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文中详细地阐述了取河水、井水、水库水、跨流城引(排)水等不同情况进行还原的具体方法步骤。并对水量还原成果提出合理性检查措施。 相似文献
122.
A method of measuring and identifying the static parameters of a bipolar transistor is considered. The characteristic of the transistor, from which the parameters of the model are determined, is chosen depending on what group the calculated parameters belong to. The characteristics are measured in such a way that the equations of the model describing them can be reduced to the simplest form. 相似文献
123.
分析光折变三维存储器的机理,探讨了光折变三维存储器的编码方式、光折变材料的选择及存储技术,阐述了其产业化进程. 相似文献
124.
Thermal barrier coatings (TBC) are widely used to prevent transient high temperature attack and allow components high durability. Due to strong inhomogeneous material properties the TBC failure often initiates near the interface between the brittle oxide layer and the ductile substrate. A reliable prediction of the TBC failure requires detailed information about the crack tip field and the consequent fracture criteria. In the present paper both cohesive model and gradient plasticity are used to simulate the failure process and to study interdependence of the interface stress distribution with the specific fracture energies. Computations confirm that combination of the two models is able to simulate different failure mechanisms in the TBC system. The computational model has the potential to give a realistic prediction of the crack propagation process. 相似文献
125.
一种新型的多功能照相胶片影像质量评价方法 总被引:1,自引:0,他引:1
本设计了一种新型的多功能照相胶片感光性能和影像质量评价方法。这种方法的主要特点的快速、方便并有满足 实用要求的精确度。该方法仅使用一个测试标板,就可以很容易地测定出照相胶片的感光性能、分辨率、均方根粒度和密度振幅响应(DAR)值等多种表征影像质量的参数。本简要介绍该方法并给出试验结果及其与传统测试方法的比较和讨论意见。 相似文献
126.
127.
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130.
P. G. Muzykov Y. I. Khlebnikov S. V. Regula Y. Gao T. S. Sudarshan 《Journal of Electronic Materials》2003,32(6):505-510
To establish fast, nondestructive, and inexpensive methods for resistivity measurements of SiC wafers, different resistivity-measurement
techniques were tested for characterization of semi-insulating SiC wafers, namely, the four-point probe method with removable
graphite contacts, the van der Pauw method with annealed metal and diffused contacts, the current-voltage (I-V) technique,
and the contactless resistivity-measurement method. Comparison of different techniques is presented. The resistivity values
of the semi-insulating SiC wafer measured using different techniques agree fairly well. As a result, application of removable
graphite contacts is proposed for fast and nondestructive resistivity measurement of SiC wafers using the four-point probe
method. High-temperature van der Pauw and room-temperature Hall characterization for the tested semi-insulating SiC wafer
was also obtained and reported in this work. 相似文献