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S. Nishiwaki S. Siebentritt P. Walk M. Ch. Lux‐Steiner 《Progress in Photovoltaics: Research and Applications》2003,11(4):243-248
CuGaSe2 (CGS) thin films were prepared on tin‐doped indium oxide (ITO) coated soda‐lime glass substrates by thermal co‐evaporation to fabricate transparent solar cells. The films consisted of columnar grains with a diameter of approximately 1 μm. Some deterioration of the transparency of the ITO was observed after deposition of the CGS film. The CGS solar cells were electrically connected in series with Cu(In,Ga)Se2 (CIGS) solar cells and mechanically stacked on the CIGS cells to construct tandem cells. The tandem solar cell with the CGS cell as the top cell showed an efficiency of 7.4% and an open‐circuit voltage of 1.18 V (AM 1.5, total area). Copyright © 2003 John Wiley & Sons, Ltd. 相似文献
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研究了采用薄层WO3作为叠层有机发光器件电荷产生层时的性能并对其厚度进行了优化,器件的电荷产生层由Li掺杂的电子注入层和高透明的WO3组成.研究表明,薄层WO3具有很高的透明度,并能有效地产生和注入空穴.叠层器件性能与单发光单元器件相比较,其亮度及效率均有大幅提高,叠层器件的最大电流效率达到了4.2 cd/A,在相同的电流密度下,叠层器件的效率约为传统器件的2倍;同时,电荷产生层的性能与WO3薄膜厚度密切相关,WO3薄膜厚度为3 nm时,器件的效率在整个电流范围内都保持稳定.采用薄层WO3作为电荷产生层为制备高效叠层有机发光器件提供了一条有效的途径. 相似文献
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Youngseok Lee Vinh Ai Dao S. M. Iftiquar Sangho Kim Junsin Yi 《Progress in Photovoltaics: Research and Applications》2016,24(1):52-58
This paper presents an understanding of the fundamental carrier transport mechanism in hydrogenated amorphous silicon (a‐Si:H)‐based n/p junctions. These n/p junctions are, then, used as tunneling and recombination junctions (TRJ) in tandem solar cells, which were constructed by stacking the a‐Si:H‐based solar cell on the heterojunction with intrinsic thin layer (HIT) cell. First, the effect of activation energy (Ea) and Urbach parameter (Eu) of n‐type hydrogenated amorphous silicon (a‐Si:H(n)) on current transport in an a‐Si:H‐based n/p TRJ has been investigated. The photoluminescence spectra and temperature‐dependent current–voltage characteristics in dark condition indicates that the tunneling is the dominant carrier transport mechanism in our a‐Si:H‐based n/p‐type TRJ. The fabrication of a tandem cell structure consists of an a‐Si:H‐based top cell and an HIT‐type bottom cell with the a‐Si:H‐based n/p junction developed as a TRJ in between. The development of a‐Si:H‐based n/p junction as a TRJ leads to an improved a‐Si:H/HIT‐type tandem cell with a better open circuit voltage (Voc), fill factor (FF), and efficiency. The improvements in the cell performance was attributed to the wider band‐tail states in the a‐Si:H(n) layer that helps to an enhanced tunneling and recombination process in the TRJ. The best photovoltage parameters of the tandem cell were found to be Voc = 1430 mV, short circuit current density = 10.51 mA/cm2, FF = 0.65, and efficiency = 9.75%. Copyright © 2015 John Wiley & Sons, Ltd. 相似文献
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针对导管架平台应变传感器无法覆盖所有结构关键位置的现状,提出一种基于结构多尺度模拟的应变传感器优化布置方法.利用管单元和梁单元建立导管架平台宏观有限元模型,并基于静力分析确定结构的关键区域.建立关键区域的三维实体有限元模型,采用多点约束方法进行梁单元与实体单元的耦合,完成结构多尺度建模.对多尺度模型进行力学分析,确定应... 相似文献
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五强溪水电站主体工程混凝土浇筑垂直运输在大坝两岸分高、低层布置4台平移式20t缆索起重机。其中2台高缆从德国引进,属世界上首次采用全遥控的缆机,同时也是国内塔架最高的缆机;2台低缆属我国目前自行设计制造安装的规格最大、速度最高的缆机。 相似文献
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本文对钻井生产的噪声源进行了分析,同时也对正常钻井作业时的主要岗位点的噪声进行了调查。提出了井场钻井设备和职工宿舍的布局意见。 相似文献