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11.
《Microelectronics Journal》2015,46(11):1012-1019
This paper presents a voltage reference generator architecture and two different realizations of it that have been fabricated within a standard 0.18 μm CMOS technology. The architecture takes the advantage of utilizing a sampled-data amplifier (SDA) to optimize the power consumption. The circuits achieve output voltages on the order of 190 mV with temperature coefficients of 43 ppm/°C and 52.5 ppm/°C over the temperature range of 0 to 120°C without any trimming with a 0.8 V single supply. The power consumptions of the circuits are less then 500 nW while occupying an area of 0.2 mm2 and 0.08 mm2, respectively.  相似文献   
12.
Since researchers began studying the mechanism of flavonoids’ anticancer activity, little attention has been focused on the modulation of redox state in cells as a potential chemotherapeutic strategy. However, recent studies have begun identifying that the anticancer effect of flavonoids occurs both in their antioxidative activity which scavenges ROS and their prooxidative activity which generates ROS. Against this backdrop, this study attempts to achieve a comprehensive analysis of the individual and separate study findings regarding flavonoids’ modulation of redox state in cancer cells. It focuses on the mechanism behind the anticancer effect, and mostly on the modulation of redox potential by flavonoids such as quercetin, hesperetin, apigenin, genistein, epigallocatechin-3-gallate (EGCG), luteolin and kaempferol in both in vitro and animal models. In addition, the clinical applications of and bioavailability of flavonoids were reviewed to help build a treatment strategy based on flavonoids’ prooxidative potential.  相似文献   
13.
ABSTRACT

The RF output power dissipated per unit area is calculated using Runge-Kutta method for the high-moderate-moderate-high (n+-n-p-p+) doping profile of double drift region (DDR)-based impact avalanche transit time (IMPATT) diode by taking different substrate at Ka band. Those substrates are silicon, gallium arsenide, germanium, wurtzite gallium nitride, indium phosphide and 4H-silicon carbide. A comparative study regarding power dissipation ability by the IMPATT using different material is being presented thereby modelling the DDR IMPATT diode in a one-dimensional structure. The IMPATT based on 4H-SiC element has highest power density in the order of 1010 Wm?2 and the Si-based counterpart has lowest power density of order 106 Wm?2 throughout the Ka band. So, 4H-SiC-based IMPATT should be preferable over others for the power density preference based application. This result will be helpful to estimate the power density of the IMPATT for any doping profile and to select the proper element for the optimum design of the IMPATT as far as power density is concerned in the Ka band. Also, we have focused on variation of power density with different junction temperatures and modelled the heat sink with analysis of thermal resistances.  相似文献   
14.
基于CVSD编码的无线语音系统方案的设计   总被引:2,自引:0,他引:2  
周捷  陈向东  李长春 《微电子学》2006,36(1):121-124
简要介绍了连续可变斜率增量(CVSD)调制的原理。与目前应用较为广泛的其它语音编码方式相比较,CVSD拥有更优的数字特性。着重介绍了由CML公司研制开发的基于CVSD的语音编码芯片———CMX649的特点及相关的应用方式。CMX649能够成功地应用在广泛的语音编码系统中,尤其适合无线语音系统应用。在此基础上,给出了一种实用性很强的低成本、低功耗无线语音系统的设计与应用方案。该方案可提供清晰可靠的语音传输,可广泛应用于农村地区,具有广阔的市场空间。  相似文献   
15.
Si纳米氧化线是构筑基于Si的纳米器件的基础。通过AFM针尖诱导阳极氧化加工的n型Si(100)的实验得到凸出的n型Si(100)氧化物高度和偏置电压成线性关系,与针尖扫描速度成负对数关系,并在前人的基础上深化了AFM针尖诱导氧化加工的机理和理论模型,得到了合适的加工条件为偏压8 V和扫描速度1μm/s。  相似文献   
16.
为了提高注入剖面测井的准确性,研制了一种新型注入剖面组合测井仪。该仪器由流量处理单元、伽马处理单元、井温处理单元、磁性定位处理单元、调制式传输、电源电路六部分组成。一次下井可同时测取流量、伽马、井温、磁性定位四组参数。具有测取资料精度高、单芯电缆传输、流量可单点测量也可连续测量以厦现场监测和维修方便等特点。  相似文献   
17.
BOC调制技术研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
战兴文 《信息技术》2006,30(6):119-121
伽利略卫星导航系统是欧洲自主的、独立的全球多模式卫星定位导航系统,提供高精度、高可靠性的定位服务,同时它实现完全非军方控制、管理。伽利略系统采用BOC调制方式。现介绍BOC调制的性质及和BPSK调制方式相比较的优点。  相似文献   
18.
It is shown that, for the spectrum analysis of digital quasi-periodic signals, one must use a procedure based on approximating the sequence of data readouts by a first-order trigonometric polynomial with a varying frequency of its harmonic functions.  相似文献   
19.
中、高压变频器产量越来越多,但试验手段大多比较落后,一般采用带电机空转的方法。本文介绍了一个高压变频器试验平台,通过该平台可以对电压等级在3kV~10kV、功率在5000kW以下的变频器进行实载试验。  相似文献   
20.
通过分析数字集成芯片多输出中电源电压瞬间下降的原因,对常规驱动电路结构进行改进。改进后单输出电路的峰值电流降为原来的2/3,再通过优化版图的电源布线,能有效防止电源电压下降,使芯片正常稳定地工作。  相似文献   
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