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61.
李志国  李静 《微电子学》1996,26(4):226-229
对Au/AuGeNi/n-GaAs欧姆接触进行了三种不同的应力试验:(1)高温存储(HTS),(2)常温大电流(HC)。(3)高温适当电流。试验结果表明,三种试验均造成了试验后期欧姆接触电阻增大,最后导致欧姆接触失效,AES分析表明,试验后的样品发生了Ni,Au和GaAs的互扩散。  相似文献   
62.
《中国钼业》2006,30(2):17-17
用蛋膜作模板制备仿生纳米超结构材料的方法,涉及一种仿生纳米超结构材料的制备技术。先将蛋壳除掉表面矿物质得蛋膜,去离子水清洗后备用。然后取浓度为0.05~0.20mol/L,离子摩尔数之比与产物化学式相对应的含钙、钡离子的阳离子化合物溶液和含铬酸根、硫酸根、钼酸根、钨酸根的阴离子化合物溶液,分置于蛋膜的两侧,调节pH,室温下反应10~15h。最后取蛋膜两侧反应产物,  相似文献   
63.
64.
65.
日本微波介电陶瓷的发展现状和趋势   总被引:2,自引:1,他引:1  
张忱 《材料导报》1995,9(5):46-48,41
介绍了日本近年来复合钙钛矿型化合物、Pb系钙钛矿型化合物、TiO3系化合物和BaO-TiO2系化合等高介电常数、低损耗微波介电陶瓷的发展现状和趋势。  相似文献   
66.
《激光与红外》1995,25(4):30-30
  相似文献   
67.
68.
1 INTRODUCTIONTheorthorhombicalloysareofgreattech nolog icalinterestinhightemperatureapplicationssincetheyhaveagoodbalanceamongst  相似文献   
69.
实验建立了含硫氰酸盐、硫化物固体废物中总氰化合物的测定方法,采用硝酸银滴定法、异烟酸-吡唑啉酮分光光度法分别测定总氰化合物含量高、低的样品。通过条件实验优化了前处理方式、称样量和干扰去除方法。该方法测定结果的相对标准偏差为0.43%~1.33%,加入标准物质回收率为91.5%~101.5%,精密度和准确度良好,符合测定要求。  相似文献   
70.
在2:17型稀土-铁-碳化物中,用Ga替代Fe,可稳定稀土碳化物的晶体结构。本文讨论了Sm2Fe17-xGaxCy(2≤x≤6,0≤y≤3.0)化合物的形成。结果与磁性,给出了单胞体积V,室温饱和磁化强度σs居里温度Tc和室温各向异性场Ha与Ca和C含量的关系,发现在低Ga和高C样品中,居里温度一般大于620K,室温各向异性场高于120KOe,快淬方法获得在室温轿顽力大于13KOe。  相似文献   
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