激光侧抽运晶体温度分布的非均匀发热模型计算

针对半导体侧面抽运固体激光晶体的温度分布问题,使用类高斯的非均匀发热模型,对LD侧面抽运棒状固体激光介质的温度分布问题进行了计算,推导并最终得到了侧面抽运情况下棒状激光晶体内温度分布的近似解析表达式.与以往的报道相比,所使用的类高斯发热模型比均匀发热模型更符合激光器的实际工作情况,使用该模型计算温度分布将得到更为精确的结果.     

ε‐Branched Flexible Side Chain Substituted Diketopyrrolopyrrole‐Containing Polymers Designed for High Hole and Electron Mobilities

Based on the integrated consideration and engineering of both conjugated backbones and flexible side chains, solution‐processable polymeric semiconductors consisting of a diketopyrrolopyrrole (DPP) backbone and a finely modulated branching side chain (ε‐branched chain) are reported. The subtle change in the branching point from the backbone alters the π?π stacking and the lamellar distances between polymer backbones, which has a significant influence on the charge‐transport properties and in turn the performances of field‐effect transistors (FETs). In addition to their excellent electron mobilities (up to 2.25 cm² V^?1 s^?1), ultra‐high hole mobilities (up to 12.25 cm² V^?1 s^?1) with an on/off ratio (I_on/I_off) of at least 10⁶ are achieved in the FETs fabricated using the polymers. The developed polymers exhibit extraordinarily high electrical performance with both hole and electron mobilities superior to that of unipolar amorphous silicon.     

一种新型原边反馈反激式数字控制LED驱动电源设计

设计了一种采用新型数字控制方法的原边反馈反激式LED恒流驱动电源。该电源电路运用拐点检测法测量副边电路放电时间,运用增量式PID算法调节恒流和功率因数,实现对电路的精确恒流控制和保持较高的功率因数。通过分析其控制原理,给出设计流程,最终基于FPGA实现控制,进行了样机设计和算法验证。实验结果表明所提出电路全工作范围内恒流精度达到6%,功率因数高于0.97,整机效率超过80%。本电路结构简单,控制精度高,具有较高的实用价值。     

关于硬件木马电路检测技术分析及发展趋势探讨

本文结合HTH电路的复杂性等特征分析与实际应用现状,研究了HTH电路的具体检测技术方法并对当前热点技术进行对比分析,探讨了HTH电路检测方法的技术发展趋势。     

基于格理论的非均匀稀疏线阵旁瓣结构的分析方法

 在有限个阵元的情况下,非均匀稀疏线阵能得到更大的阵列孔径。但由于其是对空间信号的非均匀采样,不能通过常规的傅立叶变换方法求得其峰值旁瓣解析表达式。本文提出了一种基于格理论的非均匀稀疏线阵的旁瓣结构分析方法。首先建立了阵列流形格的数学模型并对其物理含义进行了仿真分析,然后推导了阵列流形格最近格点与峰值旁瓣的对应关系,从而将非均匀稀疏线阵峰值旁瓣结构分析问题转化为求距阵列流形格原点最近格点问题。该方法可以准确地确定非均匀稀疏线阵旁瓣中增益大于门限电平的旁瓣个数及其各自的方位。计算机仿真结果表明了该方法的有效性和准确性。     

InAs/GaSb超晶格/GaSb体材料中短波双色红外探测器

采用GaSb体材料和InAs/GaSb超晶格分别作为短波与中波吸收材料,外延生长制备了NIPPIN型短中双色红外探测器。HRXRD及AFM测试表明,InAs/GaSb超晶格零级峰和GaSb峰半峰宽FWHM分别为17.57 arcsec和19.15 arcsec,10μm×10μm范围表面均方根粗糙度为1.82?。77 K下,SiO_2钝化器件最大阻抗与面积乘积值RA为5.58×10~5Ω?cm~2,暗电流密度为5.27×10~(-7)A?cm~(-2),侧壁电阻率为6.83×10~6Ω?cm。经阳极硫化后,器件最大RA值为1.86×10~6Ω?cm~2,暗电流密度为4.12×10~(-7)A?cm~(-2),侧壁电阻率为4.49×10~7Ω?cm。相同偏压下,硫化工艺使器件暗电流降低1-2个数量级,侧壁电阻率提高了1个数量级。对硫化器件进行了光谱响应测试,器件具有依赖偏压极性的低串扰双色探测性能,其短波通道与中波通道的50%截止波长分别为1.55μm和4.62μm,在1.44μm、2.7μm和4μm处,响应度分别为0.415 A/W、0.435 A/W和0.337 A/W。     

LD泵浦光在侧泵模块水冷结构传输中的偏振态变化和光强衰减分析

以LD泵浦光在侧泵模块水冷结构中的传输过程为研究内容,基于模块结构参数、光波传输特性及介质透光特性,系统分析了泵浦光在各介质表面和内部的偏振态变化、光强衰减过程及变化规律。重点分析了由介质表面菲涅尔效应和内部吸收效应等造成的光强衰减;计算了泵浦光在水冷结构中单次往返过程的损耗系数和偏振态变化矩阵。分析结果对于优化模块泵浦效率、增强散热效果等有一定借鉴作用。     

一款深亚微米ASIC芯片的后端设计

采用0.18μm及以下工艺设计高性能的VLSI芯片面临着诸多挑战,如特征尺寸缩小带来的互联线效应、信号完整性对芯片时序带来的影响、时序收敛因为多个设计变量的相互信赖而变得相当复杂,使芯片版图设计师需深入介入物理设计,选用有效的EDA工具,结合电路特点开发有针对性的后端设计流程。文章介绍了采用Cadence公司Soc Encounter后端工具对基于0.18μm工艺的ASIC芯片后端设计过程,分为后端设计前的数据准备、布局规划、电源设计、单元放置及优化、时钟树综合、布线等几个阶段进行了重点介绍。同时考虑到深亚微米工艺下的互联线效应,介绍了如何预防串扰问题,以及在整个布局布线过程中如何保证芯片的时序能够满足设计要求。     

四川盆地龙门山北段隐伏构造带特征及其油气勘探意义

2014年以来,四川盆地西北部(以下简称川西北)龙门山山前带双鱼石地区上古生界天然气勘探获得重大发现,先后在中二叠统栖霞组、中泥盆统观雾山组钻获多口工业气井。随着勘探工作的稳步推进,深入开展龙门山逆冲推覆构造前锋带—山前带构造特征研究,是认识该区上古生界气藏特征、拓展油气勘探领域的重要前提。为此,基于新部署的线束三维地震、重磁电资料以及ST9等井的实钻成果,解剖了龙门山逆冲推覆构造前锋带—山前带的构造特征,进而分析了该区隐伏构造带的构造特征、天然气成藏条件和勘探前景。结果表明:(1)龙门山逆冲推覆构造前锋带(1)号隐伏断裂之下发育大型隐伏构造带,其地层受挤压褶皱变形,发育下三叠统嘉陵江组以下的海相地层;(2)由南到北(1)号断裂底部滑脱层位由浅变深,从南部的寒武系滑脱,向北部逐渐转换为基底卷入,古生界及其以上地层整体抬升,越向北抬升幅度越大,断裂上下盘之间的位移距离、褶皱幅度也越大,北部相对南部上古生界构造整体抬升约1 500 m;(3)在剑阁以西—广元地区,(1)号断裂东侧整体表现出"三级台阶"的构造格局。结论认为:龙门山逆冲推覆构造前锋带(1)号断裂下盘隐伏构造带面积达1 800 km2,具有优越的天然气成藏条件,其中观雾山组和栖霞组储集条件、保存条件好,是川西北深层海相层系天然气勘探拓展寻找新突破的重要领域,具有现实的油气勘探意义。     

500kV母线侧刀闸分闸操作异常的分析及处理

本文主要对某500kV变电站在进行500kV线路停电倒闸操作中,500kV母线侧刀闸多次出现分闸异常事件进行分析,得出主要原因以及提出发生类似事件应该如何正确处置.该事件主要是因为500kV母线侧垂直伸缩式刀闸因动静触头无法正常分开而导致分闸异常,进一步可能发生母线扯落事故.总结经验,提出正确的应急处置方法,减少刀闸操作异常时间,对保证电网稳定安全运行有重大意义.