光电式数字静电电压表的研究

介绍应用现代光电技术、计算机技术等来实现静电电压的数字化测量。通过CCD技术和浮动阈值的方法实现对视频信号的二值化处理并通过计算机进行数据读取;研究实现了由目测表盘刻度到计算机读取电压值的转变。     

一次调频回路的设计与应用

以外高桥电厂300MW机组为例．介绍了一次调频回路的设计和不同投用方案的比较分析，并通过一次电网频率骤跌时记录下的历史数据，总结实际应用中存在的问题和改进的方法。     

浅谈变电站高压电气设备状态检修

引言 TBM是对电力一次设备推行以预防性试验为基础的计划检修制度。预防性试验是电力设备运行和维护工作中的一个重要环节,是保证电力系统安全运行的有效手段之一。预防性试验规程是电力系统绝缘监督工作的主要依据,在我国已有40多年的使用经验。现行标准是DL／T596—1996《电力设备预防性试验规程》,此前已进行过2次重大修改。     

水电站电气二次设备技术改造研究

水电站电气设备的安装分为一次设备的安装和二次设备的安装。二次设备的安装包括电气管路、电缆架的安装、机组辅助控制设备的安装、机组的自动化元件的安装等内容。在水电站电气安装中二次设备的安装是极重要的一部分,电气二次设备的安装情况直接决定水电站是否能安全可靠的运行,也关系着水电站的发电效益。综合水电站二次设备配置情况以及水电站电气二次设计的要求等几个方面的情况分析如何对水电站电气二次设备的技术进行改造。     

Ta/Ta2O5/Cu结构制备及应用性能研究

介绍了以Ta/Ta₂O₅/Cu为结构的平板MIM电容器的制备方法和性能测试,探究金属Cu直接作为钽电解电容器阴极层的可行性。通过阳极氧化法在钽箔表面制备非晶态的Ta₂O₅薄膜,以化学镀铜、磁控溅射镀铜两种镀铜工艺制备Ta/Ta₂O₅/Cu结构,并对所得结构进行结构表征和性能测试。实验结果表明：不同镀铜方式制备的Ta/Ta₂O₅/Cu结构在电学性能测试过程中都没有表现出电容特性,正负极之间的电阻仅有0.7Ω;以金属Cu直接作为钽电容器的阴极层会导致金属铜在测试过程中被氧化成铜离子从而进入Ta₂O₅介质层中,进而导致Ta₂O₅的击穿,因此金属铜不适合直接作为钽电容的阴极层。     

基于偏最小二乘回归多CCD拼接相机模型研究

为了建立多CCD拼接相机光学系统的数学模型,文章根据偏最小二乘回归理论,首先分析了CCD拼接原理,建立了光学畸变的单元相机数学模型和分析了拼接相机物空间坐标系和像空间坐标系的对应关系,最后由偏最小二乘计算方法解算出相机的内方位元素,建立了完整的数学模型.     

新型邻苯二甲酰胺类杀虫剂的研究进展

介绍了新型邻苯二甲酰胺类鱼尼丁受体杀虫剂的研究进展,包括国内外各大农药公司近年来公开的具有较好活性的化合物以及即将商品化产品氟虫酰胺(flubendiamide)的创制经纬和合成方法。     

星载固态功率放大器低气压放电和微放电研究

论述了低气压放电与微放电的产生机理。以要求在低气压和真空环境下能正常工作的某星载微波固态功率放大器为例,详细介绍了在设计和生产中对低气压放电和微放电所采取的预防措施,重点从放气孔设计、多余物和污染物的控制、结构件设计和表面处理等方面进行了详细论述。对C波段20 W固态功率放大器进行了低气压实验和真空实验,并进行了性能测试。结果表明,产品在实验过程中其幅频特性、频谱和电流与常压状态相同,无异常情况。该产品在卫星实际环境中工作正常,也证实了星载微波固态功率放大器在设计和生产中采取措施的有效性和必要性。     

基于InGaAsP/InP材料的二维半导体光子晶体激光器

描述了基于InGaAsP/InP材料的二维半导体光子晶体激光器的研究.主要介绍点缺陷型光子晶体激光器的理论设计、模拟分析及与器件性能的比较.理论上采用平面波展开法和有限时域查分法,预言了通过采用调整点缺陷腔的最近临空气孔的尺寸,可以提高缺陷腔的品质因子Q,从而提高激光器的工作性能,激光器的激射阈值;研制了不同近邻孔径尺寸的激光器,试验结果与理论模拟相一致.     

反应物量对纳米晶Fe_3Al组织和性能的影响

利用铝热反应熔化方法分别在反应物量为50、100、200g的条件下制备了块体纳米晶Fe3Al材料,通过TEM和XRD研究了材料的晶粒尺寸,并研究了材料室温压缩性能和硬度。结果表明,所制备的材料主要由非晶和纳米晶组织组成,当反应物量增大,部分区域甚至出现微米晶组织。反应物量为50g时Fe3Al材料中非晶较多,不存在微米晶;反应物量为100g时主要以纳米晶为主,非晶数量减少,伴随有少量的微米晶出现;反应物量为200g时,材料以纳米晶为主,微米晶数量较100g时有所增加。随着反应物量的增加,纳米晶相的平均晶粒尺寸增加,屈服强度和硬度呈先增大后减小的趋势。