石英衬底上溅射制备纳米SiCN薄膜

利用射频溅射方法在石英玻璃上沉积了纳米结构硅碳氮(SiCN)薄膜. SiCN薄膜表面由平均直径约50nm的SiCN纳米颗粒组成，这些纳米颗粒的紧密分布构造了薄膜的致密表面. 纳米SiCN薄膜呈现出典型的半导体导电特征. 通过调整N2流量参数可以获得不同带隙的SiCN薄膜材料，这种带隙可调的纳米结构SiCN薄膜在未来的半导体光电器件应用领域会有广阔的应用前景.     

循环间歇溅射工艺对PLT薄膜性能的影响

采用射频磁控溅射技术利用循环间歇溅射工艺,在Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备出了镧钛酸铅(PLT)薄膜。通过原子力显微镜、X-射线衍射仪分析了循环间歇溅射工艺对薄膜形貌、结构和铁电性能的影响。实验结果表明,相比于连续溅射工艺,循环间歇溅射工艺的基片温度较低,且制得的PLT薄膜晶粒细小、均匀,结构致密。薄膜具有纯钙钛矿型结构,循环次数从1次增加到3次,其(100)和(200)峰衍射强度逐渐增强,结晶性提高,铁电性能逐渐增强,其饱和极化强度由28μC/cm2增大到53μC/cm2,剩余极化强度由5μC/cm2增大到12μC/cm2。循环4次溅射后,薄膜的结晶性和铁电性开始下降。     

氮化铝薄膜的厚度对场发射特性的影响

采用射频磁控溅射方法,在n型(100)Si基底上沉积了不同厚度(20~150 nm)纤锌矿结构的纳米AlN薄膜。在超高真空系统中测量了不同膜厚样品的场发射特性,发现阈值电场随着厚度的增加有增大的趋势。厚度为44 nm的AlN薄膜样品具有最低的阈值电场(10 V/μm),当外加电场为35 V/μm时,最高发射电流密度为284μA/cm2。AlN薄膜场发射F-N曲线表明,在外加电场作用下,电子隧穿了AlN薄膜表面势垒发射到真空。     

多层介质膜光栅和介质膜反射镜抗激光损伤阈值研究

对多层介质膜光栅以及介质膜反射镜的激光损伤阈值进行了系统的研究。测试方法采用国际测试标准。测试结果表明,介质光栅的损伤阈值远低于未刻蚀的多层介质膜。对样品损伤形貌的扫描电镜照片分析发现,相比于未刻蚀的多层介质膜,介质膜光栅的初始损伤主要发生在光栅槽形的侧壁,且损伤主要是由驻波场的空间分布引起的本征吸收、制备过程中引入的杂质污染以及刻蚀过程中HfO2的化学计量机失衡引起的。     

金属铝诱导低温晶化非晶硅薄膜研究

采用PECVD法在镀铝的玻璃衬底上生长非晶硅薄膜，然后样品在氮气气氛下温度为500℃的条件下退火，成功地将非晶硅薄膜转化为多晶硅薄膜。利用XRD、RAMAN、SEM等测试方法，研究了不同铝膜厚度的非晶硅薄膜诱导晶化的过程实验结果表明，铝膜厚度较厚的样品在500℃下退火1h晶化为较好的多晶硅薄膜，而铝膜较薄的样品热处理后仍为非晶硅薄膜。     

New technique of comprehensive utilization of spent Al2O3 -based catalyst

A new technology was developed to recover multiple valuable elements from the spent Al2O3-based catalyst by X-ray phase analysis and exploratory experiments. The experimental results show that in the condition of roasting temperature of 750 ℃ and roasting time of 30 min, molar ratio of Na2O to Al2O3 of 1.2, the leaching rates of alumina, vanadium and molybdenum in the spent catalyst are 97.2%, 95.8% and 98.9%, respectively. Vanadium and molybdenum in sodium aluminate solution can be recovered by precipitators A and B, and the precipitation rates of vanadium and molybdenum are 94. 8% and 92. 6%. Al（OH）3 was prepared from sodium aluminate solution in the carbonation decomposition process, and the purity of Al2O3 is 99. 9% after calcination, the recovery of alumina reaches 90. 6% in the whole process; the Ni-Co concentrate was leached by sulfuric acid, a nickel recovery of 98. 2% and cobalt recovery over 98.5% can be obtained under the experimental condition of 30% H2SO4, 80 ℃, reaction time 4 h, mass ratio of liquid to solid 8, stirring rate 800 r/min.     

新型光学薄膜研究及发展现状

综述了近年来国内外在新型光学薄膜如高强度激光膜、金刚石及类金刚石膜、软X射线多层膜、太阳能选择性吸收膜和光通信用光学膜的制备及其在器件方面的研究和应用情况，并对光学薄膜的研究进行了展望。     

吸收透明导电薄膜生长与复光学常数测定

用带特殊热（冷）阱的可控制基片温度的电阻加热式真空蒸镀薄膜装置，把吸收透明导电薄膜Au和In2O3分别通过热蒸镀和活化反应淀积在玻璃基片上,In2O3的电阻为80Ω/□，光学透射率不小于80%，透明导电 薄膜的复光学常数可通过测量其反射和透射系数得到，但考虑到基片背表面的存在，必须对反射和透射系数进行修正，引入修正后所得到的复光学常数与椭偏测量的结果一致。     

胆红素的配位化学及其应用研究进展

胆红素是生物体内一种重要的物质，它和金属离子的配位对生物体内结石的形成起着至关重要的作用，文中概述了国内外对胆红素与金属离子在溶液中相互作用的机理、膜／水界面下胆红素与金属离子的配位以及有关胆红素配位化学的应用研究。     

CuxS(x=1,2)纳米薄膜的异步脉冲超声喷雾热解法制备

采用改进的异步脉冲超声喷雾热解技术在玻璃衬底上成功地制备了CuxS(x =1,2 )纳米薄膜 .研究发现 ,所制备的CuxS薄膜为多晶态 ;薄膜的晶相结构依赖于CuCl2 ·2H2 O和硫脲的摩尔比及衬底温度 .XRD和XPS分析表明 :样品为纯CuxS(CuS ,Cu2 S) ,拉曼谱研究表明其峰位分别在 472cm- 1 (Cu2 S)和 474cm- 1 (CuS)处 .