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991.
992.
食品贮存期的预测,取决于贮藏、分配和销售过程中随时间变化的某些物理因素。其中温度是研究得最多的因素。本文描述了在任意可变温度和规则波动温度下贮存食品时,其质量变化的基本动力学;考察了反应的敏感性(Q_10)在预测贮存期中的重要性;利用Arrhenius理论将可变的温度历程转变成某个标准温度下的相当时间。 相似文献
993.
锑化铟光伏器件一般工作在77K。本文介绍采用金属变温杜瓦瓶在不同温度下测试了锑化铟光伏器件的光电特性,其结果显示出锑化铟光伏器件在高于77K一段温度范围内也能满足工作需要,因此为锑化铟制冷探测器的设计提供了一定的依据。 相似文献
994.
995.
通过引入预热工艺,提高反应体系绝热温度,采用超重力场辅助自蔓延燃烧合成技术,成功制备出TiB_2-TiC-(Ti,W)C复相陶瓷,并探究预热温度对反应绝热温度及产物组织性能的影响。研究表明:当预热温度较低时,陶瓷晶粒较粗大,组织均质性、致密性较差,断裂韧性偏低;随着预热温度的提高,陶瓷组织不断改善,断裂韧性不断提高,当预热温度为498 K时,显微组织和力学性能达到最优;进一步提高预热温度,会使陶瓷性能下降。 相似文献
996.
通过无机溶胶-凝胶法和真空退火工艺在Al2O3陶瓷基片上制备出VO2薄膜,通过在薄膜上施加高电压,并结合温度控制系统的方法,研究相变过程中外部温度对二氧化钒临界相变电场的影响。结果表明:当外部温度从63.5℃增加到66℃时,相变需要的临界电场强度从0.17 MV/m下降到0.065 MV/m;随着外加电场强度由0.075 MV/m增加到0.2 MV/m时,相变临界温度从66℃降低到63.5℃,这说明VO2薄膜的相变存在温度与电场互相调控的现象;其相变行为由温度产生的电子热运动能和外场产生的电势能协同控制,但温度与电场的协同效应并非简单的叠加关系,即外界温度越低,温度对相变电场调控的效果越明显,外部电场强度越低,对相变温度的调控越明显;当外加温度为64~68℃,VO2薄膜相变需要的外部电场强度小于0.1 MV/m,满足智能电磁防护材料的要求。这为VO2薄膜应用于智能电磁防护材料提供可能性。 相似文献
997.
998.
999.
结合射弹发射药温度测量的实际需求,设计了超低功耗射弹药温计,给出了系统结构框图和软件流程,介绍了数字温度传感器TMP100和8引脚微控器PIC12F629,给出PIC12F629对TMP100的控制和数据读取过程,并介绍了系统的硬软件超低功耗设计. 相似文献
1000.
结合射弹发射药温度测量的实际需求,设计了超低功耗射弹药温计,给出了系统结构框图和软件流程,介绍了数字温度传感器TMP100和8引脚微控器PIC12F629,给出PIC12F629对TMP100的控制和数据读取过程。并介绍了系统的硬软件超低功耗设计。 相似文献