多信道光纤环形网络结构分析

本文对多信道光纤环形网络结构进行了详细分析，推导出环网内平均路经长度和最大直径计算公式，并分析了最佳多信道光纤环网结构。     

超大直径铝合金环形件轧制工艺研究

超大直径铝合金环形件是运载火箭关键联结件,研究开发大型铝合金环件的轧制工艺是我国航天工业的需求。西安重型机械研究所在国产5m径-轴向数控轧环机上进行了5m铝合金环件的轧制工艺试验,采用合理、可行的轧制工艺,成功的轧制了Φ5000mm/Φ4707mm×300mm铝合金环形件。该轧制工艺高效、节材、环件精度高。     

一种Ku波段帽型组合馈源设计分析

针对船载小口径天线的馈源设计需求,对一种新型组合馈源的馈电结构进行了模式分析,给出了一个环形口面辐射场的计算方法。通过优化提出了一个Ku频段线极化工作的组合馈源设计实例。经过CST优化仿真,组合馈源的反射板不到3个波长,且在馈源辐射波束半张角为90°时,主面边缘照射电平约为-10 dB。同时由于该组合馈源具有自支撑结构优点,因此非常适合应用于小口径、小焦径比的反射面天线。     

腔内元件对激光陀螺光波传输特性的影响

基于光线传输矩阵理论,结合高斯光束特征参数,研究了球面镜曲率半径和腔体长度变化对环形腔子午面和孤矢面内束腰半径的影响.结果表明:两束腰半径均随曲率半径和腔体长度的增大而增大.在此基础上,分析了这种变化对环形腔内光强分布、多横模耦合和光波传输等相位面大小的影响.     

RPR技术及其在城域传送网中的应用

PRP技术是IEEE 802.17定义的一种在环型结构上优化数据业务传送的新型MAC层协议,能适应多种物理层,可以有效地传送话音、数据、视频等多种类型的业务。介绍了RPR(弹性分组环)的技术特点、实现方案以及在城域传送网中的应用。     

一种分层的环状应用层多播模型

提出了一种新型的适合于大规模应用层多播的模型VRBH(Virtual Ring-Based Hierarchy),它以环作为拓扑结构,同时引入了分层和虚拟环的概念。采用了基于优先级的动态规划方法使得该环状拓扑结构随时间的变化逐渐趋于合理,并且采取一定的措施使得当出现数据传输错误时可以进行快速的恢复。由仿真试验结果得知该模型具有较低的控制开销,较高的带宽利用率和较高的数据传输率,应用该多播模型可以较好地提高多播的性能。     

OCDMA环网的码字消除功能及其性能分析

分析了一种光码分多址(OCDMA)环网中码字消除结构,使用马尔科夫链模型和状态转移概率矩阵得出了环中各用户的误码率(BER)的表达式,计算表明,该码字消除结构虽然能够有效地把码字从环网中消除掉,避免码字在环网中循环产生干扰累加,但是会明显恶化经过码字消除结构的其它用户的BER性能;讨论了环网中用户的BER性能与码长、判决阈值的关系;针对码字消除对OCDMA环网的重要性,提出了一种基于BER监测及反馈的方法来降低码字消除结构造成的BER恶化,仿真结果表明,该方法能有效改善用户的BER性能.     

环形钛酸锶元件电性能的控制研究

研究了不同LiOH掺杂量和烧结温度对环形钛酸锶元件电性能的影响。实验结果表明,随着LiOH含量的增加,压敏电压先降低,后升高,在x(LiOH)为4.5%时,电压呈现最低值;同时,烧结温度也是影响电性能的重要因素之一,1400℃是电性能发生明显变化的转折点。借助SEM对样品进行了观察和分析,发现LiOH主要是通过影响晶界的行为来控制元件宏观的电性能。     

变频调速应用技术（十一）——第六讲经济效益赞变频（上）

本文分析了节能问题的几个方面。主要有：负载需求与节能的关系，调速方法与节能的关系，以及大马拉小车的节能问题等。     

Fabrication and characteristics of a 4H-SiC junction barrier Schottky diode

4H-SiC junction barrier Schottky(JBS)diodes with four kinds of design have been fabricated and characterized using two different processes in which one is fabricated by making the P-type ohmic contact of the anode independently,and the other is processed by depositing a Schottky metal multi-layer on the whole anode.The reverse performances are compared to find the influences of these factors.The results show that JBS diodes with field guard rings have a lower reverse current density and a higher breakdown voltage,and with independent P-type ohmic contact manufacturing,the reverse performance of 4H-SiC JBS diodes can be improved effectively. Furthermore,the P-type ohmic contact is studied in this work.