雷达对抗效果数据处理及评定准则

在雷达对抗装备试验鉴定或电子对抗演练中，自动、实时、定量地评估干扰与反干扰效果，是目前亟待解决的重要课题。本文从雷达对抗模型入手，着眼于制约和影响雷达对抗效果的主要参数及其在工程上的可测性、可比性和可计量性；并应用系统论和模糊数学的基本理论，从三个层次推导出雷达对抗效果评定准则。试图为在工程上进行自动地、实时地、定量地评估雷达对抗效果，探求有效途径和理论依据。愿与有关专家、学者共同商榷。     

岩石弹性参数的激光散斑自动化测量

以单光束散斑干涉计量技术对岩石样品作二次激光散斑曝光底片，通过逐点分析获得散斑干涉条纹归咎，应用计算机图像处理技术快速测量散斑条纹，实现岩石散斑的自动化测量。     

基于五粒子cluster态的受控双向量子隐形传态

提出了一个由三方共享五粒子Cluster态为量子通道进行单粒子双向隐形传送的方案。方案中通信双方Alice和Bob各拥有五粒子Cluster态中的2个粒子以及未知单粒子态的粒子A和B,控制者Cindy拥有Cluster态中1个粒子。Alice和Bob首先分别对手中的粒子A,B以及通道中的1个粒子做bell基测量。并通过经典信道将测量结果告知对方以及控制者Cindy。接着,Cindy对手中的粒子做单粒子投影测量,并通过经典信道告知Alice和Bob测量结果。Alice和Bob根据三方的测量结果分别对手中的另一个粒子做出相应的幺正操作便可得到对方所要传送的量子态,使得单粒子态的受控双向隐形传态的目的得以实现。     

基于微多普勒特征的单人与小分队分类技术

人体行走是典型的非刚体运动,通常情况下每个人行走时的摆动周期不可能完全相同。通过提取目标频谱归一化幅度和、多普勒谱线数和谱宽的标准差3个典型特征,采用支持向量机( SVM)分类器,实现了短驻留时间条件下单人与多人的有效鉴别,平均识别率大于90%。雷达实测数据表明所提特征是有效并且稳健的。     

一种获取摄像机安装高度及倾角的简易标定方法

提出了一种在摄像机内参数已知的情况下,通过地面上已知的4个及以上共面点求解出摄像机安装高度和安装倾角的标定方法.选定地面为X-O-Y面,则Z轴方向的平移因子即为摄像机的安装高度.方法借鉴了利用共面点进行标定的方法,在计算过程中利用投影矩阵元素间的比值关系,巧妙地消除了深度因子的影响,求解出了旋转角度和摄像机的安装高度,进而得到了摄像机的外参数矩阵.将多组实验计算出的安装高度结果和实际测量值相对比,得到的误差非常小,证明了该算法计算简便且具有较高的准确性.     

谐振腔体外微扰及应用研究

本文分析圆柱TE011模端盖对称隙缝特性。在隙缝辐射较小的条件下,提出适于损耗小,厚度薄(1mm左右)的片状材料腔外微扰的近似计算方法,测得聚四氟乙烯、聚氯乙烯、纯陶瓷片等复介电常数与准确值相当吻合的结果。测得相同厚度的片状半导体材料电阻率(≥20Ω·cm),与1／QL有线性关系,与提出的近似方法所预期结果一致。理论分析和实验表明,应用圆柱TEo11模端盖对称隙缝可实现无接触、高精度、多功能测量片状材料的参数,且预期可用于二维测量。     

基于四值脉冲参数模型的单粒子瞬态传播机理与软错误率分析方法

随着工艺尺寸的不断缩小,由单粒子瞬态(Single Event Transient, SET)效应引起的软错误已经成为影响宇航用深亚微米VLSI电路可靠性的主要威胁,而SET脉冲的产生和传播也成为电路软错误研究的热点问题。通过研究SET脉冲在逻辑链路中的传播发现：脉冲上升时间和下降时间的差异能够引起输出脉冲宽度的展宽或衰减;脉冲的宽度和幅度可决定其是否会被门的电气效应所屏蔽。该文提出一种四值脉冲参数模型可准确模拟SET脉冲形状,并采用结合查找表和经验公式的方法来模拟SET脉冲在电路中的传播过程。该文提出的四值脉冲参数模型可模拟SET脉冲在传播过程中的展宽和衰减效应,与单参数脉冲模型相比计算精度提高了2.4%。该文应用基于图的故障传播概率算法模拟SET脉冲传播过程中的逻辑屏蔽,可快速计算电路的软错误率。对ISCAS89及ISCAS85电路进行分析的实验结果表明：该方法与HSPICE仿真方法的平均偏差为4.12%,计算速度提升10000倍。该文方法可对大规模集成电路的软错误率进行快速分析。     

基于遗传算法的热疗温度场重构参数辨识方法

本文主要研究在肿瘤热疗中利用测量有限个温度点作参数辨识重构温度场的问题.为求取在生物传热中起主要作用的血液灌注率的优化参数估计,本文首次提出用遗传算法构造血液灌注率的参数辨识过程;这一方法在离线的仿真中得到了最优的高精度参数辨识,并且是模型自动匹配的.遗传算法在生物传热控制上所作的非线性参数辨识,也为控制中此类问题的研究提供了方法性依据.     

BSIM3v3模型关键参数提取的研究

BSIM3v3是现在业界普遍使用的MOSFET模型,用它仿真电路能够得到准确的结果,但这个复杂的模型给电路设计者的手算过程带来了相当大的困难.为得到更为准确的关键参数,对用HSPICE从BSIM3v3模型提取关键参数的方法进行了改进,并以一个运放设计为例进行比较,该方法提取的关键参数的手算结果比其他方法更接近仿真结果.     

温度和工艺参数浮动下双阈值footed多米诺电路的漏电流特性

考虑到温度和工艺参数浮动的影响,对休眠双阈值footed多米诺电路的漏电流特性进行了系统的量化研究和比较,得到了不同温度下的最佳休眠状态.基于65和45nm BSIM4模型的HSPICE仿真表明：与业已提出的CHIL（时钟为高,输入均为低电平）状态和CHIH（时钟和输入均为高电平）状态相比,本文提出的CLIL（时钟和输入均为低电平）状态更有利于减小低温下电路的漏电流和高温下的多扇入电路的漏电流.而且,分析了工艺参数的浮动对双阈值footed多米诺电路的漏电流特性的影响,并给出了温度和工艺参数浮动下,双阈值footed多米诺电路漏电流最小的休眠状态.