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951.
《新材料产业》2001,(11):72-73
  相似文献   
952.
二氧化钒超细粉末制备技术及进展陕西省自然   总被引:4,自引:0,他引:4  
对二氧化钒超细粉末的各种制备方法、应用及进展情况进行了综述,并指出了二氧化钒超细粉末制备技术的发展方向.  相似文献   
953.
小颗粒氧化铈制备过程中的团聚控制   总被引:19,自引:3,他引:16  
吴君毅  高玮  张凡  古宏晨 《稀土》2001,22(1):5-8
本文主要探讨在草酸沉淀法制备氧化铈的过程中,通过调节pH、采用不同的沉淀剂和添加分散剂使中间产物草酸铵铈充分分散,最后经焙烧得到分散良好的小颗粒氧化铈。  相似文献   
954.
真空还原制备的VO2热致相变薄膜光学性质研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
卢勇  林理彬 《激光杂志》2001,22(3):8-10
本文对不同衬底制备的VO2薄膜进行了表面形貌测试,对其红外透射光谱和Raman光谱进行了研究,并进行370mm-900nm波段的光透射测试以及900nm波长的热滞回线性测试,表明所制备VO2薄膜具有优良的热致相变光学特性,薄膜为纳米结构,并且结晶状态不同的薄膜其Raman谱位置有改变,室温时的红外光谱表现出较好的红外振动特性。讨论了薄膜结晶状态对Raman位移的影响以及VO2薄膜的红外光谱。  相似文献   
955.
γ射线辐照引起的VO2薄膜结构和相变光学特性变化   总被引:1,自引:0,他引:1  
利用剂量为35kGy-3500kGy的Co^60γ源辐照VO2薄膜,对辐照后薄膜进行XRD和激光Raman光谱测试。结果表明,较低剂量γ辐照后VO2薄膜聘较显著的晶态变差现象,而高剂量γ辐照则在薄膜中产生退火效应,使薄膜晶态较好。由此引起VO2薄膜的热致相变的光学特性、特征Raman峰的强度和位置随γ辐照剂量的增加而出现变化。根据γ射线与物质相互作用原理对γ辐照引起的以上效应进行了讨论。  相似文献   
956.
成功地生长、制备出了双掺(Cu,Ce)钾钠铌酸锶钡晶体样品,测量了双掺(Cu,Ce)钾钠铌酸锶钡晶体在红光波段的二波耦合特性及其光诱导吸收变化。实验结果显示,双掺(Cu,Ce)钾钠铌酸锶钡晶体在红光波段具有好的光折变性能,基红光波段的二波耦合增益可达10cm^-1;且存在着较强的光诱导吸收现象,其光诱导吸收变化明显地依赖于泵浦束光强和探测束光偏振,探测束偏振方向平等晶体c轴时的光诱导吸收系数和探测束偏振方向垂直于晶体c轴时的光诱导吸收系数分别达0.53c^-1和0.26cm^-1,并以实验结果用两光折变中心模型进行了解释。  相似文献   
957.
对乙酰基偶氮胂褪色分光光度法测定铈Ⅳ   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
基于在 0.0 72~ 3.6mol/L硫酸介质中 ,Ce 对对乙酰基偶氮胂有褪色作用 ,建立了分光光度法测定铈的新方法。研究结果表明 ,本法表观摩尔吸光系数为ε548=6.62× 10 3,Ce 浓度在 0.40~ 12.0 μg/mL范围内遵守比尔定律 ,相对误差为 0 45 % ,相对标准偏差为 0.65 % (n =8)。本法用于测定水样中铈 ,结果满意  相似文献   
958.
张金涛  杨春勇  潘亮  李春东 《金属学报》2008,44(11):1372-1377
采用溶胶-凝胶法, 以γ-环氧丙氧丙基三甲氧基硅烷(γ-GPTMS)和正硅酸乙酯 (TEOS)为前驱体, 在2A12铝合金表面制备了稀土铈盐(Ce(NO3)3)掺杂的有机-无机杂化膜, 研究了铈盐掺杂浓度和涂层固化温度等工艺条件. 通过极化曲线和电化学阻抗谱(EIS), 比较了掺杂与未掺杂有机-无机硅烷杂化膜、铬酸盐转化膜和RE转化膜在3.5%NaCl (质量分数)溶液中的耐腐蚀性能. 测试结果均表明, 铈盐掺杂硅烷杂化膜的极化电阻比掺杂前增大了约13倍,并显著高于铬酸盐转化膜和RE转化膜.  相似文献   
959.
研究了少量Y和镧镨铈混合稀土对Mg-Li-Al合金铸态及热处理态微观组织和力学性能的影响.结果表明,Mg-Li-Al合金中加入0.5%Y,形成球状共晶组织,枝晶很少被熔断,α-Mg相连在一起,组织粗大,力学性能较低.经过均化处理和淬火后,力学性能提高不明显;Mg-Li-Al合金中加入0.5%镧镨铈混合稀土,组织中出现稳定的铝稀土化合物,这些铝稀土化合物在均化处理的时候,能减缓原子的扩散运动,降低了均化效果.淬火后,组织细化,α-Mg相变小,由于固溶强化和细晶强化的共同作用,力学性能提高了30%.  相似文献   
960.
针对超薄HfO2栅介质MOS电容,提出改进的四元件小信号等效电路模型,修正了双频C-V法,增加了串联寄生电阻和串联电感两个参数.结合双频测量结果计算出修正的C-V曲线,消除了高频时的频率色散现象,而且曲线更加接近理想C-V曲线.通过实验结果提取了寄生参数值并拟合出各元件值与MOS电容面积和反型层厚度的解析表达式.实验测量和理论计算表明该方法可提高通常C-V法的测量精度.  相似文献   
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