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本论文主要介绍高压大电流VDMOS功率晶体管的研制。这次研制的VDMOSFET,设计耐压高达600V,导通电流达到8A,导通电阻为1Ω。设计中,按照要求,确定外延层浓度和厚度;芯片元胞结构参数,阱掺杂浓度;器件边缘保护环,场极板参数。在大量参阅国内外资料的基础上,我们提出新的芯片元胞设计方案,由此确定的垂直电流区宽度比以往方案缩小一个数量级,大大节约芯片面积,成功地实现了把大约二万人元胞集成在一块芯片上。同时,在器件边缘终端结保护环设计中提出新思路,提高了器件可靠性,并有效减少芯片面积。 相似文献
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付文羽 《大气与环境光学学报》2001,(6)
向抖动中注入一定强度的随机噪声,以消除机械抖动激光陀螺的动态闭锁误差。研究了噪声注入效率问题,通过理论推导得到了噪声注入效率与抖动系统品质因素的关系。 相似文献
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本文分析了全环形镜面利用的多程环形腔的运行特性和输出特性。 相似文献
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本文对多信道光纤环形网络结构进行了详细分析,推导出环网内平均路经长度和最大直径计算公式,并分析了最佳多信道光纤环网结构。 相似文献
100.
超大直径铝合金环形件轧制工艺研究 总被引:1,自引:0,他引:1
超大直径铝合金环形件是运载火箭关键联结件,研究开发大型铝合金环件的轧制工艺是我国航天工业的需求。西安重型机械研究所在国产5m径-轴向数控轧环机上进行了5m铝合金环件的轧制工艺试验,采用合理、可行的轧制工艺,成功的轧制了Φ5000mm/Φ4707mm×300mm铝合金环形件。该轧制工艺高效、节材、环件精度高。 相似文献