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91.
ABSTRACT

We focus on crack propagation to investigate surface cracks in the mould during continuous casting, based on the crack initiation mechanism proposed in previous studies. The temperature and stress data of a solidified shell were extracted, and an extended finite element model based on the continuous damage theory of elastic–plastic materials was developed to simulate surface crack propagation. The results showed that, in the cracked area, stress concentration occurred at the crack tip, and the element split open and the crack propagated when the maximum principal stress in the stress concentration area reached the critical value. Prefabricated cracks in the fillet and web mainly developed into longitudinal cracks in the mould. The theoretical mechanism of this study was found to be the same as the crack propagation mechanism observed during the actual production of beam blanks. Thus, this study reveals the theoretical principle of crack initiation and propagation and can provide theoretical guidance for controlling surface cracks during beam blank continuous casting.  相似文献   
92.
根据朗伯比尔定律,以红外光谱吸收法为原理,设计了以MSP430F149为主控制器的便携式甲烷浓度检测仪。通过液晶显示器显示现场检测的气体浓度,并根据预先设定好的浓度进行声光报警。能通过串口通讯与上位机进行通讯,将存储的多组数据进行进一步分析。本仪器具有携带方便、操作简单、灵敏度高测量准确和等特点。  相似文献   
93.
针对由于缺乏可靠的生物传感器,谷氨酸发酵中重要的生物参数—菌体浓度不能在线测量,更不能对其实现控制的情况,提出了基于径向基神经网络的内模控制。既解决了由于谷氨酸发酵内部机理复杂而难以建立菌体浓度模型的难题,又实现了谷氨酸菌体浓度的内模控制;同时也解决了内模控制中逆模型建模的问题。仿真结果表明,该方法实现了谷氨酸菌体浓度的有效控制,鲁棒性强、抗干扰能力好,具有良好的实际应用和推广价值。  相似文献   
94.
采用添加造孔剂的方法制备多孔锆钛酸铅(PZT95/5)铁电陶瓷, 研究了孔结构包括孔隙率、孔径及孔形状对多孔PZT95/5陶瓷机械性能和电性能的影响及机理, 并揭示多孔PZT95/5陶瓷微观结构、机械性能和铁电性能的内在联系。研究表明: 孔隙率的增加降低了多孔PZT95/5陶瓷的声阻抗, 改善了陶瓷与封装材料的声阻抗匹配. 孔隙率增加, 多孔PZT95/5陶瓷的屈服应力和剩余极化强度降低, 矫顽场强增大。孔结构对多孔PZT95/5陶瓷屈服应力的影响可由应力集中理论解释; 多孔PZT95/5陶瓷剩余极化强度随孔结构的变化可用内应力结合空间电荷理论加以解释。  相似文献   
95.
本文分析了摩托车离合器主轴用材、金相组织、显微硬度以及断口扫描电镜(SEM)宏观、微观形貌,结果表明,该摩托车离合器主轴断裂主要原因是轴颈突变截面尖角顶端曲率半径ρ值太小,形成很大的应力集中从而形成裂纹源,然后裂纹逐步扩展造成的。  相似文献   
96.
用射频磁控溅射方法在不同基片温度下玻璃基片上分别制备NiO单层膜、NiFe单层膜和NiO/NiFe双层膜,研究了不同基片温度对膜的磁性能的影响.用振动样品磁强计(VSM)分析了膜的磁特性,结果表明:基片温度260℃时淀积的NiFe膜矫顽力Hc为184A·m-1,小于室温淀积NiFe膜的Hc(584A·m-1),且磁滞回线的矩形度更好.室温下淀积NiO(50nm)/NiFe(15nm)双层膜的Hc为4000A·m-1,交换耦会场(HEX)仅为1600A·m-1,磁滞回线的短形度很差,而260℃时淀积的双层膜的Hc下降到3120A·m-1,HEX却增大为4640A·m-1,同时磁滞回线的矩形度也得到改善,其截止温度TB高达230℃.X射线衍射(XRD)分析了膜的织构,结果表明:室温下淀积NiO膜呈现(220)织构,而260℃时淀积NiO膜呈现(111)织构;室温和260℃淀积的NiFe膜都呈(111)织构,但后者晶粒比前者大.  相似文献   
97.
The carrier screening effect occurs commonly in dielectric materials. It reduces the electric potential gradient, thus negatively affecting the functionality of resistive random access memory (RRAM) devices. An Au/ZnO film/Al-doped ZnO device fabricated in this work exhibited no resistive switching (RS), which was attributed to the carrier screening effect. Therefore, annealing was used for alleviating the screening effect, significantly enhancing the RS property. In addition, different on/off ratios were obtained for various bias values, and the screening effect was accounted for by investigating electron transport mechanisms. Furthermore, different annealing temperatures were employed to modulate the free carrier concentration in ZnO films to alleviate the screening effect. The maximal on/off ratio reached 105 at an annealing temperature of 600 °C, yielding the lowest number of free carriers and the weakest screening effect in ZnO films. This work investigates the screening effect in RS devices. The screening effect not only modulates the characteristics of memory devices but also provides insight into the mechanism of RS in these devices.
  相似文献   
98.
衬底同步加热溅射BST薄膜的研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
介绍了一种衬底同步加热射频磁控溅射制备BST(BaxSr1-xTiO3)薄膜的新方法,讨论了BST薄膜的晶化效果对介电常数的影响,分析了薄膜的居里温度和εr-V铁电性能.XRD测试结果表明制备的BST薄膜具有完整的钙钛矿晶体结构,相对介电常数超过150,介质击穿强度大于1.3 MV/cm.使用这种方法不需要专门的退火工艺,就可以制备晶体结构完整的高介电常数BST薄膜.  相似文献   
99.
气溶胶质量浓度是评价大气环境变化的关键参数,光散射法是测量该参数的有效方法。但现有反演模型多采用散射光信号积分量反演质量浓度,导致颗粒物细化信息丢失,且未考虑颗粒形貌因素。针对上述问题,本文提出了一种采用散射光信号幅度分布反演气溶胶质量浓度的分形模型,充分利用了颗粒散射光的信号幅度信息与数目信息,有效提高了反演精度。实验结果表明:对于烟尘和空气样品,分形模型质量浓度反演值与实际测量值吻合,拟合直线斜率与1的绝对差为0.034和0.016,相关系数高于0.999,实验平均相对误差均小于7.7%,而电压积分量反演的质量浓度平均相对误差则在18.7%以内。该研究为光散射法应用于在线监测气溶胶质量浓度提供了一种新的精确反演方法。  相似文献   
100.
A high‐isolation dual‐polarized quad‐patch antenna fed by stacked substrate integrated waveguide (SIW) that is suitable for millimeter‐wave band is proposed in this paper. The antenna consists of a quad‐patch radiator, a two‐layer SIW feeding structure and two feeding ports for horizontal and vertical polarization. The two‐layer stacked SIW feeding structure achieves the high isolation between the two feeding ports (|S21| ≤ ?45 dB). Based on the proposed element, a 1 × 4 antenna array with a simple series‐fed network is also designed and investigated. A prototype working at the frequency band from 38 to 40 GHz is fabricated and tested. The results indicate that the proposed antenna has good radiation performance at 38 GHz that covers future 5G applications.  相似文献   
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