非旋波近似下薛定谔猫态光场与V型三能级原子相互作用系统的量子特性

在非旋波近似下,通过采用相干态正交展开的方法,对薛定谔猫态光场与V型三能级原子相互作用的量子特性进行了研究。首先,精确求解了V型三能级的能谱,并判断了系统的保真度。其次,演化问题的结果表明：当原子初态处于基态时,随着初始光场强度的增大,奇相干态和偶相干态的二阶相干度的振幅都减小,且表现出聚束效应与反聚束效应的临界状态。当原子初态处于叠加态时,随着初始光场强度的增大奇相,奇干态和偶相干态的二阶相干度的振幅都减小,且表现出聚束效应。最后,当系统耦合系数减小,光场二阶相干度的振荡幅度减小,光场呈现反聚束效应。     

Crystallization kinetics of Sn40Se60 thin films for phase change memory applications

The crystallization kinetics of Sn₄₀Se₆₀ thin films has been successfully investigated using sheet resistance versus temperature measurements. Thermal evaporation was used to deposit the films on ordinary glass substrates. The crystallization temperature for Sn₄₀Se₆₀ thin film was found to be 156.6 ± 0.3 ℃. In the as-deposited state, the sheet resistance was found to be 195 MΩ, this value declined to 1560 Ω/口 upon annealing. The value of activation energy obtained from the Kissinger plot was 0.62 ± 0.07 eV. From the results obtained, Sn₄₀Se₆₀ is a promising alloy for PCM application because of its high electrical contrast, high crystallization temperature, and relatively high activation energy.     

不对称金纳米结构的光致热增强效应的调控研究

提出了一种产生光致热增强效应的不对称的人工金 纳米结构,建立了物理模型并进行了计算。采用离散偶极近似(DDA)方法计算水介质环境中 该结构及其不对称性改变后对吸收光谱及近区电磁场分布的影响,进而 利用傅里叶热传导定律数值模拟了该结构产生的热增强效应。结果表明:改变纳米结构的不 对称程度会明显影响结 构的光谱吸收位置、线型和峰值强度;同时,通过调节纳米结构的不对称性也可以有效地将 磁场能转化为热能,并 在结构周围形成高度限定的局域热增强现象。本文提出的纳米结构可在较大的近红外波段范 围内调控温度,可作为纳米尺度 下精确控制光致热效应的温度和设计热等离子纳米器件之参考。     

ESEI能量回收接口电路的设计与仿真

具有较大回收功率且回收功率不随负载变化是设计基于压电效应的能量回收接口电路需要考虑的主要因素,标准接口、SECE、串联SSHI、并联SSHI是常用的四种接口电路,其中SECE接口电路的回收功率与负载无关,基于此提出了一种新的压电能量回收接口电路——ESEI(Enhanced Synchronous Charge Extraction and Inversion Interface)接口电路,分析计算了该接口电路在恒定激振位移下的回收功率,并利用电子仿真软件Multisim对ESEI和四种接口电路的回收功率进行了仿真和比较。结果表明当负载大于临界值时,ESEI接口电路的回收功率达到最大值且与负载没有关系,该最大回收功率值约为SECE接口电路的4倍,仅小于并联SSHI接口电路。     

关注电磁学相关物理效应的教学

本文提出在"电磁场理论"和"电磁场与电磁波"课程教学中关注电磁学相关物理效应,并分析其必要性和可行性。关注电磁学效应的教学,将有助于学生对电磁场与电磁波相关基本概念和定理的理解,有利于提高学生的创新研究能力,有助于激发学生的学习兴趣和科研热情。在本课程教学过程中,可根据不同专业的需要和教学内容的相关性等,适当选讲具有一定理论和实际意义的电磁学效应。     

H2 plasma treatment at the p/i interface of a hydrogenated amorphous Si absorption layer for high‐performance Si thin film solar cells

Plasma treatment (PT) of the buffer layer for highly H₂‐diluted hydrogenated amorphous silicon (a‐Si:H) absorption layers is proposed as a technique to improve efficiency and mitigate light‐induced degradation (LID) in a‐Si:H thin film solar modules. The method was verified for a‐Si:H single‐junction and a‐Si:H/microcrystalline silicon (µc‐Si:H) tandem modules with a size of 200 × 200 mm² (aperture area of 382.5 cm²) under long‐term light exposure. H₂ PT at the p/i interface was found to eliminate non‐radiative recombination centers in the buffer layer, and plasma‐enhanced chemical vapor deposition at low radio‐frequency power was found to suppress the generation of defects during the growth of a‐Si:H absorption layers on the treated buffer layers. With optimized H₂ PT of the a‐Si:H single‐junction module, the stabilized short circuit current and fill factor increased, and the stabilized open circuit voltage moves beyond its initial value. The results demonstrate 7.7% stabilized efficiency and 10.5% LID for the a‐Si:H single‐junction module and 10.82% stabilized efficiency and 7.76% LID for the a‐Si:H/µc‐Si:H tandem module. Thus, the growth of an a‐Si:H absorption layer on a H₂ PT buffer layer can be considered as a practical method for producing high‐performance Si thin film modules. Copyright © 2012 John Wiley & Sons, Ltd.     

多量子阱垂直腔面发射半导体激光器的速率方程分析

依据多量子阱垂直腔面发射半导体激光器（ＶＣＳＥＬＳ）的结构特点,并考虑到腔量子电动力学中自发辐射增强效应,建立了多量子阱ＶＣＳＥＬＳ的速率方程,并给出了其方程的严格解析解,在此基础之上,讨论了ＶＣＳＥＬＳ的稳态特性,并与普通开腔和三维封闭腔中的结果进行了比较,给出了Ｖ     

光纤电流传感器研究新进展

介绍了全光纤电流传感器自１９９４ 年以来在光纤处理技术、新光路设计、新材料光纤、新结构光纤及对系统性能的专项研究方面取得的新进展。     

激光熔覆试件疲劳过程磁记忆检测试验研究

运用金属磁记忆检测技术对激光熔覆试件进行应力评价。对激光熔覆试件进行疲劳试验,检测不同疲劳周次试件表面的磁记忆信号法向分量H_p(y)和切向分量H_p(x),观察不同疲劳周次的磁记忆信号特征,分析法向分量梯度偏离程度R随着疲劳周次N增加的变化规律。结果表明:随着N的增加,H_p(y)曲线均呈顺时针旋转,R值先缓慢增加、后迅速陡增;运用R值作为参量将熔覆试件的损伤程度划分为三个等级,确定试件的安全阈值分别为2.82和9.4。当R值达到9.4的阈值时,试件处于临界断裂状态,应及时干预,确保其安全服役。基于磁弹性效应和裂纹扩展磁机械效应探讨了熔覆试件应力的磁记忆评价机理。     

FAT文件系统在NAND FLASH上的磨损均衡研究

提出一种应用于NAND FLASH上实现FAT文件系统磨损均衡的方法,通过保留已删除文件在FAT表中的表项和重写文件时将内容写入新簇的方式,实现对NAND FLASH的均衡使用.在牺牲一定读写速度的前提下,有效地实现了对NAND FLASH的均衡磨损,延长了NAND FLASH的使用寿命.在文件系统层研究磨损均衡,实现难度小,且对标准FAT文件系统兼容,具有一定的可行性和实用性.