点,针对该问题,提出一种新的低速反电势过零检测方法。该方法在低速采用线性拟合代替硬件判断反电势过零点,并在PWM_OFF时刻进行反电势采样,提高了低速阶段的控制性能,通过Matlab的Simulink仿真证明该方案切实可行。     

含梯度折射率缺陷的一维光子晶体滤波性能研究

为实现一维光子晶体更优越的滤波特性,引入渐变折射率缺陷层,可以抑制某些特定频率的电磁波,产生光子禁带。利用时域有限差分（FDTD）法,严格求解麦克斯韦方程组。研究了缺陷层的折射率变化为抛物线型时对应的透射率谱线,并分析了周期介质层的折射率比、厚度比及周期数,对滤波性能的影响。研究表明,增加折射率比,含梯度折射率缺陷层的一维光子晶体可以实现更大的滤波带宽;改变厚度比,可以影响透射峰位置;改变周期数,则可以影响透射率。这一研究结果对提高光子晶体滤波器性能具有一定参考价值。     

Global maximum power point tracking based on new extremum seeking control scheme

A new perturbed‐based extremum seeking control (PESC) scheme is proposed in this paper to track the global maximum power point (GMPP). The PESC scheme has two control loops based on power of the photovoltaic (PV) array: the first loop operates as usually to track the maximum power point and the second sweeps all local MPPs to locate the GMPP. Once the GMPP is located based on its uniqueness (after the PV pattern is quickly scanned many times, depending on the PV pattern's profile), the GMPP is accurately tracked based on first control loop. The used PV patterns have the profile of the PV power characteristics obtained for PV array under partially shaded conditions (PSCs). This PESC scheme is proposed to track the GMPP in the PV applications, but also in other multimodal problems from industry, being a good motif to revive the specialists' interest for the extremum seeking control field. The results obtained here are very promising for both search speed and tracking accuracy performances of the GMPP under different PSCs simulated on the PV array. Thus, the energy efficiency of PV array controlled with the proposed PESC scheme will increase with more than 1.2% in comparison with that obtained with the other MPP algorithms because of better performance shown by this PESC scheme. A 99.6% tracking accuracy is obtained here in comparison with a maximum 98.4% tracking accuracy reported in the literature. Furthermore, 100% hit and high search speed are obtained here for the GMPP localization. Copyright © 2015 John Wiley & Sons, Ltd.     

高能粒子辐射直拉硅中辐照缺陷的控制

受高能粒子辐射,在直拉硅中会产生各种辐照缺陷,对硅及硅基器件的性能产生不利的影响,对辐照缺陷的控制可以增加硅的辐照稳定性。     

提高两点温度定标法精度的焦平面非均匀性校准技术研究

凝视红外成像系统中的探测器非均匀性校准(降低固有空间噪声)技术是一项处在探索过程中的关键技术.目前实用性较好的两点温度定标法的校准系数精度受读出噪声、信号动态范围、模数转换字长和运算噪声的限制,很难使焦平面探测器的空间残留噪声达到应有的精度.文中探索了一种二次参数补偿的两点温度定标方案,由基本公式得到的校准参数值,再依据现实信号动态范围进行实时精度补偿,使之更加接近于理论计算值,从而使非均匀性校准的系数精度得到较大幅度提高.这一方案可在不改变图像处理机硬件开销和软件运行负担的前提下完成对两点温度定标法精度的补偿.计算机仿真实验结果证明了该方法的有效性,可降低残留空间噪声50%以上.     

SnO_2压敏材料势垒电压的测量

依照缺陷势垒模型 ,将压敏电阻器视为双向导通的二极管 ,应用半导体理论对低电压情况下的电流 -电压关系数据进行了处理 ,得到了 Sn O2 - Zn O- Nb2 O5压敏材料的势垒电压。选取的 4个测量温度得到的结果是相同的 ,保证了实验结果的正确性。     

基于影灭点的单视图三维重构

提出了一种单视图三维重构有大量平面构成,存在大量的方法,该方法需要用户提供图像点及其对应三维点之间的几何信息。由于结构场景平行性和正交性约束,所以该方法主要应用于结构场景的三维重构。重构过程分为两部分：首先,基于三组互相垂直方向的影灭点,对方形象素摄像机进行定标;然后,基于用户提供的共面性和场景平面的影灭线,计算点的三维坐标。采用真实图像测试,说明该方法有效且简单易用。     

生长气体流量对SiC单晶缺陷的影响

实现了熔融KOH进行SiC体单晶择优腐蚀估测缺陷密度的方法.本文报道了采用该技术对体SiC单晶缺陷密度估测的结果.腐蚀会在Si面形成六边形腐蚀坑,在C面形成圆形腐蚀坑.腐蚀速率和蚀坑形状与SiC生长工艺有关.对在高生长气流量下用PVT工艺制备的SiC样品,其刃位错、螺位错与微管密度分别为2.82×105,94和38cm-2;对在低生长气流量下用PVT工艺制备的SiC样品,其上述缺陷密度分别为9.34×105,2和29cm-2.结果表明:随着生长气体流量的增加,由于避免了N2掺杂,刃位错密度下降.     

特征提取在近红外激光检测半导体内微缺陷中的应用

提出了利用近红外激光散射光强分布分析来检测半导体材料内部微体缺陷的检测方法.在研究广义洛仑兹-米氏理论(Generalized Lorenz-Mie Theory)的基础上,通过对理论上散射光强分布的分析,近红外激光散射光强分布空间FFT的截止频率被提取为判定半导体材料缺陷大小的判据,依据这一判据,可以快速的判定微体缺陷的大小.并通过对GaAs样品进行了实验研究,证明了该方法和判据的有效性.     

开路缺陷的软故障关键面积研究

从软故障的产生机制出发,研究了软故障的作用模式.为了计算软