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31.
Modeling ion implantation of HgCdTe   总被引:2,自引:0,他引:2  
Ion implantation of boron is used to create n on p photodiodes in vacancy-doped mercury cadmium telluride (MC.T). The junction is formed by Hg interstitials from the implant damage region diffusing into the MC.T and annihilating Hg vacancies. The resultant doping profile is n+/n-/p, where the n+ region is near the surface and roughly coincides with the implant damage, the n- region is where Hg vacancies have been annihilated revealing a residual grown-in donor, and the p region remains doped by Hg vacancy double acceptors. We have recently developed a new process modeling tool for simulating junction formation in MC.T by ion implantation. The interstitial source in the damage region is represented by stored interstitials whose distribution depends on the implant dose. These interstitials are released into the bulk at a constant, user defined rate. Once released, they diffuse away from the damage region and annihilate any Hg vacancies they encounter. In this paper, we present results of simulations using this tool and show how it can be used to quantitatively analyze the effects of variations in processing conditions, including implant dose, annealing temperature, and doping background.  相似文献   
32.
In the present study of gas–liquid contactors, mean residence/contact time was calculated from knowledge of superficial velocity and the gas phase hold-up, for various gas rates and impeller geometry and speeds, and compared with values obtained from RTD measurements. A new correlation, involving Flow Number, Froude Number, system geometry and the physical properties, is proposed. This uses the authors data and those available in literature.  相似文献   
33.
LDD方法在提高电路工作电压中的应用研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
曾莹  王纪民 《微电子学》1997,27(1):37-42
研究了利用轻掺杂漏结构来制作高电源电压器件的工艺方法。分析了LDD结构参数对器件击穿特性的影响,并结合实验结果对N^-区的注入剂量,长度及引入的串联电阻进行了优化设计。  相似文献   
34.
NMOS器件两次沟道注入杂质分布和阈电压计算   总被引:1,自引:1,他引:0  
王纪民  蒋志 《微电子学》1997,27(2):121-124
分别考虑了深浅两次沟道区注入杂质在氧化扩散过程中对表面浓度的贡献。对两次注入杂质的扩散分别提取了扩散系数的氧化增强系数、氧化衰减系数和有效杂地系数,给出了表面浓度与工艺参数之间的模拟关系式,以峰值浓度为强反型条件计算了开启电压,文章还给出了开启电压、氧化条件、不同注入组合之间的关系式。  相似文献   
35.
实体造型中的几何约束   总被引:5,自引:0,他引:5  
实体造型是一个基于约束的过程,完成从功能约束到几何约束、再到代数约束的转化而得到实体模型。本文讨论了几何约束的层次性及其表示,并且对几何约束同设计意图的关系进行了研究,提出了基于CSG/GCG/B-rep的模型表示。  相似文献   
36.
Work system improvements are implemented in various manufacturing processes to prevent problems caused by human errors. However, they are almost always applied to problems which have already occurred. This paper examines a method of identifying latent human errors existing within the work systems beforehand. A procedure for applying failure mode and effect analysis to this identification problem was defined based on over 1000 empirical errors: a work system decomposition criterion and fundamental error modes for listing latent human errors, and then applied to three practical manufacturing processes in order to evaluate its effectiveness.  相似文献   
37.
经济利润率是评价一个实际热力装置的主要指标之一。将有限时间热力学,非平衡量子统计理论和yong经济学相结合,导出了量子斯特林制冷机的最大利润率以及对应的性能界限,其结果与实际斯特林制冷机的优化设计和模型评估提供了一个最佳的预选方案。  相似文献   
38.
双塔脱丙烷工艺技术   总被引:1,自引:0,他引:1  
王学明 《乙烯工业》2002,14(2):53-58
对扬子乙烯装置双塔脱丙烷系统低压塔液泛、高压塔再沸器堵塞等问题进行了技术分析,提出了工艺流程修改方案,完善了双塔脱丙烷技术,对同类装置有参考价值。  相似文献   
39.
40.
俞镇慌 《产业用纺织品》2002,20(9):23-25,29
本文介绍了秸杆毡的成型工艺 ,通过植物所需的水、肥料和空气三种因素对秸杆毡的化学和物理性能进行了研究 ,该材料可被用作草皮栽培基质  相似文献   
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